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金属氧化物半导体SnO2气敏传感器 总被引：2，自引：0，他引：2
SnO_2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO_2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位,其能 相似文献
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介绍了一种可设定压力的开关电路，成功地将压力传感器与电力电子器件组合使用，为研制模块化的压力继电器提供了设计基础。 相似文献
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分析了具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的反向恢复过程，讨论了Ｎ区中设置Ｐ＋短路点使反向恢复时间明显缩短的物理过程；指出重金属铂在Ｎ区中的优化分布使反向恢复电流呈现软特性，实现通态下的低压降、小反向漏电流和快速软恢复特性。 相似文献
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固态电子继电器是一种控制端与负载端相互电隔离的四端功率元件。由于具有驱动功率小的特点,故外接无源敏感元件可组成固态压力、气敏、磁敏等各种继电器。本文详细讨论了这种新型元件的工作原理及主要特点,介绍了几种应用电路及应注意的问题。 相似文献
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本文提出一种在深能级瞬态谱(DLTS)测量中用高势垒肖特基二极管同时研究硅单晶中多子和少子陷阱的新方法.与用pn结型样管比较,这种方法使材料不经受改变陷阶性质的高温工艺过程.在n-Si单晶上用铂作势垒金属,以硅中金和铂的深能级为例,证明这种方法是有效的.对大功率器件常用的几种硅单晶应用DLTS技术进行的分析说明,DLTS谱所提供谱线是足以用作鉴定单晶材料的“指纹”. 相似文献
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讨论了金属氧化物半导体ＳｎＯ２气体传感器基本特性的表征方法，给出了报警监测以及传感器用于低浓度气氛中测量电路的设计原理。 相似文献
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SnO2气体传感器的复阻抗谱研究 总被引：3，自引：0，他引：3
本文研究了静电喷雾高温分解工艺制备的ＳｎＯ２薄膜气体传感器在不同温度与气氛条件下的复阻抗谱，根据等效电路模型与复阻抗谱的变化，分析了电导调制机构与气敏机理，基于气体在晶界与表面吸附效应提出了气体敏感的物理化学模型． 相似文献
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