贮藏温度对方格星虫与革囊星虫质构、内源酶与水分变化的影响

为研究不同贮藏温度对方格星虫(SN)与革囊星虫(PE)质构、组织结构、内源蛋白酶活与水分特征变化的影响。本研究以鲜活SN与PE为原料,在4、30 ℃分别贮藏48、22 h,测定其质构特征、纤维结构、内源蛋白酶活、水分特性的变化。结果表明:在4 ℃贮藏0~16 h,30 ℃贮藏0~10 h,SN硬度、咀嚼性分别下降19.08%、33.94%和41.61%、41.39%,PE分别下降16.06%、12.62%和25.02%、17.68%,其他指标变化不明显;在4 ℃下贮藏16~24 h,30 ℃贮藏10~14 h,质构、内源蛋白酶活、水分活度、自由水与不易流动水占比发生显著变化(P<0.05),纤维弯曲,间隙增大。结论:在4 ℃下贮藏星虫各项指标变化程度皆小于30 ℃,4、30 ℃贮藏应分别控制在0~16 h,0~10 h。     

RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上，研究和分析了分立器件的制作工艺，给出了分立器件的制作工艺参数．利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件，并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性．测试表明：在室温下，RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm．这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础．     

RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.     

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ源／Ｉｎ源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长掺Ｆｅ半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ,击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ多量子阱激光器,激光器的高频调制特性明显优于反向ｐｎ结掩埋的激光器,３ｄＢ调制带宽达４．８ＧＨｚ．     

浙江省丽水市近50a夜雨时空分布特征

文章根据丽水各县(市、区)1971—2020年逐日降水资料,采用多尺度趋势分析方法分析夜雨(20:00—08:00降水)的时空分布特征和演变趋势,以期为农业生产服务。结果表明：丽水冬半年降水量虽少,但夜雨发生比例较大,尤其以1月夜雨率最大;空间上中东部夜雨率较高,且以云和县1月份夜雨率最高。夏半年降水量明显,但夜雨发生比例较小,尤其以7月夜雨率最低;空间上北面夜雨率较低,且以遂昌县1月份夜雨率最低。     

小胶印机润湿装置的发展

在胶印机印刷过程中,水墨平衡是印刷质量的关键,特别是随着印刷速度的提高,润湿也就成为重要的一环。因此,印刷机制造厂家开发了多种润湿装置,并进行了不断的改进,随着时间的推移,胶印润湿已达到了高度稳定的水平。 润湿装置的发展 近些年来,随着胶印技术向高速化、自动化、高质量化方向发展,过     

微生物生产威兰胶的研究进展

威兰胶是鞘氨醇单胞菌代谢分泌的一种新型胞外多糖,由D-葡萄糖、D-葡萄糖醛酸、L-鼠李糖和L-甘露糖四个糖单元组成,在生产应用中起到增稠、乳化、悬浮和稳定作用。威兰胶的利用价值高且无污染,其独特的性质在食品、医药和石油等工业领域都有着很大的发展潜力。本文主要综述了威兰胶特性结构、合成代谢途径、生产过程优化、提高经济性与分离纯化等方面的研究。     

基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法

提出了一种GaN薄膜电学参量测试新方法.该方法基于双肖特基结二极管结构,利用非对称的电极图形获取整流特性,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数.对残留载流子浓度为7×1016 cm-3 的非故意掺杂GaN薄膜进行了试验,新方法得到Ni/Au-GaN肖特基接触的理想因子为2.8,GaN薄膜方块电阻为491Ω和电子电导迁移率为606cm2/(V·s).这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通Ni/Au-GaN肖特基二极管测试所得结果较为吻合.该方法为半导体薄膜测试提供了新思路,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆接触工艺影响较大的外延材料及其金半接触的监测研究.     

具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器

利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在5 0 V的调谐电压下,调谐范围为90 nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.     

1.55μm非晶硅热光F-P腔可调谐滤波器

介绍了一种Si基热光Fabry-Perot (F-P)腔可调谐滤波器.F-P腔由电子束蒸发的非晶硅构成.利用非晶硅的热光效应,通过对Si腔加热,改变F-P腔的折射率,从而引起透射峰位的红移.该原型器件调谐范围为12nm,透射峰的FWHM(峰值半高宽)为9nm,加热效率约为0.1K/mW.精确控制DBR(分布式Bragg反射镜)生长获得高反射率镜面是减小带宽的有效途径;通过改进加热器所处位置及增强散热能力,有望进一步提高加热效率.