绝缘层/有源层界面修饰及对有机薄膜晶体管性能的影响

制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果表明,采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两种器件的开关电流比最高可达8×104,迁移率最高为1.22×10-3cm2/(V·s),而漏电流仅为10-10A,总体性能优于单层SiO2器件.     

VAR熔炼补缩工艺对TC11钛合金铸锭质量的影响

将真空自耗电弧熔炼（VAR）补缩过程分为起始期、降温期和烘烤期,并结合各阶段特点研究了补缩工艺对TC11钛合金铸锭冒口深度、头部化学成分及平均晶粒尺寸的影响。结果表明：熔炼电流增大,铸锭冒口深度、头部成分偏差及平均晶粒尺寸均增大;随着降温持续时间的延长,冒口深度减小,且二者存在一定的线性关系;随着烘烤持续时间的延长,冒口深度减小,但会导致头部成分偏差及平均晶粒尺寸增大。VAR熔炼补缩前采用较小熔炼电流,延长降温期时间,控制烘烤持续时间,可获得冒口深度小、成分均匀、晶粒尺寸较佳的TC11钛合金铸锭。     

氧弹式量热计的改造

对氧弹式量热计电器线路、氧弹内部结构及测温系统进行了改进.将点火系统的机械触点定时器改为时间继电器,用硅橡胶密封垫圈代替软金属密封垫圈,氧弹内部增加火焰隔离系统,改进后的量热计结构简单合理,测量精度显著提高,各项指标符合国家现行标准.     

引汉济渭工程初期运行充水过程虚拟流量法数值模拟

充水过程是长距离输水隧洞调度运行的典型工况之一,往往水力过渡过程比较复杂,难以手工计算.针对引汉济渭工程初期运行安全调度的现实需求,对首次充水的水力过渡过程采用数值方法进行研究.建立了输水隧洞调度模型,采用虚拟流量法分别对加大供水区和保证供水区两种工况进行了数值模拟计算,分析了不同供水流量的首次充水特性.结果表明,首次...     

面向大学生规划管理APP开发的可行性研究

当代大学生的时间管理普遍存在着诸多问题,如有目标但无规划、有规划但难以实践、时间利用率低等问题.要从根本推动大学生时间管理质量需要大学生本身对自己有清晰详细的目标和规划.研究设计大学生专属规划管理软件《规划助手》,通过分析问卷数据探究其研发的可行性,以此为时间管理服务领域的发展提供案例.     

具有双绝缘层和修饰电极的薄膜场效应晶体管

研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的Si02作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.OTS/SiO2双绝缘层的结构提高了器件的场效应迁移率和开关电流比,降低了阈值电压.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

光刻法制作源漏电极的薄膜晶体管

采用光刻法制备了薄膜晶体管的银源漏电极,实验中变换不同的刻蚀剂以减少对SiO2栅绝缘层的损害。底接触法蒸镀的酞菁铜作为晶体管器件的有源层,制得的晶体管器件的输出特性曲线显示该器件的输出电流具有趋于饱和的倾向。     

生料发酵技术在小麦淀粉乳酒精发酵上的应用概述

介绍了生料发酵酒精的机理以及与传统小麦酒精发酵相比生料发酵技术存在的优势和应用前景。