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81.
82.
磁控溅射法制备高性能ZnO薄膜晶体管 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了磁控溅射法制备的ZnO薄膜晶体管(TFT)。以NH3处理的热生长SiO2作为绝缘层,控制好Ar-O2比等条件溅射合适厚度的ZnO作为器件的有源层。实验表明,与普通条件下热生长的SiO2绝缘层硅片相比,NH3处理的高性能SiO2绝缘层Si片器件的载流子迁移率至少要高1个数量级以上;溅射条件在Ar-O2比25∶1情况下制作的器件性能最好;ZnO薄膜厚度也对ZnO-TFT性能有很大的影响。实验中,采用了4种膜厚,测试表明,其中25nm厚的ZnO薄膜迁移率最大。 相似文献
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84.
针对模型修正中测量数据不完备问题,提出一种利用频响函数结合结构损伤识别进行模型修正的方法。首先,采用频响函数摄动分析法建立频响函数灵敏度方程,并综合考虑结构响应对参数变化的灵敏度及阻尼对振幅的影响等因素,合理选择频率范围;然后,利用完好结构的频响函数和测量得到的损伤结构固有频率重构损伤结构未测量节点的频响函数;最后,研究与模型修正相适应的传感器优化布置方法,确定传感器数目及测点位置,从而为模型修正提供所需的频响数据。数值模型试验表明,利用较少数量的传感器提供的频响数据即可识别出损伤位置和损伤程度,得到与结构实际参数相符的模型修正结果。 相似文献
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沸石分子筛膜在气体分离、渗透汽化、蒸汽渗透、水处理及膜反应器等领域均有广阔的应用前景.由于沸石膜的性能受到晶间缺陷、薄膜厚度及晶体取向性等诸多因素的影响,因此其研究焦点主要集中于沸石膜制备工艺的改进.本文分类介绍了近十年沸石膜合成的新方法,并对其特点进行了总结,主要包括:(1)载体预处理方法中的预堵孔技术新操作方法、载体表面改性新操作方法;(2)晶种层制备方法中的分级晶种浸涂法、湿摩擦涂种法、蒸汽辅助转化涂种法;(3)晶化过程操作方法中的油浴晶化法、无凝胶蒸汽辅助晶化法、水热晶化法+干凝胶转化法、超声波辅助法;(4)模板剂去除方法中的O-RTP法、臭氧氧化法、等离子体辅助焙烧法;(5)膜层后处理方法中的化合物沉积改性法和室温离子液体改性法等.此外对沸石膜合成方法的发展方向也进行了展望. 相似文献
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白钰 《上海电力学院学报》2010,(6)
以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌(ZnPc)作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷(OTS,C18H37SiCl3)/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管(OTFT)。实验表明,采用OTS可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度,器件的场效应迁移率提高了3.5倍,漏电流从10-9A降到10-10A,阈值电压降低了5 V,开关电流比从103增加到104。结果显示,具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进OTFT的性能。 相似文献
87.
88.
制做了具有微腔结构的绿色和蓝色有机顶发射电致发光器件.利用Alqs和TBADN:3%DSAPh材料为发光层,Ag为阳极反射层,ITO为腔长调节层,Al/Ag为半透明阴极,电极的透射率在30%左右.通过改变ITO层的厚度,Alq3器件得到了不同颜色的发光光谱,实现了对光谱的调节作用;TBADN:3%DSAPh器件获得了纯度较高的蓝色发光光谱,色坐标为(0.141,0.049),半高宽为17nm发光光谱,实现了窄带发射.文章对微腔顶发射器件的发射强度和发光光谱半高宽的结果进行了分析. 相似文献
89.
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