12位300MHz电流驱动型DAC

在电路误差、电路占用芯片面积相互折中和妥协的前提下提出了一种8+4结构的电流驱动型数模转换器.采用Q2 random walk方法设计了一个新型的双中心对称的电流矩阵,确保数模转换器的线性度.分析并求出了最佳电平交叉点,设计了电平钳位锁存器对开关电平限幅,DAC动态性能得到改善.在12位分辨率下,刷新率达到300MHz以上.     

一种用于地面和有线接收机的宽带低噪声放大器

提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.     

一种低电压3阶4位前馈Σ-Δ调制器

介绍了一种应用于无线通信领域的低电压、带有前馈结构的3阶4位单环Σ-Δ调制器。为了降低Σ-Δ调制器的功耗,跨导放大器采用了带宽展宽技术。采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果显示,当工作电压为1.2 V、采样频率为64 MHz、过采样比为16、信号带宽为2 MHz时,电路的SNDR达81 dB,功耗仅为7.78 mW。     

一种带有片上电荷泵自动调谐结构的非对称带通滤波器的设计

摘要：提出了一种采用片上电荷泵自动调谐结构的MOSFET-C非对称带通滤波器的设计方案,并在UMC（联合电子公司）0.18um标准CMOS工艺线上流片得到验证。带有调谐系统的滤波器采用主从技术进行连续调谐,完成调谐功能后电荷泵输出调谐电压为2.663V,远高于电源电压,提高了滤波器的线性度。非对称带通滤波器带宽为（2.73MHz,5.34MHz）且具有3阶低通和2阶高通特性。以50欧姆作为源阻抗,滤波器带内3阶交调量（IIP3）为16.621dBm。输入参考噪声为47.455uVrms。在1.8V电源电压下,主滤波器功耗为3.528mW,自动调谐电路功耗为2.412mW。带有自动调谐系统的滤波器整个系统占芯片面积0.592mm2,可用于无线局域网,全球定位和蓝牙等系统中。     

高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现

提出并设计了-种基于CMOS工艺实现的高速高精度的单向隔离模拟开关,该开关用在高速两步法A/D转换器中使电路结构大为简化.通过对开关特性的理论分析与电路模拟,证明了这种模拟开关具有高速可控性,传输信号的精度优于先前研究的双极单向隔离模拟开关.     

一种应用于MIMO-OFDM系统的K-best检测器VLSI结构

K-best算法具有高性能、低复杂度的特点,是一种很有前途的MIMO数据检测技术。本文了提出一种新型的MIMO-OFDM K-best 检测器VLSI结构,其度量计算单元（MCU）通过预先确定各分支按照局部欧式距离的升序排列,按需将各条存活路径扩展至部分分支。展开后的分支通过一个分布式拣选器（Sorter）采用流水线方式快速拣选出新的存活路径。本文提出的结构,在16-QAM和64-QAM的调制方式下,相比传统结构能够分别减少50%和75%的运算量,从而明显降低了对硬件资源的需求。仿真结果表明,本文所提出的结构能够达到非常接近于传统K-best检测器的性能,从而为高速MIMO-OFDM 检测器的VLSI实现提供了一种高效的解决方案。     

A high-performance low-power CMOS AGC for GPS application

In this paper, a wide tuning range, low power CMOS automatic gain control (AGC) with a simple architecture is proposed. The proposed AGC is composed of variable gain amplifier (VGA), comparator and charge pump, and the dB-linear gain is controlled by charge pump. The AGC was implemented in a 0.18um CMOS technology. The dynamic range of the VGA is more than 55dB, the bandwidth is 30MHz and the gain error lower than ±1.5dB over the full temperature and gain ranges. It is designed for GPS application and is fed from a single 1.8V power supply. The AGC power consumption is less than 5mW and area of the AGC is 700*450um2.     

一种用于有线接收机的宽带高线性度的下变频混频器

分析了一种宽带高线性度的用于有线接收机的下变频混频器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺.射频输入信号频率范围设计为1～1.8GHz,测得的1dB压缩点达到+14.23dBm,最大转换增益为8.31dB,最小噪声系数为19.4dB,在5V供电情况下,直流功耗为54mW.     

利用正多项式响应曲面模型实现模拟电路参数自动生成

提出一种基于仿真的模拟电路参数自动生成方法,通过利用模拟电路性能仿真数值结果生成描述电路性能与电路参数之间关系的正多项式响应曲面模型(polynomial response surface models),再利用若干性能曲面模型协同求出满足全部性能要求的模拟电路的参数配置.这种方法的本质是将电路参数化问题转化为几何规划(geometric program)问题,为线性或非线性电路生成达到Spice器件仿真级精度的性能正多项式响应曲面.文中提出的正多项式响应曲面模型的待求参数包括正实数系数和任意实数指数,其回归分析过程中如果模型无法满足精度要求,可通过自动修改模型的多项式结构最终获得理想结果.最后以运算放大器电路为例,生成精确描述电路性能的正多项式响应曲面模型,并通过若干正多项式响应曲面模型得到满足性能要求的参数配置.     

共源-共栅组态S2I电流存储单元及其性能

针对原型S2I开关电流存储单元性能上的一些弱点,提出了共源-共栅组态的S2I电流存储单元(简称CS2I)新结构,使其关键速度与精度性能得到较好的改善.相同器件尺寸下的S2I与CS2I单元电路相比,后者速度性能提高了1.6倍,两种电路结构同样应用于延迟单元和双采样双线性积分器功能部件的HSPICE仿真表明:CS2I方式组成的延迟单元的精度提高了5倍,双采样双线性积分器的三次谐波减少了15dB.