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11.
研究通信信号源的优化定位问题.随着通信环境的复杂程度不断增加,环境中的随机干扰源会造成通信源信号频谱混合大量非线性噪声,噪声会对信号源频谱形成干扰,噪声频带和定位信号频带叠加时,传统的线性滤波器是在抑制噪声时,有用信号真实性差,检测微弱的通信信号源变得很困难,造成定位误差较大.提出了一种含噪混合通信数据中信号源定位挖掘算法.根据粒子运动状态方程,实现通信信号的滤波处理,为信号源定位提供准确的数据基础.利用通信节点同心圆定位方法,完成信号源定位.实验结果表明,利用改进算法进行通信信号源定位挖掘,能够提高定位的准确性,减小定位误差范围.  相似文献   
12.
直接电热电阻炉在恒压加热制度下电热参数的计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
秦勤  郭茂先 《冶金能源》2002,21(2):8-10,23
根据电热基本原理和传热学理论推导出了直接电热电阻炉在恒压加热制度下,电热参数的计算方法。其中工作电压根据加热终了时的工况参数确定,加热时间采用试算法进行计算,同时提出在恒压加热罐下提高功率因数、电热效率和降低电能单耗的有效措施。为工业生产提供了重要理论依据。  相似文献   
13.
潮流推算在港口雷达海杂波处理中的应用   总被引:2,自引:2,他引:0  
利用潮流推算的方法求得海水流速,再利用海水流速得到其所对应的多普勒频率,即海杂波所对应的频率,进而运用多普勒杂波处理的方法对海杂波进行处理。但是这种方法不能将相对于海水流速接近为零的目标检测出来,因此它不能独立地在雷达中完成目标检测的任务,但是却可以作为提高发现概率的有益补充。最后给出了系统框图,并对这种方法进行了评估。  相似文献   
14.
针对传统半导体设计流程中对MCU芯片进行功能性验证时涉及到多个芯片之间的互联,手工操作连接十分烦琐且易出现错误,介绍了一种基于FPGA的MCU引脚自动互联的设计与实现.介绍了MCU模块功能性验证自动化实现的概念,从硬件逻辑角度给出了一种解决方法,并且从FPGA模块设计、功能仿真和系统实现等方面,证明了新的测试方法不但降低了人为操作错误的可能性,而且提高了模块功能验证的覆盖率和验证效率,大大缩短了产品的上市时间.  相似文献   
15.
对多种体制雷达多普勒干扰的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
秦勤 《现代电子技术》2010,33(17):23-26
由于现代雷达技术在现代电子战争中的显著地位,针对现代电子战中先进的多普勒雷达,极化分集体制雷达,合成孔径雷达的频域工作过程提出了新的多普勒干扰方法,并对于干扰原理和干扰结果做了理论性的阐述和分析。通过大量的计算推导看出,多普勒干扰方法可使以上三种雷达不能正常工作,对于雷达的干扰达到预想效果,在现在电子战中有很好的应用前景。  相似文献   
16.
17.
蓄热式燃烧技术的应用与发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
于庆波  秦勤 《节能》1998,(8):3-7
回顾了蓄热式燃烧技术的由来和发展,介绍了蓄热式燃烧器的结构组成、控制方法及其在工业中的应用。  相似文献   
18.
秦勤 《工业加热》2004,33(2):12-15
降低电炉钢成本的关键是节能,而电能单耗是评价电弧炉节能的一个重要指标。本文主要叙述了电弧炉的节能措施;介绍了电弧炉电能单耗的计算方法,并分析了每种节能措施对电能单耗的影响度。  相似文献   
19.
四川,作为西部的体育大省,一直以来,都与奥运会有着解不开的情缘,从刘雪松与奥运会有关联的那一刻起,从张蓉芳、梁艳、朱玲三位川妹子为四川迎来第一枚金牌时,四川、四川人,京被载入了奥运会的历史之中,随着四川体衣事业的大力发展,在奥运场冉冉升起的国旗下,我们看到了越来越多的天府儿女的身影,四川为之骄傲,中国为之骄傲.  相似文献   
20.
刘仪柯  唐雅琴  蒋良兴  刘芳洋  秦勤  张坤 《材料导报》2018,(5):1412-1416,1422
采用溅射工艺制备Cu-Zn-Sn金属预制层并尝试在多种退火方案(硫化退火、硒化退火、不同温度下硫化后硒化)下对其进行退火处理,探索出一种只需采用金属预制层即可完成CZTSSe制备的退火工艺制度.通过扫描电镜对比研究了不同退火制度下Cu2ZnSn(SxSe1-x)4薄膜的形貌差异,发现低温硫化后硒化工艺可以有效减少因硫化温度过高引起的薄膜中孔洞较多的问题,有利于薄膜的平整与致密化.在此基础上,采用 X射线荧光光谱、扫描电镜、X 射线衍射及拉曼光谱对不同硫化温度(200 ℃、300℃、400 ℃、500 ℃)下硫化后硒化工艺制备的Cu2ZnSn(SxSe1-x)4薄膜的成分、形貌、物相结构及结晶性能进行了表征和分析.结果表明,300 ℃下硫化后硒化获得的Cu2ZnSn(SxSe1-x)4较其他温度下硫化后硒化获得的产物有着更好的形貌及结晶性能,其器件的光电转换效率为2.09%,远高于500 ℃下硫化后硒化工艺所得薄膜器件的效率(0.94%).  相似文献   
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