全文获取类型
收费全文 | 115篇 |
免费 | 8篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
电工技术 | 2篇 |
综合类 | 10篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 4篇 |
机械仪表 | 13篇 |
建筑科学 | 4篇 |
矿业工程 | 2篇 |
能源动力 | 7篇 |
轻工业 | 1篇 |
水利工程 | 3篇 |
无线电 | 16篇 |
一般工业技术 | 6篇 |
冶金工业 | 50篇 |
自动化技术 | 8篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 6篇 |
2021年 | 8篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 11篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
1995年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
排序方式: 共有127条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
102.
103.
固体电蓄热技术被广泛应用于实现弃风消纳、调节电网负荷平衡中,选择合适的蓄热材料和明确蓄热体的蓄放热特性对实现高效调峰具有重要意义.本文运用软件Fluent对固体电蓄热装置的蓄放热过程进行数值模拟,研究了氧化镁、堇青石、刚玉砖、黏土砖4种材料以及孔隙率对蓄热性能的影响;分析了在不同风速下蓄热体的放热特性.结果表明:蓄热过程中,氧化镁砖和刚玉砖相比堇青石和黏土砖蓄热温度低,但蓄热量大;随着蓄热体孔隙率的增大,蓄热温度增大,蓄热量降低;放热过程中,当蓄热体的初始温度为800 K时,放热风速控制在16 m/s最为合适. 相似文献
104.
为了掌握非均匀温度场下微观组织的演变规律,本文采用改进的元胞自动机模型,在完成算法验证的基础上,对比微观组织在均匀温度场和非均匀温度场下组织演变的异同,并系统研究微观组织在非均匀温度场中的枝晶形貌、尖端生长速率和域内溶质分布以及多晶组织的演变规律。研究结果表明:该模型仿真结果与CA-FD模型结果误差范围在1.4%以内;枝晶凝固末端尖端速率在温度均匀场内趋于稳定,而在非均匀场内表现为持续上升;固相溶质浓度在非均匀场内随着枝晶臂的延展而增大,在均匀场内则保持不变。对于非均匀温度场内单枝晶生长,冷速达到10K/s时,枝晶臂的长度达到1030μm,较均匀场增加49.3%,当冷速达到30K/s时,枝晶臂长度达到1460μm,同比增加了111.6%;冷速的加强使枝晶内部固相溶质浓度增加,出现更多侧向枝晶臂,使固/液界面区域溶质出现波动,呈现不规则分布;多晶组织在非均匀温度场内平均溶质浓度随冷速的增大而上升,且域内合金在凝固结束后固相分数比例随冷速的增加由45%增加到65%,同时观察到域内溶质富集,多次枝晶臂的产生和枝晶臂粗化等现象。 相似文献
105.
106.
针对H型钢辊式矫直过程残余应力的主动控制,基于工程弹塑性理论建立一种矫直过程应力演变的分析模型;采用离散解析实现对模型的快速数值求解;继而基于该分析模型建立一套能够实现残余应力主动控制的工艺参数主动设计方法;运用该方法对典型规格H型钢矫直工艺参数进行工艺设计.建立的分析模型运算结果与有限元结果吻合且计算成本得到有效控制,模型能够实现有限时间内整个矫直工艺参数域内残余应力演变结果的分析;工艺设计方法能够得到一定目标参数和约束条件下的残余应力主动控制工艺参数. 相似文献
107.
108.
109.
110.
采用溅射工艺制备Cu-Zn-Sn金属预制层并尝试在多种退火方案(硫化退火、硒化退火、不同温度下硫化后硒化)下对其进行退火处理,探索出一种只需采用金属预制层即可完成CZTSSe制备的退火工艺制度。通过扫描电镜对比研究了不同退火制度下Cu_2ZnSn(S_xSe_(1-x))_4薄膜的形貌差异,发现低温硫化后硒化工艺可以有效减少因硫化温度过高引起的薄膜中孔洞较多的问题,有利于薄膜的平整与致密化。在此基础上,采用X射线荧光光谱、扫描电镜、X射线衍射及拉曼光谱对不同硫化温度(200℃、300℃、400℃、500℃)下硫化后硒化工艺制备的Cu_2ZnSn(S_xSe_(1-x))_4薄膜的成分、形貌、物相结构及结晶性能进行了表征和分析。结果表明,300℃下硫化后硒化获得的Cu_2ZnSn(S_xSe_(1-x))_4较其他温度下硫化后硒化获得的产物有着更好的形貌及结晶性能,其器件的光电转换效率为2.09%,远高于500℃下硫化后硒化工艺所得薄膜器件的效率(0.94%)。 相似文献