安富利大力推进中国业务期待创造双赢局面：采访安富利副总裁Monte 等的记评

世界500强之一,电子元器件领域营销服务系统的龙头企业安富利(Avnet)决定,今年9月,在中国召开董事局会议,并已开始筹备。这无疑是重要信号,甚至可算是安富利进军和扩大中国市场的“冲锋号”。安富利首席通信业务官Maag先生态度鲜明地表示:“安富利决定在中国召开董事会是安富利开拓、发展中国市场的重要一步,而且是对全球有关业界、对安富利全体员工的一个明确无误的表示,安富利关注中国市场,对中国市场充满信     

CMOS图像传感器赶超CCD图传感器

比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点,分析了CMOS图像传感器的结构,研制现状,应用及市场前景。指出随CMOS图像传感技术的发展,CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器,并预见了其发展趋势。     

具有TDI读出模式的HgCdTe IRCCD的新发展

文章概述了时间延迟与积分的基本概念，典型结构，工作原理，以及上仍ＴＤＩ读出模式的混合式ＨｇＣｄＴｅ红外电荷器件的新发展和应用。     

硅基红外焦平面阵列技术的新进展(Ⅰ)

主要介绍以硅为衬底的非本征硅、金属硅化物（Ｐｄ２Ｓｉ，ＰｔＳｉ和ＩｒＳｉ）肖特基势垒红外探测器、ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结内光电发射红外探测器、硅基红外图象传感器、硅微测辐射热计等红外探测器焦平面阵列的新进展     

混合式非致冷红外焦平面列阵发展状况

将热释电探测器与硅多传输器用铟柱互连，即可实现混合式非致冷红外焦平面阵列。文章主要介绍混合式非致冷红外焦平面阵列的典型结构及其发展状况。     

CCD多路信号传输器的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了１６位线阵ＣＣＤ多路信号传输器，器件动态范围达４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％。文章阐述该器件的结构、工作原理、器件参数分析及影响器件性能的因素和专项工艺研究。     

硅CCD和红外FPA拼接技术的发展

文章综述了可见光硅ＣＣＤ和红外ＦＰＡ拼接技术的发展。     

国内研发成功最高速芯片

我国最高速的芯片近日在东南大学射频与光电集成电路研究所“出炉”.据了解,利用这一具有世界先进水平的芯片,与高速激光器等连接构成光纤发射与接收系统,可以将我国目前的信息高速公路通信速度提高10倍.     

纳米电子/光电子器件概述

本文主要概述了纳米电子/光电子器件的分类,并提出发展纳米电子/光电子器件的几点建议。