混合式PtSi—SBIRFPA的进展

着重介绍混合式硅化铂肖特基势垒红外焦平面阵列（ＨＰｔＳｉ－ＳＢＩＲＦＰＡ）的典型结构和现状。     

PCCD和PPCCD的结构及制备技术的探讨

本文介绍PCCD和PPCCD的制备技术、结构、工作原理和实验结果,SCCD、BCCD、PCCD和PPCCD的比较,PCCD和PPCCD的应用.     

混合式非致冷红外焦平面列阵发展状况

将热释电探测器与硅多传输器用铟柱互连，即可实现混合式非致冷红外焦平面阵列。文章主要介绍混合式非致冷红外焦平面阵列的典型结构及其发展状况。     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多种传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｎ，ＰｔＳｉ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波，长波红外焦平面阵列的现状及性能参数。     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多路传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＳｂ、ＰｔＳｉ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波、长波红外焦平面阵列的现状及性参数。     

硒化铅光导型红外探测器的光刻技术

本文着重介绍硒介铅光导型红外探测器的光刻过程和工作原理。     

硒化铅光导型红外探测器的电极选择

本文主要介绍硒化铅光导型多元红外探测器的电极材料选择和电极的制备工艺。     

1024元高分辨率线阵IRCCD图像传感器

元中心间距为14μm 的1024元高分辨率红外电荷耦合器(IRCCD)图像传感器已研制成功。该器件主要用于遥感。IRCCD 传感器探测部分采用 PtSi/Si 肖特基势垒代替了常规的 Pd_2Si/Si 肖特基势垒。可用于中波和短波红外成像,其功率为7 mW,因而适宜于卫星应用。     

热壁低压化学汽相淀积二氧化硅钝化膜的制备和应用

本文叙述低压化学汽相淀积法制备二氧化硅钝化膜的系统装置及其工艺实验概况。其次简述二氧化硅膜的性质及其在铂化硅肖特基势垒红外探测器研制中的应用。