基于0.35 μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管

提出了一种基于0.35 μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode, APD）。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离（Separate Absorption, Charge and Multiplication, SACM）的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层,并不需要任何工艺修改,这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明,横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M = 10和M = 50时,暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450 ~ 1050 nm。当反向偏置电压为20 V,即M = 1时,峰值响应波长约为775 nm。当单位增益 （M = 1） 时,在532 nm处的响应度约为最大值的一半。     

程正喜陶瓷艺术作品

<正>~~     

程正喜陶瓷艺术作品

正~~     

浅谈陶瓷釉上花鸟画的构图特点

正构图是立意的终极体现,画面是否能够充分达意,就看作者如何去营造画面的构图。而对于瓷器上花鸟画面的布局安排,自然与传统宣纸上作画的构图形式有所出入,陶瓷这种立体的空间审美观及特殊笔墨用法与作者心态同时构筑形成了工艺美术。     

MEMS神经元微探针研究

制作了一种神经元多电极微探针,采用阻抗分析仪对微探针进行了表征,测量了该探针单个电极在生理盐水中100～1 kHz范围内的交流阻抗.1 kHz工作频率下,探针的交流电阻和交流容抗分别为100 kΩ和10 kΩ,时漂小于1%.作为微探针的初步应用,测量了两个电极之间在不同浓度的NaCl溶液中的交流阻抗.结果表明该探针基本符合神经元探针的要求,为下一步进行生物实验奠定基础.     

黑硅薄膜的电学输运特性

采用飞秒激光在六氟化硫气氛中对硅表面进行扫描,在硅衬底上制备了具有超饱和硫重掺杂的黑硅薄膜。采用变温霍尔测试方法,在30~300 K温度范围内测试了黑硅薄膜-硅衬底双层结构的载流子浓度温度特性和迁移率温度特性。采用双层结构的霍尔载流子浓度模型和霍尔迁移率模型,从测试结果中分离出黑硅薄膜的载流子浓度温度特性和迁移率温度特性。采用杂质带电离载流子模型拟合黑硅薄膜的载流子浓度温度特性,得到黑硅薄膜的硫杂质带的中心能级为Eds=-159 meV,高斯半高宽为50.57 meV,有效硫浓度Nds=1.0cm-3×1020cm-3,室温下硫的电离率为7%。计算得到的杂质带态密度分布图,此时杂质带与导带开始融合,黑硅薄膜发生了绝缘体金属转化现象,并解释了黑硅薄膜载流子浓度温度特性中随温度升高激活能增大的现象。黑硅薄膜载流子迁移率特性说明,在低温下杂质散射是主要的散射机制,在高温下声子散射是主要的散射机制。并采用硅中载流子迁移率的经验模型,将黑硅薄膜载流子迁移率分离成导带电导和杂质带电导两部分,得到杂质带的迁移率μi在1~10 cm2/Vs。     

程正喜陶瓷艺术作品

<正>莲花出淤泥不染的词句流于唇齿,笔尖却不易描述。瓷板上荷塘平面而冰冷,刻画得生动需要画者的功力和想象。此件作品荷塘开阔、鱼游浅水,荷叶阴阳立体、丝丝入扣,荷花绽开正艳,寓意"和为贵",予人祥和、清新雅致之美。     

国产电阻阵列技术的发展趋势

回顾和总结了国产电阻阵列3个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果.第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻,成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小;第二代128×128和256×256电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻,基本解决了工艺兼容性、均...     

硅基热电堆真空传感器的耦合场分析

利用商业化的1．2μm标准CMOS生产流水线,配合无掩模体硅各向异性腐蚀工艺,制造了一种热电堆型真空传感器,器件敏感部分尺寸为124um×100μm,由5层薄膜组成,最大厚度为3．2μm．采用一种简化方式对传感器建立有限元模型．新模型一方面忽略了气体对流和热辐射的传热作用,另一方面将各层介质和热电堆结构层分别进行了合并．模型具有简单的断面结构,网格划分容易,收敛速度快．运用ANSYS软件对模型进行了电一热、热一电耦合场分析,直接得到了1．5v加热电压驱动时不同压强下的热电堆输出电压,并与0．1～200Pa之间的测试结果进行比较,结果表明,采用简化建模方式的计算结果与测试结果之间的偏差小于6％．     

在电阻阵列像素单元中使用过驱动技术的电路设计

设计了一种用于研究在电阻阵像素单元中使用过驱动技术的电路结构.与国外过驱动技术的实现方式相比,该方式采用开环控制形式,省去了系统闭环计算和查表环节,节省了系统资源,改善了系统的实时性.该电路结构是通过分析过驱动技术原理而设计的,能满足对电阻阵微桥电阻热响应时间t1、过驱动因子Kod和温度动态范围的研究要求,而且符合像素单元面积的限制条件,其Kod在1～1.5的范围内是可调的.对该电路进行了仿真、版图设计,并请华润上华公司(CSMC)用0.5μm工艺进行了流片,最后用搭建的测试系统对该电路的功能进行了验证.结果表明,该电路的过驱动因子符合设计要求.