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本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。 相似文献
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本文介绍了一种用于音频过采样模数转换器的多级抽取滤波器的面积有效实现方法。抽取滤波器的抽取倍数为256,通带波纹小于0.005dB,阻带抑制达到100dB。通带范围为0-20kHz,输出为48kHz的16比特信号。通过采用含RAM和ROM的面积有效架构,以及对一个运算周期中有效的指令调度,该抽取滤波器在XilinxFPGA上综合后仅使用了不到300个LUT和不到160个Slice。不同于串行或部分串行架构中运算速率通常大于输入采样速率的情况,该实现方法可使得运算速率和采样速率一致,从而简化整体ΣΔADC设计并降低功耗。架构中RAM和ROM的采用使得该抽取滤波器可编程,进一步可改进用于自适应滤波应用。最后,在Modelsim中的RTL仿真结果通过Matlab\Simulink程序进行了验证。 相似文献
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本文报道了薄膜SIMOX/SOI材料上全耗尽MOSFET的制备情况,并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较.实验结果表明,全耗尽器件完全消除了"Kink"效应,低场电子迁移率典型值为620cm2/V·s,空穴迁移率为210cm2/V·s,泄漏电流低于10-12A;随着硅膜厚度的减簿,器件的驱动电流明显增加,亚阈值特性得到改善;全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用,背表面状况可以对器件特性产生明显影响.该工作为以后薄膜全耗尽SIMOX/SOI电路的研制与分析奠定了基础. 相似文献
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