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71.
本文介绍了基于MEMS传感器的TPMS系统解决方案。文中首先讨论了压阻式MEMS气压传感器和指标参数,随后从底层芯片设计和整体系统应用方案开发不同层次,描述了该系统各个组成部分的软硬件设计和物理实现,最后给出了实际系统测试验证数据。实验结果表明,系统可以有效测量气压、温度、电池电压数据,各项指标参数满足国标GB/T26149-2010要求,可以满足安装TPMS的车辆使用需要。  相似文献   
72.
法拉第磁光效应在可视化涡流检测中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了实现对亚表面下细小缺陷的检测,采用了法拉第磁光效应和电涡流效应相结合的方法.用间歇式脉冲信号去激励线圈,使靠近该线圈的受检金属试件中产生涡流效应,磁光薄膜在该涡流磁场的作用下产生磁光效应,使经过的线偏振光的偏振方向发生偏转,包含了缺陷信息的光线经偏振分光镜反射后可以被CCD接收,从而就可以检测到亚表面下细小缺陷.试验结果表明,磁光涡流显微成像方法是一种现实、可行的无损检测方法.  相似文献   
73.
本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。  相似文献   
74.
存储深度决定了数字存储示波器能够连续采集信号的最大时长,也决定了示波器在各个时基档位的实时采样率,提高存储深度有助于提高示波器的连续捕获时间和实时采样率。文章采用SRAM进行数据存储,利用FPC.A接收采样率为1Gsps的ADC的采样数据及控制SRAM的读写等,实现了采样率为1Gsps、存储深度为IM的深存储功能设计。  相似文献   
75.
本文介绍了一种用于音频过采样模数转换器的多级抽取滤波器的面积有效实现方法。抽取滤波器的抽取倍数为256,通带波纹小于0.005dB,阻带抑制达到100dB。通带范围为0-20kHz,输出为48kHz的16比特信号。通过采用含RAM和ROM的面积有效架构,以及对一个运算周期中有效的指令调度,该抽取滤波器在XilinxFPGA上综合后仅使用了不到300个LUT和不到160个Slice。不同于串行或部分串行架构中运算速率通常大于输入采样速率的情况,该实现方法可使得运算速率和采样速率一致,从而简化整体ΣΔADC设计并降低功耗。架构中RAM和ROM的采用使得该抽取滤波器可编程,进一步可改进用于自适应滤波应用。最后,在Modelsim中的RTL仿真结果通过Matlab\Simulink程序进行了验证。  相似文献   
76.
脉搏波信号采集过程中存在肌电干扰和基线漂移等噪声,引起脉搏信号的不正常波动。如何能去除脉搏波信号中的噪声,得到原始的脉搏信号,为后续处理提供基础,是个十分重要的问题。本文设计了一种在脉搏监测系统中基于小波理论用于去噪的电路设计。该电路采用九级流水线结构,能够对脉搏信号进行实时处理。理论分析和逻辑电路仿真结果表明,本文所提出的电路能够有效地去除脉搏信号中信号频谱内的噪声.  相似文献   
77.
在matlab/simulink环境中,根据太阳能电池板的物理机制建立了光伏阵列的仿真模型。针对固定占空比法的不足提出了自适应占空比法,简化了Boost电路仿真模型然后通过S函数建立了最大功率跟踪的动态仿真模型,得出了两种方法的对比仿真波形。用DSP搭建了试验平台,得到了这两种方法跟踪所用时间。结果表明,自适应占空比法具有很好的动态和稳态性能,能够更好的实现最大功率跟踪。  相似文献   
78.
本文报道了薄膜SIMOX/SOI材料上全耗尽MOSFET的制备情况,并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较.实验结果表明,全耗尽器件完全消除了"Kink"效应,低场电子迁移率典型值为620cm2/V·s,空穴迁移率为210cm2/V·s,泄漏电流低于10-12A;随着硅膜厚度的减簿,器件的驱动电流明显增加,亚阈值特性得到改善;全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用,背表面状况可以对器件特性产生明显影响.该工作为以后薄膜全耗尽SIMOX/SOI电路的研制与分析奠定了基础.  相似文献   
79.
对欧盟、美国及日本等发达国家的建筑节水产品的合格评定制度进行了综合评述,并结合我国国情作了启示总结。  相似文献   
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