CCF片式塑封型交流瓷介电容器

多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。     

ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备

用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器。该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比。     

高可靠金属化薄膜电容器和片式多层陶瓷电容器

<正> 今年五月底出席了在美国华盛顿市召开的第35届国际电子元件会议之后,参观考察了几家电子元件厂,从一个小的侧面看到了美国电子元件的生产情况,有许多可供借鉴和参考的地方。 一、参观考察记实 这次在美国共考察了五家公司。本文只介绍四家公司的情况,未包括参观EXEL大规模集成电路生产厂的情况。     

表面层型半导体陶瓷电容器的开发及产业化

表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技术及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果,隧道式气氛烧组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工程中设计参数及氧化层厚度观察及量测技术等。     

电子元件生产工程与规模经济

<正> 前言 生产工程是综合性的科学技术,也是一项系统工程。它研究的领域主要是产品设计后,组织生产中必要的生产方法、生产手段、生产环境以及生产管理等一系列技术问     

水溶性助焊剂焊接技术及水清洗工艺

以混合醇、有机酸、活性剂、高温润湿剂等与异丙醇混合配制成水溶性助焊剂。在电容器生产中使用了这种助焊剂替代松香酒精助焊剂,焊接后采用纯水替代三氯乙烯溶剂进行清洗。测试结果表明,产品介质损耗小于0.03,绝缘电阻大于10000M?,均达到国家产品标准。实现了绿色化生产且降低了生产成本。     

DCF型交流圆片瓷介电容器

通过对陶瓷介质、导体浆料、包封料等材料的选择，以及陶瓷介质厚度、被银瓷片留边量的设计，采用干压成型法成型，控制生坯密度为３．６２～３．９０ｇ／ｃｍ３，研制成功了额定电压为ＡＣ２５０Ｖ、ＡＣ４００Ｖ的ＤＣＦ型交流瓷介电容器。该产品已取得ＣＣＥＥ、ＵＬ、ＶＤＥ和ＣＳＡ安全认证。     

半导体陶瓷电容器

论述半导体陶瓷电容器的一般工艺、瓷体结构、介电特性及其与一般ＢａＴｉＯ３ 型陶瓷电容器之差异。着重叙述其与低压直流老化相关的各种敏感问题、其产生原因及其与工艺因素的相互关系     

一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器

采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和气氛变化,连续完成还原烧成和氧化处理。还原烧成时,升温速度大于400℃/h。在还原烧成温度下保温后,立即在几分钟内,从还原气氛转到氧化气氛,同时降温300℃以上。整个烧成过程中,瓷体全部是堆烧(叠烧10～20层),生产效率比二次烧成提高10倍以上。     

国内外碳膜电位器的新生产技术

据国外专利和国内引进线的先进技术状况,简述了新生产技术的八个方面,然后侧重介绍了浆料、成膜工艺及设备、装配技术、测试技术及电阻体电子计算机辅助设计五部分的发展现况和趋势。对浆料开发和装配技术国内现存差距,在综合的基础上作了举例说明。指出采用新材料的分系统浆料,多种传感器和可编程序控制器的组合应用和微机控制的综合自动测试技术是目前生产技术发展的核心。