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41.
综述全球CMP设备市场概况及适应0.18μm工艺平坦化要求的CMP技术现状,给出了向φ300mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标.  相似文献   
42.
43.
国内外MEMS器件现状及发展趋势   总被引:7,自引:0,他引:7  
介绍了MEMS器件的发展历史 ,国内外研究和应用现状 ,对国内外差距进行了比较 ,给出了MEMS器件今后的一些发展趋势。同时 ,提出了推进MEMS器件产业化的建议  相似文献   
44.
国外光刻设备市场概况及发展趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
童志义 《半导体技术》1991,(3):54-64,F003
本文主要从市场角度述评了近两年国外光刻设备的最新发展动态。具有0.6微米线宽加工能力的g线步进机和0.5微米线宽加工能力的i线步进机在今后的16MDRAM的批量生产中将担当主要角色。在即将来临的64kDRAM大生产时代,准分子激光源的片子步进机、远紫外源的扫描步进机将于小型专用贮存环辐射源的X射线步进机平分秋色,并驾齐驱进入256MDRAM时代。  相似文献   
45.
对于微光刻领域来说,由于对准误羞和组合套刻特性正在变得愈加重要,自动对准技术以很高的成品率和相应的生产效率从根本上适应了这种局面。本文叙述了一种设计来用于(但不是局限用于)投影光刻机的自动对准系统。为了实现自动对准的目的,我们采用了一个光导摄象管来检测掩摸和片子上特殊标记的投影图像。电视信号由一台微处理机进行处理,从而通过图形识别的运算来确定对准标记的位置并进行必要的对准校正。本系统从概念上十分相似算符对准,但给出了更高的对准精度和更加适应的性能。最后讨论了计算原理和实际性能。  相似文献   
46.
47.
掩模测量     
<正> 掩模套准测量系统用来鉴定将要出厂的掩模版的质量,以确保使用者的技术要求。掩模检测程序和合格/不合格的条件通常都已定好,一般情况下,应从以下几方面考虑版的验收方案:1.掩模图形位置误差及对片子成品率的影响;2.掩模的技术条件及对掩模成本和制造周期的影响;3.每张掩模版或初缩版上芯片图形的数目;4.每套掩模曝光处理硅片的数目;5.采样图形及代表整张掩模上图形总位置误差的采样图形精度;6.在作出合格/不合格决定时可接受的冒险程度。  相似文献   
48.
2000年微细加工设备发展预测与对策甘肃电子部第四十五研究所(甘肃平凉744000)童志义1前言以IC为核心的微电子技术已成为当前综合国力的重要体现,成为国际竞争的主要焦点。世界各国已将微电子技术提高到国家意识的高度,作为国家的战略工业发展。而作为微...  相似文献   
49.
2000年微细加工设备发展预测与对策(续)电子部第四十五研究所(甘肃平凉744000)童志义美国国防部高级研究计划局于1992年10月与Sanders和Hampshire两家公司签订了650万美元的国防高级光刻技术的合同,由Sanders公司使用Ha...  相似文献   
50.
本文叙述了一种实验用的直接分布重复曝光机。它装备了一套简单的自动对准系统。其工作原理是以亮视场照明而以暗视场进行光强检测。当暗视场有最大光通量时,掩模和片子就对准了。掩模在座标校准台上进行预对准。自动聚焦和找平是通过检测三个气动传感器的输出信号以校正相应的晶片高度来实现的。  相似文献   
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