SMPDP放电单元中荧光粉层对放电特性的影响

本采用流体模型，计算了新型荫罩式PDP(SMPDP)放电单元的放电特性。研究了放电单元中荧光粉层的厚度对放电过程和着火电压的影响。模拟结果表明，在SMPDP结构中，荧光粉层厚度的变化，对放电过程的影响小于通常的表面放电型，PDP(ACC PDP)。最低着火电压随荧光粉层厚度的不同变化较小。因此，SMPDP结构中，荧光粉层涂敷的不均匀性对放电均匀性的影响小于ACC PDP结构。     

平板显示器件的参数测量及标准

对平板显示器件的测量参数和标准及测量方法进行了分析研究，讨论了各种不同类型的平板显示器件的特点，并对显示器件的测量方法和评估标准进行了比较。     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能（Canon）和东芝（Toshiba）的合资公司-SED公司宣布，将于2006年生产55英寸场致发射显示器（FED）。此外，SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节。本文将评述FED的某些技术信．     

一个新的测量二次电子发射系数的实验方法

本文提出了测量二次电子发射系数的一种新方法-三枪连续脉冲法。这种方法可以用来测定各种金属、介质、半导体、晶体等材料的全能量范围二次电子、发射系数δ。介绍了三枪连续脉冲的原理和实验装置。并给出了用三枪连续脉冲法测量DKDP电光晶体的全能量范围二次电子发射系数。结果表明DKDP晶体的二次电子发射系数与一般介质的二次电子发射系数差不多。还给出了以镍为基底和以DKDP晶体为基底的发射介质膜〔ZnS〕~5+〔MgF_2〕~4的二次电子发射系数。结果表明,基底不同,反射介质膜的电子发射系数也不同。对相同基底的反射介质膜〔ZnS〕~5+〔MgF_2〕~4的二次电子发射系数测量表明它既不同于ZnS也不同于MgF_2的二次电子发射系数。     

DKDP电光晶体真空性能的研究

一、概述 用于晶体光阀管中的DKDP电光晶体,由于它处于真空环境并依靠电子束的轰击而工作,所以它的真空性能以及抗电子束轰击的能力对电光晶体本身是否能正常工作显得十分重要。 晶体光阀管真空性能的研究,国外早有报导,但它们只研究了电子束轰击下以及不同温度下光阀管内气体总压强的变化,没有进一步分析气氛变化的过程和气体的种类。这对保证DKDP电     

一种求解电磁位差分方程组的快速收敛方法

本文根据电磁位差分方程组系数矩阵对角元素占优以及稀疏性的特点,将直接求解一维线性方程组的追赶法与迭代法相结合,发展了一种准直接法。该方法对计算机内存的要求小于直接法,而收敛速度快于连续超松驰迭代法,适用于计算各种静态电磁场的有限差分解。文中介绍了准直接法的基本原理与特点,并与连续超松弛方法进行了比较。     

新型等离子体平板显示器件放电过程的二维数值模拟

根据新型等离子体平板显示器结构的对称性,利用二维数值模拟方法计算了该结构的放电过程。介绍了计算过程及某些参数的确定。给出了电场随时间的变化情况以及各种粒子浓度分布随时间的变化情况。由此可清楚地看到整个放电过程。     

矩形偏转系统的近似多极场模型

提出了可以应用于矩形偏转系统的近似多极场模型,并给出了应用该模型进行偏转系统优化设计的方法,计算比较了旋转对称多极场模型和矩形近似多极场模型的磁场分布,应用近似多极场模型对矩形偏转系统的偏转像差进行了优化计算,得到了较好的像差校正效果。     

显象管技术现况与展望

显象管成为商品已30年了,30年来,显象管主要是为10亿人口服务的(第一、第二世界),当前显象管又在为第二个10亿人口(中国)服务。现在显象管已是成熟而仍在发展的商品。如何为全世界服务、适合各种不同的需要?如何发扬显象管本身具有的优点、克服弱点来和日益发展的各种平板显示技术竞争?显象管在最近和将来向何处发展?这些都是值得探讨的问题。本文介绍过去10年来显象管技术的发展和今后10年显象管技术的展望。现况显象管最近10年的发展有三个特点: 一、市场需要的品种增加现在市场上需要的品种已打破了过去用于电视单一市场的局面,而且这种发展以彩色为     

一种计算液态金属离子源发射电流的新方法

本文详细分析了文献[2],[3]提出的计算液态金属离子源发射电流的“恒定总电流”方法,指出了该方法的不足之处,并在此基础上提出一种基于欠松弛迭代过程的新的计算方法。此方方充分反映了发射电流、表面电场与空间电荷效应之间的自洽关系,使发射电流的计算较为合理。文中介绍了新方法不同于“恒定总电流”方法的三个特点,并计算了液态金属离子源的电流电压特性。计算结果较以往文献的结果有新的改进。