电子束偏转线性畸变的校正精度问题

一 引言 众所周知,用于显示器件的电子束管的偏转系统有二种,即静电偏转和磁偏转系统。在显示系统中应该选用磁偏转系统还是静电偏转系统,这要根据显示系统的要求来确定。在比较考究的显示系统中例如雷达、声纳以及计算机编辑中往往需要迅速存取符号并随时与实时数据混合显示(例如雷达视频信号)。这种显示系统常常要求采用大屏幕大偏转角的管子,这时选择电磁偏转系统要比静电偏转系统有更多的优点:     

可控源音频大地电磁法密频比组合波观测系统

讨论了可控源音频大地电磁法CSAMT（Controlled Source Audio-frequency Magnetotellurics）密频比组合波观测系统及其硬件结构。该系统一次能同时至少观测三个频率，既保证了观测精度，又极大地提高了观测效率，且能根据实际情况，进行任意组合方式下的CSAMT工作。在接收机的实现上，使用了模拟傅氏变换技术，使低速A／D转换器能满足测量要求，降低了成本。引入微机控制，提高了仪器的可靠性，并能实时处理现场观测数据。     

驱动时序设计中影响SMPDP显示亮度的相关因素研究

等离子体显示屏的显示亮度除了受其本身的发光单元结构设计、制造工艺和荧光粉材料等因素的影响,其驱动方案及电路系统设计中的若干参数调整也会对其实际性能产生影响。本文通过对驱动时序方案中可能影响SMPDP亮度指标的因素进行分析和实验,指出了寻址速度和维持脉冲频率两大因素对显示屏亮度指标的核心影响,并讨论了如何利用该结果改进驱动时序参数设计从而提高SMPDP显示亮度。     

地磁对彩色显像管影响研究

分析了彩色显像管受地磁影响问题,指出地磁场对彩色显像管具有不可忽略的影响.为减小这种影响,提出了一种经济、有效屏蔽地磁场的新技术.该技术可在不明显增加彩色显像管成本和重量的前提下,较大程度地抑制地磁场对彩色显像管的干扰,提高彩色显像管的地磁场裕度,较好地解决了彩色显像管生产中需解决的工程问题.     

High Temperature LFMR in Yttrium Doped Perovskite Manganites

Porous ceramic samples of Y doped perovskite manganites were prepared. In these samples, the transition from high temperature paramagnetic insulator to low temperature ferromagnetic metal as well as the low field magnetoresistance (LFMR) effect at the low temperature is similar to that in dense samples. Opposite to that in dense samples, LFMR effect in porous sample is observed at the high temperature close to the peak of MR-T curves. The results suggest that the high temperature LFMR effect and the applicable colossal magnetoresistance (CMR) materials could be obtained by controlling the microstructures of this class of perovskite manganites.     

新世纪的显示器件与展望

本文评述了世纪之交的各类显示器件的现状、技术趋势，对各类显示器件的主要参数进行比较并对今后的显示器件发展方向作了预测。     

CRT技术发展动态

信息显示技术的发展日新月异。为迎接平板显示技术的挑战,ＣＲＴ技术须进一步发挥其成本低和寻址简单的优点,克服其笨重和高功耗的缺点。本文着重对直观式ＣＲＴ、薄型ＣＲＴ以及大屏幕投影ＣＲＴ的技术在平面化、节省空间、节省功率、高亮度、高对比度、降低成本和高清晰度等方面的发展进行了分析,介绍了ＣＲＴ技术的发展动态。     

扁平式黑白显象管的发展与现状

一、引言 自从1920年美国人万·德·比吉尔提出第一个黑白显象管后,1937年完成了作为电视显象管的阴极射线管。到现在全世界彩显管的年产量约5000万只。从74年到83年的10年间,彩显管的产量翻了一翻。发展的速度很快,但是显象管的发展和其它器件一样并不是一帆风顺的,可以说竞争是十分激烈的。显象管几度面临危机,由于市场的需要和新技术的不断发展使它在显示器     

环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究

本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构．采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列．在高超净室的大气和10－4Pa真空下测量了这种二极管阵列的I－V特性．大气下发射的开启电压大约为150伏，真空下的发射开启电压大约为70伏．最后还讨论了制备工艺中光刻套准偏差对发射的影响．分析结果表明偏心对发射的影响并不很明显．     

平板CRT概况

本文简要地介绍了平板ＣＲＴ发展概况，评述了平板ＣＲＴ的基本问题，指出矩阵式驱动和电子束偏转系统结合的平板ＣＲＴ可能是很有前途的一种方案。