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51.
52.
采用第一性原理平面波赝势方法计算研究了在LiFePO4的Li位、Fe位和Fe/Li位共掺杂金属原子对材料的电性能和局部结构稳定性的影响关系。结果表明:Li位掺杂(Li0.75Na0.25)FePO4比Fe位掺杂Li(Fe0.75Mn0.25)PO4表现出更好的电子电导性,而局部结构稳定性刚好相反。但是Fe/Li位共掺杂对电子电导性和局部结构稳定性具有双重优化作用,这可能是由Na-2p电子与Li-s电子相互作用引起的。同时,根据计算差分电荷密度关系可以发现共掺杂后会有大量其他原子电荷向Li原子周围偏移,从而改善材料的电子电导性能。 相似文献
53.
为了厘清高端母婴台式消毒柜用户的复杂需求,探明各项需求要素间的影响关系,从而建构出可视化的需求迭代模型,提升用户满意度和产品竞争力,并形成高端母婴台式消毒柜的可行性设计方案。首先搜集归纳用户对产品的可行性需求;然后使用Kano模型进行需求归类,并计算重要度作出初始排序;结合DEMATEL方法与专家决策计算各类需求间的综合影响矩阵,并计算需求在INRM图中的坐标;最后将最优关键需求转化成可行性设计方案,并通过经验性评估实现了设计评价的闭环。高端母婴台式消毒柜的研发中应优先满足核心需求中的消毒彻底性、优良的碗架材质和触控屏显示模式;其次是驱动需求中的面板质感和空间容量;远程控制需求也不能忽视。结果表明,将Kano模型与DEMATEL方法整合可在家电产品设计中洞察用户需求间的复杂关系,为企业产品开发提供策略支持。 相似文献
54.
分析和研究了一起复杂相间接地短路故障引起的大量负荷瞬间损失事故。根据能量管理系统(energy management system,EMS)的事故追忆、功角测量装置(phasor measurement unit,PMU)的波形及故障录波,对事故过程和原因进行了分析。得出负荷损失的主要原因是系统电压在事故过程中瞬间降低,用户侧设备低压、失压保护或脱扣装置动作跳闸所致。采用BPA分析计算软件,对事故进行了模拟仿真,仿真计算结果与实际故障时所采集到电压变化曲线趋势及规律基本一致。最后,对类似事故的防范措施及用户侧低压、失压脱扣装置的管理工作提出了建议。 相似文献
55.
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E0+△0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置. 相似文献
56.
分析了省网向东莞电网供电的“瓶颈”所在,结合东莞电网未年几年的发展情况,提出了在东莞500kV站投产前,对现有的电网进行适当的改造,以满足东莞负荷需要的临时措施。分析表明,该方案在技术上可行,经济上节约,运行上灵活,并能兼顾将来的发展。 相似文献
57.
58.
59.
采用脉冲电弧放电法在SiC-C/C复合材料表面制备方石英型磷酸铝(C-AlPO4)抗氧化涂层。借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和等温静态氧化实验对涂层的晶相组成、显微结构和抗氧化性能进行了表征与测试。研究了脉冲电压对C-AlPO4涂层显微结构的影响,分析了C-AlPO4涂层在1 773K下的氧化行为。结果表明,330~420V范围内,当脉冲电压为390V时制备的涂层致密均匀;C-AlPO4涂层具有较好的抗氧化性能,在1 773K氧化156h后失重率仅为0.83%;C-AlPO4涂层在1 773K下的氧化能力下降主要是由于长时间氧化后偏磷酸盐玻璃层不能及时有效地填补涂层中的缺陷,涂层在高温下产生了较多贯穿性孔洞所致的。 相似文献
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通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型器件.为了验证结构的优势,同时制作了用于对比的传统指型器件.通过大量测试,得到联U型器件的平均寄生电阻为2.38 Ω,约为指型器件的89.8%.零偏压下联U型器件的结电容为0.48 pF,约为指型器件的90.6%.联U型器件的平均截止频率为139 GHz,相比指型器件提高了约23%.在不增加寄生电容、不牺牲功率容量的情况下,降低了二极管的寄生电阻,大大提高了高频状况下GaN微波整流二极管的整流效率. 相似文献