复合射孔器检测容器探讨

近年来复合射孔器取得了突飞猛进的技术进步,但是至今还没有一套有效的地面检测装置,致使复合射孔器的质量难以有效控制,造成施工效果不好或对管柱、井筒造成损坏,影响了该技术的进一步发展.提出了一种复合射孔器地面检测容器设计建议.针对试验容器模拟不同的套管内径、实验对象和测量仪表,容器内介质为空气或水等不同情况,计算了炸药和推进剂在容器中可能产生的峰值压力,以及筒体设计的安全性.基于计算结果认为该检测容器方案可行.     

集成电路芯片安全隐患检测技术

现代信息产业的基础是集成电路,集成电路的安全性决定了信息产业的安全,在集成电路芯片设计过程中考虑不周全或恶意植入不受使用方控制的程序或电路,是对现代信息产业安全的重大挑战.通过对集成电路芯片中安全漏洞的分析,提出了三种检测芯片安全隐患的方法:物理检测、电学检测和协议检测,认为采用物理检测和电学检测相结合的方式可以比较有效地检测出芯片的安全隐患,并对基于电流变化的电学检测技术进行了详细地论述.     

三结太阳电池低频噪声特性与可靠性表征研究

以GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,通过宽范围电流偏置条件下的低频噪声测试和高温应力试验,对三结太阳电池的低频噪声特性和可靠性表征进行研究分析.结果表明,三结太阳电池的低频噪声包括1/f噪声和G-R噪声.在宽范围电流偏置条件下,低频噪声随偏置电流呈先增大后减小的规律,并在频率为500 Hz时出现G-...     

栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响

采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。     

温度和利用率对CPU性能的影响研究

随着高性能计算机处理器(CPU)功率密度的增大,温度对CPU计算性能的影响愈发突出。为了解决温度与CPU计算性能之间缺乏定量分析的问题,研究了CPU利用率对温度的影响以及温度对CPU评测分值的影响。采用SPEC CPU2006作为评测基准程序集,结合环境温度试验进行测评,对利用率、温度进行了监测采集。利用试验数据建立了温度和评测分值的对应模型,给出了更精确的评测分值。该结果能使CPU工作于合适的评测温度范围,减少温度对CPU评测分值的影响。     

电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究

采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.     

国产A/D(模/数)、D/A/(数/模)转换器失效模式和失效机理研究

国产Ａ／Ｄ（模／数）、Ｄ／Ａ（数／模）转换器是重点电子产品,属大规模集成电路。我国军用和重点工程对Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ的需求很大,而目前高位数和高精度的该类产品主要仍靠进口。本文通过研究其失效模式和失效机理,可暴露存在问题,总结经验教训,寻找改进措施,促进该类产品研制与生产水平的提高,以利于国产Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ的进一步开发和发展。     

电伴热在石化仪表及管道中的设计应用

介绍石油化工仪表及管道电伴热带的种类、组成结构、特点和应用范围,阐述电伴热带的选用原则,提出典型电伴热系统结构和安装过程中应遵循的原则,结合工程实例进一步说明了电伴热在仪表及管道伴热中的应用优势。     

基于DNN的活性炭吸附预测及性能评价

传统机器学习在处理有限样本数据时,容易出现过拟合和梯度消失等问题。为解决该类问题,文中以生物质活性炭亚甲基蓝吸附作为研究对象,构建了一种基于深度学习的DNN预测模型。使用Adam算法动态调整学习率、加速网络收敛;采用Dropout函数缓解过拟合;使用ReLU函数作为激活函数解决梯度消失问题。所搭建的DNN模型预测精度和稳健性均显著高于传统的人工神经网络模型,在面对单一来源数据时,预测平均准确率达到99.9%,面对来自不同实验室的多重来源数据时,依然拥有99.8%的平均预测准确率。搭建好的DNN模型以较强的鲁棒性保证了自身的安全性和容错能力,符合数据庞杂且复杂多变的实际应用情况,同时可进行关键影响因子的非线性定量关系预测,从而辅助制备工艺的决策优化。     

不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.