彬长矿区供需水平衡分析及水量配置研究

根据对彬县和长武县两县供用水现状分析,参考两县社会经济发展规划,对彬长矿区输配水工程的供水对象以2011年为设计基准年,预测2020年设计水平年供需水量,并根据优水优用的原则对不同水源进行水资源配置,以期为彬长矿区输配水工程项目建设提供数据支持和理论依据。更多还原     

新型匹配负载网络的TLP测试系统研究

研究了传统传输线脉冲测试波形的失真机理,实现了一种基于R-2R网络的负载电路匹配特性优化设计方案,与传统传输线脉冲测试波形相比,优化之后的系统消除了传统设备所产生脉冲波形的过冲和振荡现象.从而提高了传输线脉冲测试效率.同时,在相同的预充电电压下,优化之后的系统能提供更大能量的测试脉冲,减小系统功耗.该工作对半导体器件的ESD保护电路设计和ESD模型研究具有实用价值.     

KGD技术发展及其应用

裸芯片在HIC和MCM应用领域有着广泛的市场，其质量和可靠性保证一直受关注。本文论述了已知好芯片（KGD）保证的技术要求、方法、发展现状、国内KGD技术发展机遇与挑战，介绍了国内KGD可靠性保障技术研究情况及已形成裸芯片测试、老化筛选和评价技术的能力。     

ESD电热模拟分析

在分析ESD失效机制的基础上,介绍了目前热击穿的研究情况,指出器件失效前所承受的功率与时间的关系对于研究热击穿的重要性;然后介绍了几个关于失效功率的热模型,分析了相关ESD模拟软件工具,提出一套有效的ESD模拟方法.     

半导体级别故障预测与健康管理

随着集成电路特征尺寸按比例缩小,其可靠性问题越来越突出.为了避免因集成电路失效而发生灾难性后果,有必要对集成电路进行故障预测与健康管理.首先,介绍了故障预测与健康管理技术的发展概况;然后,阐述了实施半导体级别故障预测与健康管理的两个主要方法:预兆单元法和失效先兆监测推理法,并根据相关案例进行了分析;最后,指出了该技术面...     

国产A/D(模/数)、D/A/(数/模)转换器失效模式和失效机理研究

国产Ａ／Ｄ（模／数）、Ｄ／Ａ（数／模）转换器是重点电子产品,属大规模集成电路。我国军用和重点工程对Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ的需求很大,而目前高位数和高精度的该类产品主要仍靠进口。本文通过研究其失效模式和失效机理,可暴露存在问题,总结经验教训,寻找改进措施,促进该类产品研制与生产水平的提高,以利于国产Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ的进一步开发和发展。     

不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.     

MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究

对MOS结构器件．要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有根多种．如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。     

SCR 器件在深亚微米CMOS静电保护电路中的应用

:CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,对ESD保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施.针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理.旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向.     

电伴热在石化仪表及管道中的设计应用

介绍石油化工仪表及管道电伴热带的种类、组成结构、特点和应用范围,阐述电伴热带的选用原则,提出典型电伴热系统结构和安装过程中应遵循的原则,结合工程实例进一步说明了电伴热在仪表及管道伴热中的应用优势。