浅谈ISDN交换机

ISDN交换机是在现有数字程控电话交换机的基础上改进而成的。目前，一般的数字程控电话交换机只能进行电话交换，而且其用户线接口是模拟的，为了适应ISDN端到端的数字传输，将其改为ISDN交换系统，主要需进行3方面的改进：（1）要能实现数字接入；（2）要能进行D信道处理；（3）要能进行对分组数据的交换或能与分组交换网进行互通。因此，ISDN交换机的软件和硬件结构都要比一般数字程控电话交换机复杂得多。ISDN交换机结构示意图如图1所示。1．用户和中继线接口（L／T）ISDN交换机的用户接口有模拟用户接口和数字用户接口。模拟…     

FDMA,TDMA和CDMA

多址技术是指基站周围的移动台各以何种方式占用信道进入基站接收信号。目前，在移动通信系统中所采用的多址方式主要有频分多址（FDMA）、时分多址（TDMA）和码分多址（CDMA）。一、FDMA频分多址是指不同的移动台占用不同的频率。在我国公用模拟移动通信系统中，TACS制式设备采用的多址方式是FDMA。频分多址是把通信系统的总频段划分成若干个等间隔的互不重叠的频道分配给不同的用户使用。这些频道互不重叠，其宽度能传输一路语音信息。为了实现双工通信，所以使用不同的频率。收发频率之间有一定的频率间隔，这样，在频分多址中…     

城市地下空间与人的生活

序言:产生地下居住空间的社会原因以我的经验看,最早的城市地下空间是大阪梅田站周围的地下道。在1927～28年(昭和2～3年)期间,就是阪神电车在地上架起高架线或地铁、大阪终点站成为地下站的时候。当时地下道的照度显然是非常暗的,可是,由于新建且稀奇的缘故,却没有感到有过于阴郁的气氛。我觉得东京最初的地铁可能也是在浅草线通车的那个时候。其候,在1941～45年(昭和16～20年)的战争期间,地铁渐渐变得肮脏起来了,作为战后住宅难的出路而成为流浪者集聚的地方,变成卫生方面很不清洁和危险的场所。梅田站、上野站等作为地下结构到今天已近50年了,可以说几乎无变化地在继续使用着。而高层建筑的地下道和地下街也是在半个世念里无甚变化地被使用着。因此,必须承认:当建造地下结构形成地下空间时,是可使用半个世纪不变的设施,是非私有财产的公共空间。     

视频点播VOD

VOD是一种典型的宽带业务,它是继普通电视后,人们日益感兴趣的娱乐业务方式之一。VOD业务改变了广播电视中,收看者完全处于被动的状态,是一种全新的交互式视频业务。一。VOD的应用三．电影点播这是一种代替录像带出租的业务,用户通过终端点播存在于视频服务器上的电影或录像节目,服务器通过网络将节目显示在用户的终端上,用户可以对节目进行快进,重放,暂停等操作。2．远程购物这是一个网络上的虚拟商店。用户通过终端在家中可以自由地测览商店中的各类商品,对于感兴趣的商店的商品还可以进一步看到更详细的信息。选中的商品也…     

GaN基底上集成介电薄膜材料的生长方法研究

将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术(LMBE),通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度,降低介电薄膜生长温度,控制界面应变释放而产生的失配位错,提高了介电薄膜外延质量;通过低温外延生长MgO阻挡层,形成稳定的氧化物/GaN界面,阻挡后续高温生长产生的扩散反应;最终采用TiO2/MgO组合缓冲层控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,降低集成薄膜的界面态密度,保护GaN半导体材料的性能。所建立的界面可控的相容性生长方法,为相关集成器件的研发提供了一条可行的新途径。     

两种重接型电磁推进模式的仿真比较分析

主要介绍了重接型电磁推进装置的基本原理以及改进后的两种驱动模式.在此基础之上,通过应用电磁场有限元分析软件Ansoft的三维瞬态电磁场计算功能,在每种驱动模式下建立了两个具有不同驱动线圈个数的有限元模型,在保证其他电路参数相同的情况下仿真.仿真计算之后分组比较其驱动力、抛体速度和驱动电流.通过分组比较得出多极矩模式在一定程度上要优于多翼模式的结论.     

重庆光学仪器厂光学车间

随着我国工业和科学技术的发展,光学工业产品类型增多,应用也更加广泛。不少地区为了适应光学工业发展的需要,不断兴建光学车间。重庆光学仪器厂光学车间就是其中之一。 该厂址位于重庆市北碚区。车间总建筑面积约为3600平方米,土建造价约为每平方米     

脉冲激光沉积制备立方AlN薄膜的研究

采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在SrTiO3(100)衬底上在650℃、10Pa N2条件下成功制备了立方结构的AlN薄膜.高能电子衍射(RHEED)及X射线衍射(XRD)分析表明立方AlN和SrTiO3的外延关系为AlN[100]∥SrTiO3[100]和AlN(200)∥SrTiO3(100).其AlN(200)衍射峰的摇摆曲线半高宽(FWHM)为0.44°,说明薄膜结晶性能良好.原子力显微镜(AFM)表明外延的立方AlN薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)为0.674nm.通过X光电子能谱(XPS)分析AlN薄膜表面成分,结果表明AlN薄膜表面没有被氧化.     

基于MEMS工艺的硅基红外辐射源研制

利用微机电系统( MEMS)制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源.该辐射源采用单晶硅为衬底,通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜,并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层.研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响.结果表明,随着支撑层厚度的减小,红外辐射源的调制驱动电压会降低.当支撑层厚度为1μm时,辐射源调...     

热处理对流变压铸铝合金力学性能和显微组织的影响

采用旋转永磁体搅拌工艺制备半固态A356铝合金浆料并进行流变压铸,研究热处理工艺对流变压铸样件本体力学性能的影响,并采用扫描电镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)进行显微组织分析。结果表明:采用T51热处理时,当人工时效时间为3h时,σ_b=290 MPa、δ=8.5%,此时δ达到最大值;延长人工时效时间,σ_b缓慢提高,但是δ下降;采用T6热处理时,当人工时效时间为1h,σ_b=310 MPa、δ=16.5%;当人工时效时间4.5h时,σ_b=335MPa、δ=10.5%,此时σ_b达到最大值,δ达到最小值。T6热处理后,当人工时效时间为1h,试样断口具有大量的撕裂棱和韧窝,在晶界处产生大量富Si的鹅卵石形状的强化相,当量直径小于4μm。同时,在α(Al)基体内形成大量富Si和富Mg的GP区和亚稳相,还产生大量直径小于1μm的Al、Si和Mg的氧化物,并钉扎在α(Al)基体内,与GP区和亚稳相共同对α(Al)基体起强化作用。