基于晶圆减薄工艺的LT减薄片制备

声表面波(SAW)滤波器因其小型化、低插损及高品质因数(Q)值等性能,已广泛应用于移动通信系统中。钽酸锂(LT)/SiO₂/Si结构克服了传统温度补偿型声表面波(TC-SAW)器件制备工艺难的问题,但需减薄该结构上的LT厚度,而减薄过程会导致晶圆表面有损伤残留,影响器件性能。针对这个问题,该文开展了基于减薄与抛光制备LT减薄片的工艺研究,分析了砂轮目数、砂轮与工作台转速、砂轮进给率等减薄参数对LT晶圆表面损伤的影响,以及抛光压力对损伤的去除效果。研究结果表明,在优化的工艺参数下,减薄抛光后晶圆表面粗糙度为0.187 nm,损伤深度小于1 nm,减薄片制备的TC-SAW谐振器的阻抗图和Smith圆图表明晶圆性能和一致性良好。     

城市精品化、城镇特色化、乡村传统化——西双版纳的建设目标

世纪之交,中共云南省委提出了“建立云南民族文化大省”的发展目标,印发了《云南民族文化大省建设纲要》,城镇和乡村作为民族文化的重要标志。载体和基地,其建设发展如何服从和服务于建立文化大省这个目标,是云南实施城镇化战略要首先解决的问题和长期研究的课题,也是直接推进西双版纳“文化立州”和“旅游经济强州”战略实施的关键。如何使城镇和乡村真正成为保护、弘扬、发展和创新优秀民族文化的基地以及如何使城镇和乡村真正成为推进地区旅游经济和贸易经济走向区域化和全球化的龙头,已越来越成为城乡规划、建设和管理的首要问题…     

广告电话业务

广告电话业务（ＡＤ Ｐｈｏｎｅ）是广大电话用户通过拨打免费电话（实际为第三方业务用户付费）而收听企业广告,了解市场行情的一种新业务,这种业务以刺激数量巨大的固定电话用户消费为目标,它不仅为企业广告宣传提供了一种实时、低廉的新途径,而且也为电信部门带来更多的呼叫量,是固定电话公司一个新的业务增长点。 一、业务编号 该业务的编号方式为８０１ＫＡＢＣＤ。其中８０１为业务接入码;Ｋ为用户类别,Ｋ＝０表示是电话用户拨打,Ｋ＝１表示向电信局申请此业务的用户即业务用户使用管理查询功能;ＡＢＣＤ为用户号码。 二、业…     

硅基PZT 热释电厚膜红外探测器的研制

在(100)单晶Si 衬底上,采用MEMS 工艺和丝网印刷方法制作了锆钛酸铅(PZT)厚膜热释电红外探测器,深入研究了PZT 厚膜材料的制备方法与器件加工工艺。采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液腐蚀Si 衬底制备硅杯结构。为防止Pb 和Si 相互扩散,在Pt 底电极与SiO2/ Si 衬底之间通过射频反应溅射制备了Al2O3 薄膜阻挡层。采用丝网印刷在硅杯中制备了30 m 厚的PZT 材料,并用冷等静压技术提高厚膜的致密度,实现了PZT 厚膜在850℃的低温烧结。PZT 厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为210 和0.017,动态法测得热释电系数为1.510-8Ccm-2K-1。最后制备了敏感元为3 mm3 mm 的单元红外探测器,使用由斩波器调制的黑体辐射,在调制频率为112.9 Hz 时测得器件的探测率达到最大值7.4107 cmHz1/2W-1。     

地下终点站

研究的范围可作为地下终点站考虑的,是公共汽车和铁路等车站,一般形式是与商业街相连接。它不一定是线路的终点,也有些实例是中间站。例如:以东京来说,除东京站、新宿站外还可举出都营1号线的新桥、私营丸之内线的池袋等;大阪有梅田周围,难波;名古屋有名古屋站周围,荣,以及建设中的横宾东口公共汽车终点站等等。这些车站都有地下商业街与它们毗连,不过本文仅对车站设施以及它们与商业街连接部份以内的范围加以研究。     

便携式制动性能测试仪静态校准装置

针对当前机动车安全性能检测对便携式制动性能测试仪的发展需要,迫切要求对其自身计量性能进行校准.在分析了便携式制动性能测试仪工作原理的基础上,结合《便携式制动性能测试仪校准规范》,设计了便携式制动性能测试仪静态校准装置.该装置以C8051F350单片机和SEO9320Ⅱ光电轴角编码器为核心,包含机械校准平台,角度、重力加速度测量仪表等部件,具有性价比高、操作方便的特点.通过实验室静态校准测试数据,证实了该静态校准装置的测量精度、稳定性和可靠性.     

MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19))薄膜的制备与性能研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°。扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状。振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好。     

脉冲激光沉积制备立方AlN薄膜的研究

采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在SrTiO3(100)衬底上在650℃、10Pa N2条件下成功制备了立方结构的AlN薄膜.高能电子衍射(RHEED)及X射线衍射(XRD)分析表明立方AlN和SrTiO3的外延关系为AlN[100]∥SrTiO3[100]和AlN(200)∥SrTiO3(100).其AlN(200)衍射峰的摇摆曲线半高宽(FWHM)为0.44°,说明薄膜结晶性能良好.原子力显微镜(AFM)表明外延的立方AlN薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)为0.674nm.通过X光电子能谱(XPS)分析AlN薄膜表面成分,结果表明AlN薄膜表面没有被氧化.     

单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究

采用离子注入剥离法转移制备了43°Y 切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为(-70~-90)×10-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO2层,谐振器的频率温度系数降至-18×10-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件。     

基于MEMS工艺的硅基红外辐射源研制

利用微机电系统( MEMS)制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源.该辐射源采用单晶硅为衬底,通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜,并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层.研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响.结果表明,随着支撑层厚度的减小,红外辐射源的调制驱动电压会降低.当支撑层厚度为1μm时,辐射源调...