水泥土组合拱结构设计与施工

在传统的重力式水泥土挡墙的基础上,改进水泥搅拌桩,形成了一种新型的支护结构形式——水泥土组合拱结构,介绍了在天津吉利花园A区5.5m深的大面积浅基坑设计与施工中的成功应用。     

基于FCM的数据聚类分析及Matlab实现

聚类是数据挖掘中常用的数据分析技术.本文详细介绍了FCM聚类算法的理论和实现步骤.并用Matlab演示了FCM用于数据聚类.结果表明FCM算法是一种高效的数据聚类算法,有很广泛的应用.     

沂蒙抽水蓄能电站岩体渗透特征研究

利用钻孔地下水位长期观测数据、压水试验数据等资料,结合工程地质条件,分析了研究区岩体渗透特征。结果表明,研究区地下水分水岭与地表分水岭形态基本一致,岩体以弱、微透水为主,局部为中等透水,断层带、裂隙密集带等部位岩体透水率较大。拟合透水率与深度的关系曲线表明,岩体渗透性随着深度的增加而逐渐减小。     

大豆蛋白乳化性的研究

以低温脱脂大豆粉为原料制备大豆蛋白液,采用酸条件热改性处理,考察不同加热温度、pH、加热时间对乳化性影响。通过正交实验确定最优乳化性的改性条件:加热温度50℃,pH=6.0,加热时间60min,此条件下改性的大豆蛋白乳化性较未处理样提高了31.3%;同时实验表明,改性大豆蛋白中Na+浓度为1.0%（质量分数）时,其乳化性比未处理样提高了41.7%。对对照样和不同条件改性的大豆蛋白进行内源性荧光扫描,结果显示在280nm处激发产生的发射荧光最大峰位（λm）和强度发生了改变,说明蛋白质结构改变对其乳化性有着重要影响。      

EISl250压力机液压系统分析与改造

分析EIS1250闭式单点压力机的液压系统的工作原理和作用，阐述液压系统元件国产化改代的必要性和可行性，从而完成国产化改代设计并投入使用。     

沂蒙抽水蓄能电站岩体渗透特征研究

利用钻孔地下水位长期观测数据、压水试验数据等资料,结合工程地质条件,分析了研究区岩体渗透特征。结果表明,研究区地下水分水岭与地表分水岭形态基本一致,岩体以弱、微透水为主,局部为中等透水,断层带、裂隙密集带等部位岩体透水率较大。拟合透水率与深度的关系曲线表明,岩体渗透性随着深度的增加而逐渐减小。     

预应力锚索、全粘结锚杆在既有边坡加固中的应用

主要针对填方边坡工程进行加固,采取预应力锚索、全粘结锚杆进行处理。通过建立模型,利用Morgenstern-Price方法对其进行稳定性分析评价。通过后期对边坡沉降位移进行监测表明,该边坡治理措施经济合理、技术可行。     

真空干燥设备的监测系统设计

为了实时掌握真空干燥设备以及干燥对象在干燥过程中的状态,设计了一套以微处理器ADIxC812为核心,扩展了温度检测电路、压力检测电路、显示输出电路、报警电路、电压基准、状态指示电路和电源等外围电路的监测系统。它通过温度、压力传感器来采集信号,并利用单片机系统及其外围电路对采集的信号进行处理、计算、存储及显示。     

某抽水蓄能电站上水库库内开挖料可利用分析

某抽水蓄能电站上水库岩性为气孔状玄武岩和凝灰质角砾岩,通过对原岩的物理力学性质研究,二者指标均不能满足坝体对堆石料的质量指标要求。其挖填特征表现为库区开挖料多于填筑料需求量,且开挖料不能直接用于筑坝。为提高电站的经济效益,对库内开挖料进一步开展了相关物理特性、力学特性、渗透与渗透变形特性等试验研究,次中选优,认为气孔状玄武岩夹杂部分凝灰质角砾岩可用于大坝次堆石区的填筑,从而达到了挖填平衡的最优化设计目的。     

硼掺杂硅薄膜及其在叠层电池隧道结中的应用

Boron-doped hydrogenated silicon films with different gaseous doping ratios（B2H6/SiH4） were deposited in a plasma-enhanced chemical vapor deposition（PECVD） system.The microstructure of the films was investigated by atomic force microscopy（AFM） and Raman scattering spectroscopy.The electrical properties of the films were characterized by their room temperature electrical conductivity（σ） and the activation energy（Ea）.The results show that with an increasing gaseous doping ratio,the silicon films transfer from a microcrystalline to an amorphous phase,and corresponding changes in the electrical properties were observed.The thin boron-doped silicon layers were fabricated as recombination layers in tunnel junctions.The measurements of the I-V characteristics and the transparency spectra of the junctions indicate that the best gaseous doping ratio of the recombination layer is 0.04,and the film deposited under that condition is amorphous silicon with a small amount of crystallites embedded in it.The junction with such a recombination layer has a small resistance,a nearly ohmic contact,and a negligible optical absorption.