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在专业视觉影像领域.投影设备在数字影院、演播室背景与舞美呈现、模拟与虚拟现实等方面的应用已被大家所熟知。但在后期制作方面.由于以往投影设备的亮度、使用寿命以及空间等限制. 相似文献
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中华民族本身是一个多民族集聚的大家庭,在大家庭中由于气候、地理、环境等的不同,各民族服饰各具特色,彝族也是中华民族的远古民族之一。为了保护传统服饰,以凉山彝族服饰中的各方言区服饰出发,采用田野调查、文献研究和图像分析相结合的方法。研究彝族服饰的基本外形并讨论其特点,并对各方言区的彝族服饰进行对比和分析。在对彝族服饰大多从民俗学,图案进行入手的今天,站在服装的角度从结构对彝族服饰进行分析就有了这么一点必要性。 相似文献
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重载是引起当前我国沥青路面破坏的主要因素之一,其轴载换算一直是路面设计计算的关键问题.通过实测得到几条高速公路在不同轴载条件下的路表弯沉值,分析了弯沉值与轴载的相关关系,系统研究了基于弯沉等效的轴载换算指数的变化规律,最后推导出了适用于重载交通的沥青路面轴载换算公式.计算结果表明,轴载换算指数n明显大于规范推荐值,新公... 相似文献
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Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3(ALO)和ZrO2-Ta2O5(ZTO)复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0.013V和0.56V,击穿场强分别为128MV/m和175MV/m,在50MV/m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3.1×10-5/cm2和4.1×10-5A/cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3.9×10-5/cm2和3.7×10-5A/cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。 相似文献
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采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄膜在550~700℃、1.8×10-2Pa氧气氛中进行30min退火处理,结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善,其它参数都劣化;在650℃和700℃下热处理介电常数显著增加,其它性能都变差. 相似文献
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开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10nm/10nm、20nm/20nm、40nm/40nm、总厚度约600nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800nm的AlxTiyOz复合薄膜,研究了它们的介电性能,并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较,最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS∶MnTFEL器件中。Al2O3/TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10nm增至40nm,介电常数由20.2减小到16.1,击穿场强由154MV/m增至174MV/m,反映介电损耗的参数ΔVy由0.09V降为0.04V,在50MV/m下漏电流密度由1×10-6A/cm2增至1×10-4A/cm2,品质因子由2.62μC/cm2降为2.46μC/cm2。AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3.6μC/cm2,应用于ZnS∶MnTFEL器件中获得在200Hz下较高的L50(58cd·m-2)、很低的阈值电压(60~70V),而且各个像素的L-V性能有很好的重复性。 相似文献
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用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530~730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48~73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06~0.15V之间,击穿场强为106~139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9~10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度. 相似文献