玻璃纤维增强TPVA/PBST复合材料的制备及性能

研究了短玻璃纤维(SGF)增强热塑性聚乙烯醇(TPVA)/聚丁二酸对苯二甲酸丁二醇酯(PBST)复合材料的改性机理、复合材料的热学及力学性能,并对复合材料中玻璃纤维(GF)的尺寸及分布进行了分析.实验结果表明,马来酸酐接枝乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA-g-MAH)与硅烷偶联剂能够有效增容TPVA/PBST复合材料,引...     

重载条件下路基工作区深度影响因素分析

路基的工作区深度直接影响到软土地基的处理深度及费用,为保证路基的稳定及经济,需要明确不同荷载条件下的路基工作区深度。本文通过有限元法,系统分析了轴载、面层厚度、基层厚度等因素对路基工作区深度的影响规律。计算结果表明:路基工作区的深度随着轴载的增大而增大,随着路面面层厚度和基层厚度的增大而减小。实际工程中,应该根据车辆荷载状况、路面结构层厚度等因素综合计算确定路基工作区深度,以及软土地基的合理处理深度。     

胜任4K后期制作对画质的极致要求——访中影巴可（北京）电子有限公司战略拓展部总监徐鹤然

在专业视觉影像领域．投影设备在数字影院、演播室背景与舞美呈现、模拟与虚拟现实等方面的应用已被大家所熟知。但在后期制作方面．由于以往投影设备的亮度、使用寿命以及空间等限制．     

凉山地区彝族服饰外形对比与分析

中华民族本身是一个多民族集聚的大家庭,在大家庭中由于气候、地理、环境等的不同,各民族服饰各具特色,彝族也是中华民族的远古民族之一。为了保护传统服饰,以凉山彝族服饰中的各方言区服饰出发,采用田野调查、文献研究和图像分析相结合的方法。研究彝族服饰的基本外形并讨论其特点,并对各方言区的彝族服饰进行对比和分析。在对彝族服饰大多从民俗学,图案进行入手的今天,站在服装的角度从结构对彝族服饰进行分析就有了这么一点必要性。     

基于实测弯沉等效的重载交通沥青路面轴载换算

重载是引起当前我国沥青路面破坏的主要因素之一,其轴载换算一直是路面设计计算的关键问题.通过实测得到几条高速公路在不同轴载条件下的路表弯沉值,分析了弯沉值与轴载的相关关系,系统研究了基于弯沉等效的轴载换算指数的变化规律,最后推导出了适用于重载交通的沥青路面轴载换算公式.计算结果表明,轴载换算指数n明显大于规范推荐值,新公...     

电子束共蒸发Al2O3-La2O3和ZrO2-Ta2O5复合薄膜的介电性能研究

Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3（ALO）和ZrO2-Ta2O5（ZTO）复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0．013V和0．56V,击穿场强分别为128MV／m和175MV／m,在50MV／m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3．1×10-5／cm2和4．1×10-5A／cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3．9×10-5／cm2和3．7×10-5A／cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。     

建筑垃圾拆房土处理垃圾场段路基的应用研究

以实际工程为依托,探索应用建筑垃圾拆房土处理垃圾场段路基的有效途径,通过试验研究,得出了拆房土填筑路基时合理的施工工艺,掌控了建筑垃圾填筑路基设计施工的关键技术,从而为其他类似工程积累了经验。     

沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄膜在550～700℃、1.8×10-2Pa氧气氛中进行30min退火处理,结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善,其它参数都劣化;在650℃和700℃下热处理介电常数显著增加,其它性能都变差.     

电子束蒸发Al2O3/TiO2复合膜及在无机EL中的应用

开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10nm/10nm、20nm/20nm、40nm/40nm、总厚度约600nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800nm的AlxTiyOz复合薄膜,研究了它们的介电性能,并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较,最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS∶MnTFEL器件中。Al2O3/TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10nm增至40nm,介电常数由20.2减小到16.1,击穿场强由154MV/m增至174MV/m,反映介电损耗的参数ΔVy由0.09V降为0.04V,在50MV/m下漏电流密度由1×10-6A/cm2增至1×10-4A/cm2,品质因子由2.62μC/cm2降为2.46μC/cm2。AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3.6μC/cm2,应用于ZnS∶MnTFEL器件中获得在200Hz下较高的L50(58cd·m-2)、很低的阈值电压(60~70V),而且各个像素的L-V性能有很好的重复性。     

无机EL显示器件用高性能介电层的研究

用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.