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采用一种基于三电场分量的全矢量有限元法,其中引入了完善匹配层(PML)吸收边界条件,分析由梯形截面硅基垂直多槽纳米线构成的平行定向耦合器.考虑了波导侧壁倾角、耦合波导间距、槽宽及槽折射率的变化对定向耦合器性能的影响.给出了准TE与准TM偶、奇模有效折射率、耦合长度及模场分布,揭示了其模式的混合特性及模场分布特点.分析结果表明,恰当选择结构参数及材料参数,可实现两偏振态下相同耦合长度,定向耦合器在偏振无关条件下工作. 相似文献
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行波电极(Traveling wave electrode,TW),是目前广泛采用的一种电极结构,可缩短光载波与调制信号的互作用长度,可有效避免分布电容(Contribution capacity,CR)对调制带宽的限制.基于时域法设计、分析了InP/InGaAsP-EAM调制器行波电极,并与实际制作的EAM的行波型TW进行了特征阻抗Zc、损耗系数α对比,结果表明用时域法设计、计算的TW的特征阻抗、损耗系数与实测的结果符合的较好,特征阻抗约为45Ω,在0~20 GHz的频率范围,损耗系数α小于4 dB/mm. 相似文献