基于行波电极电吸收调制􀀂 的高速光脉冲发生模块

速率高于40Gbit/s以上光脉冲发生器件是构建高速宽带光纤通信网络系统的关键，行波型电吸收调制器（TW－EAM）与分布反馈激光器（DFB－LD）的单片集成技术代表该领域的最新发展方向。本文利用准静态等效电路模型对行波型电吸收调制器的微波特性进行了分析并与实验室的实际测量结果进行了比较，得出了比较满意的结果。介绍了TW－EAMDFB－LD性能和最新的研究成果。     

GaAlAs/GaAs平面波导串联矩形谐振腔滤波器的研究

基于四端口谐振腔滤波理论，采用二维时域有限差分法（2D-FDTD）数值仿真了矩形谐振腔的滤波特性，分析了串联谐振腔的个数与滤波特性的关系；设计和制作了GaAlAs/GaAs平面波导四串联矩形谐振腔滤波器，获得其滤波特性，测试结果通带半宽约为10 nm；与仿真结果有着较好的符合。     

梯形截面硅基垂直多槽纳米线定向耦合器全矢量分析

采用一种基于三电场分量的全矢量有限元法,其中引入了完善匹配层(PML)吸收边界条件,分析由梯形截面硅基垂直多槽纳米线构成的平行定向耦合器.考虑了波导侧壁倾角、耦合波导间距、槽宽及槽折射率的变化对定向耦合器性能的影响.给出了准TE与准TM偶、奇模有效折射率、耦合长度及模场分布,揭示了其模式的混合特性及模场分布特点.分析结果表明,恰当选择结构参数及材料参数,可实现两偏振态下相同耦合长度,定向耦合器在偏振无关条件下工作.     

基于时域法的单条形InP/InGaAsP-EAM调制器的行波电极的仿真与实验研究

行波电极(Traveling wave electrode,TW),是目前广泛采用的一种电极结构,可缩短光载波与调制信号的互作用长度,可有效避免分布电容(Contribution capacity,CR)对调制带宽的限制.基于时域法设计、分析了InP/InGaAsP-EAM调制器行波电极,并与实际制作的EAM的行波型TW进行了特征阻抗Zc、损耗系数α对比,结果表明用时域法设计、计算的TW的特征阻抗、损耗系数与实测的结果符合的较好,特征阻抗约为45Ω,在0～20 GHz的频率范围,损耗系数α小于4 dB/mm.