SiGe CMOS结构模拟分析

提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,δ层掺杂浓度以及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响.最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果.     

SiGe HBT大信号扩散电容模型研究

基于SiGe HBT（异质结双极晶体管）大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型．该模型从SiGe HBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷（包括正向存储电荷和反向存储电荷）的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGe HBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGe HBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。     

CAM卡中解扰模块的设计实现与验证

依据CSA算法,对CAM卡中的解扰模块进行设计.采用verilog HDL语言设计.利用modelsim对其设计结果进行仿真验证.并在xilinx上实现FPGA综合.设计结果可靠有效.具有很高的实用价值和市场价值.     

分布式电源接入用户及用户侧微电网双向电能计量问题

随着分布式电源以及基于分布式电源的用户侧微电网的应用越来越广泛,用户与电网之间双向的电能流动使得传统的计量方式需要相应做出改变。分析了分布式电源接入用户及用户侧微电网双向计量的需求,重点讨论了分布式发电的独立计量方式,梳理了分布式发电并网引起的谐波、电压暂降、短时中断与闪变等电能质量问题对计量误差产生的影响,总结了智能电表通讯接口、协议、精确计量算法的现状和发展趋势以及智能电表在未来智能电网中的地位与作用,并提出了双向计量的模式和未来发展的方向。     

Effect of substrate doping on threshold voltages of buried channel pMOSFET based on strained-SiGe technology

The effect of substrate doping on the threshold voltages of buried channel pMOSFET based on strained-SiGe technology was studied. By physically deriving the models of the threshold voltages, it is found that the layer which inversely occurs first is substrate doping dependent, giving explanation for the variation of plateau observed in theC-V characteristics of this device, as the doping concentration increases. The threshold voltages obtained from the proposed model are-1.2805 V for buried channel and-2.9358 V for surface channel at a lightly doping case, and-3.41 V for surface channel at a heavily doping case, which agrees well with the experimental results. Also, the variations of the threshold voltages with several device parameters are discussed, which provides valuable reference to the designers of strained-SiGe devices.     

浅谈招投标工程投标限价设置的要求及建议

从施工单位投标报价的角度,谈谈设置投标限价的要求及建议。     

基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究

采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.     

SiGe HBT直流特性模型研究

在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGe HBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式．所建立的SiGe HBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况．模拟分析了基区掺杂浓度及Ge组分对电流密度的影响,模拟结果表明,基区掺杂浓度的增加减小了集电极电流、增大了中性基区复合电流,从而降低了电流增益;而Ge组分越高,集电极电流密度就越大,从而提高了SiGe HBT的电流增益．模拟了基区发射结侧Ge组分及发射区掺杂浓度对基区空穴反注入电流密度的影响,结果表明,提高Ge组分能明显减小空穴反注入电流,获得更高的电流增益．     

四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度

在对Si_1-xGe_x材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si_1-xGe_x材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱. 经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si_1-xGe_x材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷. 通过实验及对Si_1-xGe_x材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性.     

基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容

当SiGe HBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容．另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况．在SiGe HBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型．