半金属 Fe3O4薄膜的制备工艺探索

半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料，由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注．但由于铁元素存在多种价态的氧化物，使得制备单一成分的Fe3O4非常困难，因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究，探索了晶化温度对薄膜结构的影响，并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善，得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件．另外，通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试，发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应，因此有望将其应用到自旋电子器件中．     

基于LTCC技术的DC-DC变换器基板设计

为满足当代电子系统的要求,DC-DC变换器需要具有小型化、轻型化以及高的可靠性的特点。该文在低温共烧陶瓷（LTCC）工艺的基础上,设计了一款内埋置电感的DC-DC压降变换器的电路基板。利用Ansoft Maxwell对功率电感进行建模和仿真,对气隙层如何影响电感直流特性进行了研究;对整个变换器的输入、输出回路以及反馈电路进行设计。最后,得到了一款尺寸为20 mm×15 mm×1 mm,饱和电流大于2 A的LTCC电路基板。     

NiZn软磁铁氧体材料的性能与应用

NiZn软磁铁氧体材料具有电阻率高、损耗角正切低、磁导率的温度系数低等特点,是一类产量大、应用广泛的高频软磁材料.在1 MHz以下其性能不如MnZn铁氧体,在1 MHz以上,由于高电阻率,其性能大大优于MnZn铁氧体,非常适宜高频应用.另外,NiZn铁氧体制备工艺比MnZn简单,可以通过掺杂改善材料的磁性能.本文概述了国内外关于NiZn材料的研究状况和其发展动向、应用及市场.     

Structure and magnetic properties of amorphous and polycrystalline Fe3O4 thin films

Half-metallic Fe3O4 films prepared by-DC magnetron reactive sputtering with a tantalum（Ta） buffer layer was investigated. Primary emphasis is placed on the structural impact on its magnetic properties. The experimental results show that the amorphous Fe3O4 films exhibit a superparamagnetic response at a large-scale from 20 nm to 150 nm, and the magnetoresistance （MR） isn＇t detected. By contrast, the polycrystalline Fe3O4 films possess large saturation magnetization Ms of 420 A/（kg.cm） and a clear magnetoresistance with a field of 40 kA/m. The unusual properties for the amorphous Fe3O4 film are attributed to the existing large density of the similar structure as anti-phase boundaries in the film.     

Ca~(2+)、Zr~(4+)共替代对YAlIG铁氧体性能的影响

采用固相烧结法制备旋磁铁氧体材料Y_(3-x)Ca_xAl_(0.33)Fe_(4.6-x)Zr_xMn_(0.02)O_(12)(摩尔分数x=0、0.2、0.25、0.3、0.35)。详细研究了Ca~(2+)、Zr~(4+)共替代对钇铝石榴石(YalIG)铁氧体性能的影响。研究表明,Ca~(2+)、Zr~(4+)替代对YAlIG铁氧体的介电常数影响微弱。随着替代量x的增加,YAlIG的饱和磁化强度起初呈上升趋势,但当替代量过多时,会使材料中产生另相,反而降低材料的饱和磁化强度(4πMs)。适量Ca~(2+)、Zr~(4+)共替代会明显降低YAlIG材料的铁磁共振线宽,随替代量x的增加,YAlIG材料的铁磁共振线宽(ΔH)先下降后上升,在无另相产生前的最大替代量x=0.3时,材料ΔH获得最小值。     

抗电磁干扰铁氧体材料及抑制扼流圈

介绍了抗电磁干扰的发展状况及材料的选择,阐述了扼流圈的抑制原理和绕制.     

缺铁量对低温烧结NiCuZn铁氧体材料性能的影响

采用固相反应法制备了低温烧结NiCuZn铁氧体,研究了缺铁量对材料显微结构、烧结密度、饱和磁感应强度以及磁导率和介电常数的影响。在此基础上确定了低温烧结NiCuZn铁氧体的最佳缺铁量:在900℃烧结时,当铁氧体NiaCubZn1―a―bFe2―xO4―3/2x(0.3≤a≤0.6;0.1≤b≤0.3)中缺铁量x为0.10时,材料能获得较好的显微结构、较高的烧结密度和饱和磁感应强度,且其磁导率也最高。     

抗EMI磁性滤波器:原理·应用·展望

简要介绍了吸收式和组合式抗EMI滤波器的原理、分类及应用,概述了磁性滤波器的发展趋势及近几年的最新研究成果.     

CaO-ZnO-B_2O_3低温烧结LiZn铁氧体旋磁性能研究

用固相法制备Li0.45Zn0.3Ti0.2Mn0.03Mn0.03Fe1.99O4铁氧体,研究了CaO-ZnO-B2O3(CZB)玻璃助烧剂对磁性能和结构的影响。结果表明,适量的CZB玻璃相可促进固相反应,显著降低烧结温度。通过X线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,CZB玻璃没有影响LiZn铁氧体的尖晶石相结构,且其可促进晶粒生长。磁性能变化规律表明,CZB的质量分数为0.25%时,饱和磁感应强度(Bs)达最大,矫顽力(Hc)降低。Hc在质量分数为2.5%时达到最小,随后有所上升。微掺杂时,毛细管力起主导作用,少量掺杂时,液相中的扩散起主导作用,两者都促进了固相反应。过量掺杂时,玻璃相阻碍晶粒生长,各项异性场增大,导致Bs下降、Hc和铁磁共振线宽(ΔH)增大。添加CZB的LiZn铁氧体在910℃时具有较好的磁性能,可兼容低温共烧技术应用于移相器的设计。     

H_3BO_3掺杂对Co_2Z基磁介天线基板材料影响研究

为研制适用于915 MHz RFID天线小型化应用需要的磁介基板材料,采用固相反应烧结法研究了H3BO3掺杂对(Ba0.5Sr0.5)3Co2Fe24O41铁氧体微观形貌和磁介性能的影响。通过研究发现,H3BO3掺杂能很好地促进Co2Z铁氧体的低温烧结成相。同时,H3BO3掺杂也有利于抑制Co2Z铁氧体晶粒生长。随着H3BO3掺杂量的增多,材料体系的磁导率持续下降,而介电常数先上升后下降。当掺杂H3BO3的质量分数为4%,材料体系在915MHz时可获得磁导率为2.45,介电常数为10.41,磁损耗正切为0.057,介电损耗正切为0.005的综合磁介性能。