Co~(2+)替代对NiCuZn铁氧体电磁性能的影响

采用固相反应法制备了低温烧结NiCuZn铁氧体,研究了Co2+替代量对铁氧体材料显微结构、饱和磁感应强度、矫顽力以及在偏置磁场下磁导率和品质因数的影响。研究表明,对于低磁导率的NiCuZn铁氧体,适量Co2+替代可对铁氧体负的磁晶各向异性常数进行补偿,能在一定程度上提升材料的磁导率。在大直流偏置场的作用下,铁氧体的磁导率都出现明显的下降,而矫顽力是决定其增量磁导率的主要因素。     

NiZn系软磁铁氧体材料的种类及应用

NiZn系软磁铁氧体是尖晶石铁氧体材料中的一个重要分支.NiZn系铁氧体材料以其电阻率高、烧结工艺简单、高频性能好等特点而获得广泛应用.本文简要介绍了当前应用前景较好的几类NiZn铁氧体材料及其应用,包括抗EMI系列铁氧体材料、射频宽带NiZn铁氧体材料、功率型NiZn系铁氧体材料和低温烧结NiCuZn铁氧体材料等,同时展望了各自的发展前景.     

用于MHz频段的镍锌功率铁氧体损耗特性

制备了缺铁、正分、过铁配方的镍锌功率铁氧体材料,分析了其损耗频率特性、损耗温度特性.发现在0.5MHz以下该材料的损耗机理主要是磁滞损耗,在0.5MHz以上主要是磁滞后效损耗.当铁含量改变时NiZn铁氧体具有不同的最低损耗温度,一般而言正分配方具有最高的最低损耗温度,缺铁配方次之,过铁配方具有最低的最低损耗温度.     

MoO3掺杂对高磁导率NiCuZn铁氧体性能的影响

为获得具有高磁导率、高居里温度的NiCuZn铁氧体材料,研究了MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体微观结构及电磁性能的影响.少量MoO3掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高,而居里温度仅有较小幅值的下降.但掺杂过量时,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加.在配方(Ni0.28Cu0.1Zn0.62)Fe2.04O4中,当MoO3掺杂为0.12wt%时,可获得起始磁导率为2650,而居里温度高达到105℃的铁氧体材料.     

H_3BO_3掺杂对Co_2Z基磁介天线基板材料影响研究

为研制适用于915 MHz RFID天线小型化应用需要的磁介基板材料,采用固相反应烧结法研究了H3BO3掺杂对(Ba0.5Sr0.5)3Co2Fe24O41铁氧体微观形貌和磁介性能的影响。通过研究发现,H3BO3掺杂能很好地促进Co2Z铁氧体的低温烧结成相。同时,H3BO3掺杂也有利于抑制Co2Z铁氧体晶粒生长。随着H3BO3掺杂量的增多,材料体系的磁导率持续下降,而介电常数先上升后下降。当掺杂H3BO3的质量分数为4%,材料体系在915MHz时可获得磁导率为2.45,介电常数为10.41,磁损耗正切为0.057,介电损耗正切为0.005的综合磁介性能。     

低温烧结BIT掺杂NiCoZn铁氧体及高频EMI抑制性能研究

高频高Q的NiCoZn铁氧体可作为关键材料应用于EMI(electromagnetic Interference)滤波器,但高烧结温度限制了其与目前主流的LTCC(low temperature Co-fired ceramic)无源集成技术的结合。本文制备了一系列低温烧结(900℃)的Bi4Ti3O12(BIT)掺杂NiCoZn铁氧体,分析了掺杂量变化对关键性能的影响,并与高温烧结(1100℃)的未掺杂NiCoZn铁氧体进行了对比。其中,6%(质量分数)BIT掺杂的铁氧体可以在大幅降低烧结温度的同时得到和高温烧结铁氧体相近的磁导率。进一步,研究了两类铁氧体制作的滤波器的高频EMI抑制性能,发现两种滤波器都能在2~40 MHz的频带内表现出优异的噪声抑制性能。在部分频段,BIT掺杂铁氧体作差模电感的滤波器对差模噪声抑制能力更强,在结合LTCC集成技术开发高性能EMI器件方面表现出很好的潜力。     

LTCC宽频圆极化环形微带贴片天线研究

设计了一种低温共烧陶瓷( LTCC)宽频带圆极化环形微带贴片天线.该天线采用环形辐射贴片结构,在环形内部利用L型匹配支节连接以拓展带宽.通过使用威尔金森功分器加移相器对辐射贴片馈电,使耦合馈电端口的正交电场相位差90.来实现微带天线的圆极化.该天线设计剖面厚度仅2.4 mm.仿真结果显示该天线工作于1.268 GHz时,实现阻抗带宽超过80 MHz,天线的轴比小于1.5 dB且增益达到4.9 dB.实测结果与仿真结果相近.     

全谱拟合法和分峰法计算CaO-B2O3-SiO2玻璃陶瓷晶相的含量

CaO-B2O3-SiO2玻璃陶瓷中各晶相的组成及含量对其性能有重要影响。为定量分析玻璃陶瓷中的晶相含量,利用全谱拟合法分析玻璃陶瓷中β-CaSiO3、SiO2、CaB2O4晶相的相对质量比;利用分峰法计算出玻璃陶瓷的结晶度,从而得到玻璃陶瓷中各晶相的含量。与内标法计算结果比较,该方法得到的结晶度偏差为1.21%,晶相绝对含量的最大偏差为3.52%。该方法不需要内标,简便易行,可用于定量分析含有晶相和玻璃相的复合材料,为其实验提供理论分析的依据。     

Effects of CuO、MoO3 and WO3 dopping on magnetic properties of NiZn ferrites

研究了CuO、MoO3和WO3掺杂对NiZn铁氧体电磁性能的影响.研究表明,适量的CuO掺杂能提高材料烧结密度并降低磁晶各向异性常数,从而提高材料的起始磁导率,但居里温度也有一定程度的下降.当主配方中CuO含量(摩尔分数)为4%时能最好的兼顾材料高磁导率和高居里温度的要求.而MoO3和WO3掺杂则均能引起晶界附近阳离子空位增多,从而加速晶界移动,促进晶粒尺寸增大,进而提高材料的起始磁导率.同时,由于W离子具有较强的占据铁氧体A位替代Fe3 的趋势,需要更大的掺杂量才能达到磁导率的峰值,其居里温度和饱和磁感应强度也低于相应MoO3掺杂的材料.     

薄膜电感器的研究与应用

目前IT系统向高集成度、高频宽带化方向发展,要求在更小的基片上集成更多的元器件,这除了依靠高密度集成技术的发展外,从器件本身出发,研制小型化、薄膜化的器件,以减小系统的整体体积、重量,才能达到降低功率损耗、提高信号传输效率的要求.本文主要介绍为满足上述要求,作为三大无源器件之一的电感器的薄膜化进程,以及目前薄膜电感器的应用情况及发展前景展望.