碳化硅纳米晶须生长和显微结构

采用两步生长生在碳化硅纳米晶须，首先是二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，再与碳纳米管先驱体反应生成β－ＳｉＣ纳米晶须，其直径为３～３５ｎｍ，长度为２～２０μｍ，用高分辨透射电镜研究晶须形貌，显微结构，讨论了碳化硅纳米晶须生长机制。     

金属基底上定向碳纳米管阵列的生长及其场发射性质

在金属基底上,以铁为催化剂,硅做过镀层,乙烯为源气体,通过普通的化学气相沉积方法生长出垂直基底排列的碳纳米管(CNT)阵列.扫描电子显微镜和透射电镜观察表明,生长的CNT具有阵列形貌和多缺陷的结构.对CNT阵列的场发射性质进行了测量,在10 μA/cm2时不锈钢和镍基底上的开启电场分别为1.25 V/μm 和1.57 V/μm.     

采用碳纳米管制备的碳化硅纳米晶须研究

本文报道了采用两步生长法生成碳化硅（SiC）纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅,然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须．其直径为3～40nm,长度为2～20μm．通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段,对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究．其直径为3～40nm,长度为2～20μm．并具有峰值位于430nm的蓝光发射带,本文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行了讨论．     

关于相对论增强因子S′(Z)的研究和讨论

在研究穆斯堡尔同质异能移时,需要知道相对论的核内电子浓度。1984年D.A.Shirley引入了相对论增强因子S′(Z),假定它是一个只依赖于核电荷Z的量,这样,当计算核内电子浓度时,可以首先利用HartreeFock方程,然后将所求的非相对论核内电子浓度乘上这个因子S′(Z)。获得相对论的核内电子浓度,进而用于同质异能移的研究中。 本文通过解相对论Dirac-Fock-Slater方程,直接得到相对论的核内电子浓度,并以穆斯堡尔原子~(73)Ge、     

定向硅纳米线阵列的场发射性质的研究及改进

本文测量了垂直基底方向生长的硅纳米线阵列的场发射性质,并研究了引入金对其场发射性质的影响.引入金后,硅纳米线阵列在10 μA/cm2时的开启电场从4.7 V/μm降到了2.3 V/μm,并且根据Fowler-Nordheim曲线斜率的变化,估算出纳米线阵列的功函数从3.6 eV降到了2.2 eV.     

气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/Si薄膜的结晶取向的影响

用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Ｓｉ（１００）片上制备了一系列的ＣｅＯ２膜。Ｘ射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的ＣｅＯ２膜为（１１１）取向,在较高的氧压了生长的膜则为（１００）取向。研究表明,ＣｅＯ２膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用。讨论了氧压对ＣｅＯ２薄膜结晶取向影响的可能机理。     

碳纳米管／UHMWPE复合材料的研究

利用化学气相沉积法合成高纯碳纳米管。用少量的碳纳米管就能改善UHMWPE的抗冲击、抗静电及导电性能。此复合材料可望用于同时需要耐磨、抗冲击、耐腐蚀的场合下使用的电子器件与电磁屏蔽材料等。     

纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒拉曼光谱研究

报道了用纳米碳管模板法制备的GaP纳米棒的拉曼光谱特征，观测到声子限制效应引起的GaP纳米棒TO和LO模的红移，红移量一般在2－10cm^-1之间，与所测到的纳米棒的尺寸有关，在偏振特性研究中，发现GaP纳米棒的偏振特性不能用单根纳米棒的选择定则来解释，而与测量光斑内多根纳米棒的无序取向有关，无序程度越高，偏振特性的方向性越弱，当激发光功率增加时，GaP纳米棒的TO和LO模的频率显著减少，表明纳米棒中的激光加热效应比体材料中强很多，而且GaP纳米棒的拉曼散射强度随激发光功率的增加先饱和，然后减小，表明在强激发功率下GaP纳米棒中的缺陷会迅速增加。     

碳纳米管冷阴极超高真空鞍场规的电场模拟与实验研究

在静电鞍场规的基础上研制了一种碳纳米管(CNT)冷阴极鞍场规(SFG).这种冷阴极鞍场规具有电极尺寸小,吸放气率低,热效应低,功耗低的特点.本文首先计算了碳纳米管冷阴极鞍场规的电场分布,计算结果表明,二极型碳纳米管电子枪的引出栅极的正电位在低于100 V的情况下对环形阳极鞍场规的轴向电位分布影响很少;并且在现有条件下对规管参数进行了测试,实验测定的规管对空气的灵敏度是1.05 Pa-1,规管功耗由热阴极规的0.9瓦减小到7毫瓦.     

SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱

报道了用光谱的手段研究 Si C纳米棒 (NR)的结果 .对于在实验中观察到 L O模的大幅度红移及新出现的喇曼峰 ,认为在类似 Si C NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中 ,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要 .理论计算证实了这一点 ,并解释了实验观察到的异常现象