掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论.     

用于细胞及组织培养的低强度LED生物光源

研制出可用于细胞及组织培养的低强度发光二极管光源。介绍了此光源的光路原理和简要结构，测试了该光源的辐射照度及其强度分布，使用统计分析软件SPSS拟合得到该光源的辐射照度经验公式。     

InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究

研究表明，In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0．7eV改变到3．4eV，使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系．研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子（2MeV）照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和CaInP有更高的电阻，因此，给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力．实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征，该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释．该缺陷能用In1-xGaxN合金的Fermi能级的稳态能描述．     

高激发密度下ZnSe-ZnS/CaF_2超晶格的自由激子发光及光学非线性

在 77 K下用N_2激光器的 337.1nm脉冲激光线作为激发源,研究了高激发密度下ZnSe-ZnS/CaF_2超晶格的自由激子发光特性及激子的光学非线性.对于该超晶格体系,首次观察到激子-激子散射发光,激子饱和吸收及光学双稳现象.并根据激子态的填充效应很好地解释了实验中观察到的随激发光强增加出现激子发光和吸收的蓝移现象.     

掺杂GaN的湿法刻蚀研究

对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结,回顾了不同的湿法刻蚀技术,包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀。从掺杂GaN的生长过程、表面化学组分和光电性质出发,深入地分析了湿法刻蚀的特性,对比了不同刻蚀方法的原理和效果。考虑到p-GaN的表面氧化层比较厚,接触电阻较大,能带向下弯曲不能进行光增强湿法刻蚀,重点阐述了p-GaN的传统湿法刻蚀和n-GaN的紫外光增强湿法刻蚀技术。与传统化学刻蚀相比,光增强湿法刻蚀具有更为广阔的前景。结合GaN基半导体器件的制作,对湿法刻蚀的主要应用进行了较为详细的归纳。目前,湿法刻蚀和干法刻蚀可以有效结合。将来湿法刻蚀有希望代替干法刻蚀。     

激光美容仪温度探测报警系统研究

利用激光在皮肤中的传导及应用红外传感器探测皮肤温度的原理 ,设计激光美容手术温度控制模型 ,控制激光手术安全。本系统具有提高激光手术的安全性能 ,推广激光治疗的作用     

LED产业应用领域专利竞争格局分析

研究了LED产业应用领域专利的竞争格局和发展趋势,分析了全球、中国和广东省LED应用领域专利技术发展态势、技术关注点,归纳了龙头企业的专利发展态势、研究热点及布局情况。     

LED产业MOCVD设备专利信息分析

通过世界专利索引数据库（DWPI）对MOCVD设备专利进行全面检索,然后进行人工标引,剔除不相关专利,经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选,对AIXTRON的喷淋头结构技术和VECOO公司的MOCVD托盘技术专利进行分析和预警.在“七国两组织”专利数据库与综合专利检索分析系统中,检索出中国的MOCVD设备申请专利,将国内申请和来华申请专利的关键技术点进行比对分析.通过核心技术分析和预警、关键技术点比对分析为中国在这些技术领域做出专利部署或技术研发,制定出适合LED产业MOCVD设备自主知识产权发展战略和政策提供一定的参考和依据.     

GaN半导体材料的电学性质与光学性质分析

用局部旋转密度近似的方法研究GaN材料的电学性质与光学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其原子浓度为1.56%.这种材料用孤立和部分填充的中间带表征,是高效太阳电池的候选材料.对中间带的轨道成分进行分析表明,中间带主要由跃迁金属的t-群轨道构成.吸收系数的理论计算结果表明,半导体材料的次带吸收会导致太阳能转换效率的增加.     

调制掺杂同型结对HB—LED工作电压的影响

根据电化学C－V测量AIGalnP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N^ －N与P^ －P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED 工作电压的另一大因素,并提出了进一步降低LED工作电压的有效措施。