应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD 外延生长模式

应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程．优化调整反应参数实现了优质外延。     

LP—MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析

本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征,首次提出了在高温（700℃左右）下生长InGaAlP外延层时,抑制In组分脱吸附的“动压力模型”,解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响。     

LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流量的动力学研究

分析了LP-MOCVD生长InGaAlP外延层时,气路系统中ⅢA族源气的输运和扩散过程,从理论上推导出源气流量的计算公式,讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响,为精确控制气相中ⅢA族源物质的百分含量提供了理论依据。     

LED可见光通信的全球专利申请与重点技术分析

LED可见光通信作为一种新型的高速无线通信方式,其技术正在全球范围内迅速发展。本文通过检索全球LED可见光通信专利数据,进行专利申请态势和技术两方面的分析,了解全球专利的申请趋势、申请国家、申请人及技术分布;以日本中川研究所为重点分析单位,深度分析其专利申请态势及重点技术;并对中国该技术目前所处的优劣境况进行客观分析,提出了可行性建议。     

基于正交实验法的高亮度大功率LED仿真设计

采用正交实验法分析反射碗和透镜两部件的各个因素对LED发光强度分布的影响,并仿真设计出优化参数后的高强度、窄光束大功率LED.这一设计方法对LED的一次光学系统设计具有一定的指导意义,并有助于提高大功率LED光学系统设计的效率,降低LED封装的试验成本.     

LED 封装领域专利技术分析及预警研究

通过分析LED封装领域专利技术现状、研究热点、重点技术及我国LED封装领域专利技术存在的问题,归纳了对中国LED封装领域形成专利壁垒的核心技术专利,并对封装领域核心技术进行深度分析及预警。     

LED原材料专利信息分析与研究

采用＂七国两组织＂中文专利数据库,检索1985年1月1日到2010年12月31日期间的LED原材料相关的中国专利文献,建立LED原材料中国专利数据库。了解该技术在国内外的发展历史及最新研究进展,通过分析该技术专利的申请总量趋势、主要专利拥有者的分布、IPC分类号分布等,从而为LED原材料技术的进一步开发及完善提供参考和依据。     

β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究

采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV(直接)和0.373eV(间接)。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。     

在透明CaF2衬底上生长的ZnSe—ZnS应变超晶格的光学性质

利用常压ＭＯＣＶＤ系统在透明衬底ＣａＦ２上生长了ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格，研究了低密度激发下该结构在不同温度下的光学性质，对光谱中出现的多个发光体进行了分析。     

在透明CaF_2衬底上生长的ZnSe－ZnS应变超晶格的光学性质

利用常压ＭＯＣＶＤ系统在透明衬底ＣａＦ＿２上生长了ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格。研究了低密度激发下该结构在不同温度下的光学性质，对光谱中出现的多个发光体进行了分析。