AlGaInN四元系氮化物分离研究

氮基四元Ⅲ-Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件.可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小,得到在与衬底晶格匹配的情况下不同的材料禁带宽度,但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长.所以应用价力场模型(VFF)研究它的热动力稳定性,得出了AlGaInN不稳定的二相区间,并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系.希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用.     

量子级联激光器噪声特性的电路模拟

对文献报道的量子级联激光器的速率方程组进行简化,并引入Langevin噪声源,在单模与线性增益的情况下对速率方程进行了小信号处理,在此基础上构建了激光器的小信号电路模型,spice仿真结果表明激光器的噪声频谱的3-dB截止频率随光功率增加而增加,而噪声强度则随光功率增加而减少,当光功率很大时,它们都趋向于饱和值,得到的...     

图形衬底上MOCVD生长光学性质改进的GaN

An improved GaN film with low dislocation density was grown on a C-face patterned sapphire substrate （PSS） by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD）. The vapor phase epitaxy starts from the regions with no etched pits and then spreads laterally to form a continuous GaN film. The properties of the GaN film have been investigated by double crystal X-ray diffraction （DCXRD）, atomic force microscopy （AFM） and photoluminescence （PL）, respectively. The full-width at half-maximum （FWHM） of the X-ray diffraction curves （XRCs） for the GaN film grown on PSS in the （0002） plane and the （1012） plane are as low as 312.80 arcsec and 298.08 acrsec, respectively. The root mean square （RMS） of the GaN film grown on PSS is 0.233 nm and the intensity of the PL peak is comparatively strong.     

ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构光致发光研究

本文研究了ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构在77K时自由激子的光致发光的线型随激发光密度、势阱涨落、势垒高度的涨落及各层厚对超晶格发光峰E_(?)的影响,并利用Kronig-Penney模型计算了n=1的激子峰值能量与势阱宽度、势垒高度涨落的关系.首次从实验上分析了77-250K温度范围内ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格激子发光的线型与各参量的密切关系.     

功率型LED热阻测量的新方法

LED照明成为21世纪最引人注目的新技术领域之一，而功率型LED优异的散热特性和光学特性更能适应普通照明领域的需要。提出了一种电学法测量功率LED热阻的新方法，根据LED正向电压随温度变化的原理，利用电流表、电压表等常用工具，测量了TO封装功率型LED器件的热阻，对功率型LED的器件设计和应用提供有力支持。     

温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.     

改进实用型LED生物光源系列

通过采用平面LED点阵、半球曲面内LED点阵、半球曲面与菲涅耳透镜结合这三种光学设计,本文研制出具有不同光强和光照均匀差别的三种实用型LED生物光源,研究了每个光源中的四个工作参数对其辐射照度的影响,并使用统计分析软件SPSS拟合得出它们的辐射照度经验计算公式.     

In1-xGa x N／Si异质结太阳能电池的光伏特性研究

通过器件模拟对n—In1-x Gax N／p—Si异质结的光伏特性进行了研究，并与c—Si同质结薄膜电池的性能作了比较。在AM1．5的光照条件下，n—IGN／p—Si异质结在最佳的电池设计、最佳的材料和最佳的操作参数条件下获得的电池效率达到了27％。电池效率受到薄膜质量的强烈影响，从电子亲和势、多数载流子的迁移率、少数载流子的寿命、薄膜厚度以及掺杂水平的变化可以得到说明。     

基于LED应用的分布布拉格反射器研究进展

从材料体系、结构设计和降低串电阻方法等方面系统阐述了分布布拉格反射器（DBR）在发光二极管（LED）器件中的发展情况,并对分布DBR的发展提出了几点研究意见。     

Li、N共掺杂实现P型ZnO的机理探讨

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法计算了本征ZnO、N掺杂、Li掺杂以及Li、N共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度和差分电荷分布。计算结果表明:N掺杂的受主能级局域性较强,导致N溶解度较低,Li替位原子受主能级较浅,但是会受到Li间隙原子的补偿。Li、N共同掺入时,NO-LiZn复合受主结构并不是ZnO的主要P型来源,NO受主可以与间隙原子Lii形成NO-Lii结构,该结构可促进N的掺入,并抑制Lii施主的补偿效应,因而对实现ZnO的P型非常有利。