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61.
An experimental study of the optical phonons is presented for InAlN epilayers lattice-matched with GaN by means of Raman scattering,and theoretical simulations are done to investigate the zone-center optical phonons of InAlN alloy by using the modified random element isodisplacement(MREI)model.The calculated findings show that the LO and TO branches of InAlN crystal both exhibit nonlinear properties.A comparison is made between the theoretical results and the experimental data,and it shows that they are both consistent for the A 1 (LO)phonons of InAlN epilayers. 相似文献
62.
研究表明,In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0.7eV改变到3.4eV,使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系.研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子(2MeV)照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和GaInP有更高的电阻,因此,给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力.实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征,该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释.该缺陷能用In1-xGaxN合金的Fermi能级的稳态能描述. 相似文献
63.
64.
65.
缓冲层用于改善硅基氮化镓外延薄膜质量 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了GaN材料的基本特性及重要意义,讨论了在Si衬底上外延GaN的可取之处以及存在的主要问题.详细阐述了各种不同材料以及不同结构的缓冲层应用于MOCVD方法在Si衬底上外延GaN,及其所取得的最新成果.对缓冲层降低应力的机制进行了说明. 相似文献
66.
67.
68.
荧光粉受激发产生的白光LED照明光源存在显色指数较低的问题.对此提出一种利用光谱拟合反演高显指目标光谱的方法,针对已知白光LED计算提高该光源所需补充的单色光LED种类及光谱系数.利用光谱拟合方法分析添加不同波段的光谱对白光LED显指和色温的影响.并通过拟合反演的方法进行补光设计,使用一到两种单色光LED,将冷白光源和中性白光源的显指分别提高至92.3和96.8.实验结果表明,使用红光与蓝绿光、低波长绿光LED补光后,大幅度提高了荧光粉受激发产生的白光LED光源的显色性. 相似文献
69.
70.
采用高温高压法制备了铜/金刚石复合材料.通过正交实验法研究了复合材料中金刚石粒度的不同尺寸和对应的体积比、铜和金刚石的体积比及保压保温时间等各种因素对复合材料热导率的影响.结果表明:铜和金刚石的体积比因素对热导率的影响最大,而金刚石不同粒度的体积比影响最小.获得了基于提高复合材料热导率的最佳制备工艺条件是,配料中金刚石粒度尺寸为75μm和250 μm,金刚石大小粒度的配料体积比为1∶4,铜和金刚石的配料体积比为7∶3和保压保温时间为2h,该工艺条件下制备的复合材料热导率为238.18 W/(m·K). 相似文献