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In this paper,we discuss the interfacial strain in high mismatch (4.7%) ZnSe1-xSx-ZnSe SLS by elastic strain theory and angle positive of satellite peaks in X-ray diffraction pattern. We obtain the calculating formula on SLS' structural parameters.In SLS structure the lattice parameter a", parallel to the substrate plane, is different from the lattice constant of the substrate or the buffer layer. A compressive strain (e"Zns) is introduced in ZnSe layer, while a tensile strain(e"Zns) acts in ZnS layer. On the other hand, the lattice parameters normal to the wafer surface a1 and a2 are related to a". From the X-ray measurment of (400) diffraction we can get the SLS' period D and "zero-order diffraction" angle θ0, then solve every parameter including Lz, LB X, a", a1, a2, etc. 相似文献
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研制了一种基于ITO/PEDOT/P—PPV/MEH—PPV/PFO/Ba/Al的多层结构器件,实现MEH—PPV发光峰的窄化和红移。该器件使MEH—PPV发射峰的半高宽(FWHM)由纯MEH—PPV单层的91nm减小到32nm,发光峰相对于MEH—PPV单层的582nm红移了20nm,相应的色坐标(CIE1931)由单层的(0.56,0.33)变为(0.62,0.38)。这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应。 相似文献
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介绍半导体外延片霍尔效应测试的理论和方法,利用霍尔效应测试可以更好地研究半导体材料电学性能,在外延片的研制过程中测试外延层的载流子浓度,利用范德堡法测试电阻率以及载流子迁移率等参数。 相似文献
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95.
用Na2O-Li2O-Al2O3-B2O3-SiO2硼硅酸盐体系的低熔点玻璃作为基质玻璃,采用两步熔融法制备了Ce∶YAG荧光玻璃.利用SEM,EDS和荧光光谱仪对样品进行了显微结构和光学性能分析.实验结果表明:样品由玻璃基质和Ce∶YAG晶粒组成,晶粒均匀地分散在硼硅酸盐玻璃基质中;样品在340和460 nm处有两个激发峰,发射光谱在533 nm处有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射.Ce∶ YAG荧光玻璃是一种可用于白光LED的新型荧光材料. 相似文献
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本文采用制备透明陶瓷用的高纯铝酸镁(MgAl2O4)粉体,掺杂市售黄色荧光粉作为原料,经过热压或热压结合热等静压的烧结方法制备出荧光透明陶瓷.对所得的铝酸镁荧光透明陶瓷样品进行了XRD分析,未发现样品中除铝酸镁和荧光粉以外的其他相;将荧光粉进行高温煅烧,测试了所用荧光粉煅烧前后及不同荧光粉掺杂浓度的荧光透明陶瓷的激发光谱和发射光谱,相应激发光谱的峰值位置未发生改变,荧光透明陶瓷可以很好地被蓝光激发出黄光.测试了用荧光透明陶瓷封装的白光LED的部分光电参数,并在350mA的驱动电流下,进行了老化对比实验,采用荧光透明陶瓷封装的白光LED器件的光衰明显小于采用硅胶和荧光粉封装的白光LED器件的光衰. 相似文献
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98.
利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al_(0.4)Ga_(0.5)In_(0.1)N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。 相似文献
99.
100.