MOCVD生长MgS薄膜

我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．     

高失配度ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格的界面应力和结构参数(英文)

In this paper,we discuss the interfacial strain in high mismatch (4.7%) ZnSe1-xSx-ZnSe SLS by elastic strain theory and angle positive of satellite peaks in X-ray diffraction pattern. We obtain the calculating formula on SLS' structural parameters.In SLS structure the lattice parameter a", parallel to the substrate plane, is different from the lattice constant of the substrate or the buffer layer. A compressive strain (e"Zns) is introduced in ZnSe layer, while a tensile strain(e"Zns) acts in ZnS layer. On the other hand, the lattice parameters normal to the wafer surface a1 and a2 are related to a". From the X-ray measurment of (400) diffraction we can get the SLS' period D and "zero-order diffraction" angle θ0, then solve every parameter including Lz, LB X, a", a1, a2, etc.     

MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化

研制了一种基于ITO／PEDOT／P—PPV／MEH—PPV／PFO／Ba／Al的多层结构器件，实现MEH—PPV发光峰的窄化和红移。该器件使MEH—PPV发射峰的半高宽（FWHM）由纯MEH—PPV单层的91nm减小到32nm，发光峰相对于MEH—PPV单层的582nm红移了20nm，相应的色坐标（CIE1931）由单层的（0．56，0．33）变为（0．62，0．38）。这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应。     

基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试

介绍半导体外延片霍尔效应测试的理论和方法,利用霍尔效应测试可以更好地研究半导体材料电学性能,在外延片的研制过程中测试外延层的载流子浓度,利用范德堡法测试电阻率以及载流子迁移率等参数。     

MOCVD AlGaInP LED 外延片源气开关程序的研究

详细分析了MOCVD AIGalnPLED外延片中V族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序，它有利于生长宽带隙夹层、突变异质结果面的AIGalnPLED外延片。     

Ce∶YAG荧光玻璃的制备与光学性能

用Na2O-Li2O-Al2O3-B2O3-SiO2硼硅酸盐体系的低熔点玻璃作为基质玻璃,采用两步熔融法制备了Ce∶YAG荧光玻璃.利用SEM,EDS和荧光光谱仪对样品进行了显微结构和光学性能分析.实验结果表明:样品由玻璃基质和Ce∶YAG晶粒组成,晶粒均匀地分散在硼硅酸盐玻璃基质中;样品在340和460 nm处有两个激发峰,发射光谱在533 nm处有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射.Ce∶ YAG荧光玻璃是一种可用于白光LED的新型荧光材料.     

白光LED用MgAl2O4荧光透明陶瓷的制备及性能

本文采用制备透明陶瓷用的高纯铝酸镁(MgAl2O4)粉体,掺杂市售黄色荧光粉作为原料,经过热压或热压结合热等静压的烧结方法制备出荧光透明陶瓷.对所得的铝酸镁荧光透明陶瓷样品进行了XRD分析,未发现样品中除铝酸镁和荧光粉以外的其他相;将荧光粉进行高温煅烧,测试了所用荧光粉煅烧前后及不同荧光粉掺杂浓度的荧光透明陶瓷的激发光谱和发射光谱,相应激发光谱的峰值位置未发生改变,荧光透明陶瓷可以很好地被蓝光激发出黄光.测试了用荧光透明陶瓷封装的白光LED的部分光电参数,并在350mA的驱动电流下,进行了老化对比实验,采用荧光透明陶瓷封装的白光LED器件的光衰明显小于采用硅胶和荧光粉封装的白光LED器件的光衰.     

ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别

本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能被大大抑制.这种鉴别 ZnSe-ZnS超晶格质量的方法,比看激子峰半高宽可以更灵敏地了解超晶格的质量.     

LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究

根据已经发表的有关文献实验数据 ,针对InGaAlP发光材料的LP -MOCVD生长 ,给出了描述In组分偏离的经验表达式 ,可应用于InGaAlP双异质结生长中In组分的控制     

一种计算异质结价带与导带阶跃的简便方法

利用带隙经验公式、LCAO方法以及韦加定律，提出了一种计算AlGaInP异质结价带与导带阶跃的方法。该方法具有简便、精确和实用的特点。