碲锌镉晶片双面磨抛加工表面损伤层研究

介绍了碲锌镉晶片双面磨抛机的工艺过程和原理,研究了双面磨抛工艺中磨抛液粒度、抛光压力、抛光液流量和工作台转速对晶片表面损伤层深度的影响.     

157 nm光刻技术的进展

概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决。最后讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力。     

用于曙光设备的扫描工作台技术

步进扫描曙光设备产生的抗蚀图像质量取决于晶片台掩模后的同步性能，光学系统的质量。要获得高生产效率和０．２５μｍ以下的分辨率能力，需要精心设计的工作台工程技术。     

液晶显示技术初露锋芒

本文简述了液晶显示技术的发展及其用途,介绍了国外的投资趋势和生产技术的发展,并展望了未来的液晶显示器市场前景,提出了加快我国液晶显示技术的几点建议。     

超高压汞灯功率控制研究

介绍了一种光刻机超高压汞灯电源,采用模拟功率反馈控制,有效提高了光源稳定性;重点阐述了恒功率控制的原理和主要电路结构。     

国外光学分步曝光技术的新进展

本文从光源波长、照明系统和工艺控制方面介绍了国外光学分步曝光技术的最新进展。着重叙述了世界几大著名光刻设备公司在其研究领域的设计更新和实施效果，展望了光学分步曝光技术在甚大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制造中的潜力。     

微电子封装中芯片焊接技术及其设备的发展

概述了微电子封装中引线键合、载带自动键合、倒装芯片焊料焊凸键合、倒装芯片微型焊凸键合等芯片焊接技术及其设备的发展 ,同时报告了世界著名封装设备制造公司芯片焊接设备的现状及发展趋势。     

下代光刻设备的再次选择

１引言一年半以前,国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实,各种技术均具有７０ｎｍ以下特征尺寸的作图能力。然而,根据下代光刻...     

采用方形照明提高分辨率和焦深

:随着光学光刻技术向更小特征尺寸加工推进 ,必然要重视提高分辨率的方法。通过强、弱离轴方法的照明变形技术正引起极大的关注。特别是研究x、y定向的特征尺寸 ,照明分布形状可不一定是圆形的。介绍了采用直角特性的照明形状可提高成像质量。讨论了方形照明的用途 ,并确定了它与光学邻近校正 (OPC)、像差及其它成像因素的关系。     

监控对准采用的补偿对准测量法

补偿对准测量方法 (CALM )是视觉测量水平向、垂直向、旋转偏差及倍率误差等步进机对准可校正因素的一种新技术。CALM技术是根据已曝光在抗蚀剂中的线条间隙图形在显影之前 ,通过准确偏移光栅 1/2间距再次曝光 ,然后完全除去已曝光部分的原理建立的。采用这一原理已制作了直观显示可校正因素的试验片。CALM读数与盒中盒 (BB)测量比较的测算 3σ值精度为 0 0 3 μm。CALM读数与BB测量之间的线性度保持在± 0 13 μm误对准范围。采用此技术允许更频繁地进行基线校正。