1200V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究

搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究,分析了SiC MOSFET的主要优缺点。分析结果表明,SiC MOSFET在高温条件下依然拥有稳定的阻断能力;在同样的工作条件下,SiC MOSFET损耗更小,适合在高频率、大功率场合下使用;SiC MOSFET的跨导低,导通电阻大,所以门极驱动电压需要比较大的摆幅(-5/+20 V);由于开关速度很快,SiC MOSFET对线路杂散参数更加敏感。     

基于遗传算法的SiC MOSFET导通电阻模型

提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系。并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响。为了验证模型的准确性,采用一款自主封装的1 200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性,并与传统导通电阻建模方案进行对比,其最大误差为4.1%。     

南网同走廊多回线路现状研究

对同走廊线路,若同一断面多回线路同时发生故障跳闸,将对整个电网的稳定运行造成极大的影响。本文对架空输电线路常见隐患进行了统计分类,针对不同风险隐患类型给出了同走廊多回线路的定义,利用三维GIS数据库和现场调研等方式,对南方电网500kV及以上交直流输电线路同走廊现状进行了研究分析,为风险管控和运行维护提供基础数据。     

670t/h电站锅炉烟气余热回收工程应用及经济性分析

为解决某200MW火力发电厂锅炉排烟温度偏高的问题,采用新型卧式相变换热器技术对烟气余热进行回收利用。给出了卧式相变换热器烟气余热回收技术方案以及设计时需要注意的细节问题。工程实施后,对机组和卧式相变换热器开展了性能验收试验,试验结果表明,该烟气余热回收系统投运后,锅炉排烟温度降低34℃,增加烟气阻力350Pa,降低标准煤耗近1.6g/(kW·h),年节约水量38170t     

Linux防火墙在中小型企业的应用

阐述了Iptables防火墙的原理以及Netfilter架构,详细论述了基于中小型企业的特殊条件下,构建网络防火墙的思想和步骤。具体规划网络拓扑结构,通过NAT技术屏蔽子网,完成高效性价比防火墙的设计,并给出相关脚本。     

在VxWorks上开发战车虚拟仪表图形系统

为了在嵌入式实时操作系统VxWorks上实现战车虚拟仪表图形系统，在提高战车虚拟仪表图形系统代码可复用性和软件可维护性方面给出了基于设计模式的系统结构设计，并研究了在VxWorks的媒体库WindML上实现图形系统的技术难点问题．     

基于EXB841的IGBT驱动保护电路的设计

分析了IGBT驱动保护模块EXB841的工作原理,设计了三相三线制的无功功率发生器主电路IGBT模块驱动信号的预处理电路和保护电路,通过对电路及其参数在静止型无功发生器中进行的实验调试研究,结果证明电路设计的正确和可行。     

铁素体轧制关键技术与机制研究现状

摘要：铁素体轧制是控制精轧过程在铁素体范围内的板带热轧工艺,与传统的“热轧-冷轧-退火”工艺相比,可以实现“以热代冷”,显著节约成本。然而对于一些短流程生产工序,粗轧和精轧之间的高冷速会影响产品的尺寸和组织均匀性,尤其是两相区较宽的低碳钢,更难实现全铁素体区精轧。总结了板带铁素体轧制的相关研究工作,结合各企业铁素体轧制工艺的特点,提出了铁素体轧制工艺参数及组织性能控制目标。围绕铁素体轧制技术应用的几个关键问题展开分析讨论,重点讨论了两相区变形的软化机制及对织构的影响机制,为今后铁素体轧制关键技术的开发提供理论指导。     

基于ABM器件的SiC MOSFET建模研究

针对不同温度下SiC MOSFET模型精度不足的问题,提出一种基于模拟行为模型(ABM)器件建立SiC MOSFET模型的方法.分别对整体模型的沟道电流、导通电阻和栅漏电容部分进行改进,引入了阈值电压和跨导系数的温度调节函数,考虑了温度和栅源电压对导通电阻的影响,提出了无开关栅漏电容,建立了满足连续温度仿真的SiC M...     

基于二维码的现场计量器具标识管理／打印系统

1．目前国内计量器具证书标识没有防伪码识别技术．计量器具检测目视化管理大都通过加贴法定计量技术机构出具的证书或手写标签实现．容易造成标识规范不一和便于不法分子造假等诸多问题．同时也给市场计量器具信息的采集和统计带来不便。数据反复收集无形中增加了工作强度和重复性．并造成数据丢失或数据不完整等后果。