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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
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电脑病毒入侵实时报警技术及实现 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用电脑病毒的共性和DOS系统功能的特点,提出了一种病毒入侵实时检测方法,并给出了程序实例。克服了以往检测方法的不足。 相似文献
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