磁场对脉冲离子源镀膜均匀性的影响

介绍了在各种磁场作用下利用脉冲真空电弧离子源镀膜的实验现象和实验结果,在此基础上,主要分析了磁场对脉冲真空电弧离子源镀膜均匀性的影响。     

江汉石油管理局举办可靠性技术学习班

<正> 按中国石油天然气总公司装备部的要求,江汉石油管理局自8月15日起举办为期15天的石油机械系统可靠性技术学习班,邀请上海工业大学讲师讲授系统可靠性分析与设计、可     

硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究

掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明:MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数.     

脉冲电弧沉积类金刚石薄膜的厚度建模

从理论和实验出发,分析脉冲电弧源的放电机理,讨论了脉冲电弧源发散特性,得到影响膜厚空间分布的主要因素,建立膜厚空间分布和主要因素之间的数学模型,结果表明和实验数据吻合.     

硅基材料的各向异性刻蚀工艺研究

穿透硅通孔技术是实现3-D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用SF6和CF4、SF6和C4F8、SF6和O2三组不同组合气体,对硅基材料进行交替复合深刻蚀,获得了不同组合气体对硅的横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率,实现了对硅的各项异性刻蚀,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。     

Si材刻蚀速率的工艺研究

在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能.介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻蚀气体、射频功率和气体流量等工艺参数对Si刻蚀结果的影响,包括刻蚀速率、刻蚀轮廓垂直度和刻蚀表面粗糙度等.通过研究,获得了Si材刻蚀效果与各种工艺参数之间的变化关系,得到了快速刻蚀Si材的较好的工艺参数.     

磁控溅射工艺参数对钛钨合金膜电阻温度特性的影响

采用直流磁控溅射方法在载玻片上制备钛钨合金热敏感薄膜,测试了所制备的钛钨合金热敏薄膜在不同温度下的方块电阻,并根据测试曲线计算薄膜的电阻温度系数(TCR)。研究了工作气压、氩气流量以及溅射电流对钛钨合金膜TCR的影响,获得了最佳沉积工艺参数,即:溅射电流0.32A,工作气压0.8Pa,氩气流量60cm3/min。在此参数下制备的钛钨合金膜TCR为0.2%/K。测试结果也表明钛钨合金膜的时间稳定性好。     

锆钛酸铅薄膜腐蚀研究

通过对腐蚀溶液的优化,获得了一种刻蚀效果良好的锆钛酸铅(PZT)薄膜的腐蚀溶液配方。文中所采用的PZT薄膜是通过溶胶?蛳凝胶(sol?蛳gel)法获得的,在研究腐蚀溶液组分、温度以及浓度对腐蚀速率影响的基础上,成功获得了PZT薄膜微图形化的湿法腐蚀工艺。通过实验研究,获得了横向和纵向腐蚀速率随温度和浓度变化曲线,侧蚀比（横比纵）小于1:1.07,且图形表面无残留物。     

脉冲真空电弧离子镀沉积速率的研究

薄膜沉积速率是影响薄膜性能的重要参数,研究它对于沉积优良的类金刚石薄膜具有重要的作用.针对脉冲真空电弧离子镀的具体工艺参数,研究了各种工艺参数对类金刚石薄膜沉积速率的影响,找出了影响类金刚石薄膜沉积速率的主要参数,得到了各种工艺参数下类金刚石薄膜沉积速率的曲线.     

基于微纳结构的光学诱饵仿真设计研究

传统的光学诱饵构成复杂，装载要求较高，为此设计了具有较高反射性能的简单微结构的光学诱饵。首先，通过TracePro光学仿真软件，对玻璃微珠结构、截角角锥结构和立方角锥结构三种不同结构进行反射率的仿真，筛选出最符合光学诱饵高反射率要求的结构。然后，通过对不同尺寸单元微结构的反射仿真，确定光学诱饵的单元微结构尺寸。最后，通过对入射角度偏转对反射率影响的仿真，验证反射结构是否满足光学诱饵的要求。结果表明，立方角锥反射结构更符合光学诱饵的设计要求。