包覆法添加烧结助剂制备A12O3/SiCp复相陶瓷

通过包覆的方法将烧结助剂Y2 O3均匀地加入到陶瓷粉体中 ,用无压烧结制备Al2 O3-SiCp 复相陶瓷材料。在Al2 O3 SiC混合粉体上覆一层Y (OH) 3后 ,素坯结构均匀 ,且有利于提高素坯致密性。在较佳条件下 ,材料的相对密度和强度分别达到96 8%和 364MPa。     

大面积SiC纳米线网的合成及形成机理

利用气相化学反应法,在相对低的温度下,于自制石墨反应室中合成出二维半导体β-SiC纳米线网.该方法使用球磨及研磨混合后的Si和SiO2混合粉体及C3H6气体为原材料,通过调整基片与原料混合粉在石墨反应室的摆放位置、C3H6通入流量和时间、保温时间及其它工艺参数,可获得二维半导体β-SiC纳米线网.场发射扫描电镜、能量损失谱、X-Ray衍射、高分辨透射电镜结果表明纳米线彼此相连形成二维纳米线网,并且纳米线的直径大约在20 nm～70nm左右.值得注意的是绝大多数纳米线网的连接点是由3根纳米线交汇而成.纳米线是具有立方结构的β-SiC,其生长方向是〈111〉,并且存在大量面缺陷.最后对这种新型二维SiC纳米线网的形成机理进行了探讨.     

硫酸铜/二硫化四甲基秋兰姆配位交联丁腈橡胶硫化胶的弱化Mullins效应

采用硫酸铜/二硫化四甲基秋兰姆(TMTD)配位交联制备了丁腈橡胶(NBR)硫化胶,对不同TMTD用量下混炼胶的硫化特性和硫化胶的力学性能及压缩模式下的弱化Mullins效应进行了研究.结果表明,二价铜离子和TMTD通过协同作用生成的[Cu(SnCNMe2)]·2+络合物与氰基配位交联形成了三维网络结构.随着TMTD用量...     

含萃取剂修饰的纳米硫化铅有机流体的制备与表征

用溶剂萃取沉淀法直接在有机溶剂中合成了含萃取剂Cyanex 301修饰的PbS纳米粒子的有机流体,用IR、UV、TEM和XRD等表征了粒子的结构与形貌.结果表明,所合成的粒子由Cyanex 301修饰层和PbS纳米粒子构成,萃取剂和PbS粒子之间存在S→PbS的键合作用,表面修饰层的存在有效地阻止了纳米粒子的团聚,平均粒径20 nm.纳米粒子在汽油中的负载量可达10 g.L-1以上.     

SiC纳米晶须的制备及TEM观察

以ＳｉＯ２纳米粉和自制的树脂热解炭作原料，采用双重加热这一新技术在较低的合成温度下、较短的合成时间内制备了直径在１０～３０ｎｍ范围内、长径比在３０～１００之间、产率达８０％的ＳｉＣ纳米晶须，并用透射电子显微镜对ＳｉＣ纳米晶须的显微形貌进行了观察研究，分析了合成温度和时间对ＳｉＣ纳米晶须显微形貌的影响关系。     

热蚀刻技术在复相陶瓷显微结构研究中的应用

热蚀刻技术是制备陶瓷材料ＳＥＭ样品的一种新方法，通过对ＴＺＰ系复相陶瓷和Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣｎａｎｏ纳米复相陶瓷的系统实验，总结了最佳热蚀刻条件。结果表明：合适的热蚀刻条件可以清晰显示晶界和“内晶型”结构中晶内纳米相的分布，是一种方便实用的陶瓷材料ＳＥＭ样品的制备方法。     

包覆型均分散纳米粒子Y_2O_3/ZrO_2的制备

以硫酸锆为前驱物,尿素作为沉淀剂,通过溶胶凝胶法制得了均分散纳米粒子碱式碳酸锆（Ｚｒ ＨＢＣ）,将所得纳米粒子Ｚｒ ＨＢＣ悬浮在稀硝酸钇溶液中,以尿素为沉淀剂制得了碱式碳酸钇（Ｙ ＨＢＣ）包覆Ｚｒ ＨＢＣ（Ｙ ＨＢＣ／Ｚｒ ＨＢＣ）复合粒子,详细探索了诸多因素（起始ｐＨ值、陈化方式、温度等）对形成以上两种粒子的影响,复合粒子Ｙ ＨＢＣ／Ｚｒ ＨＢＣ经煅烧后得Ｙ２Ｏ３／ＺｒＯ３粒子。以上各种粒子经ＴＥＭ观察和红外光谱分析证实。Ｙ２Ｏ３／ＺｒＯ２包覆粒子表面组成经ＸＰＳ分析确证。     

溶胶-凝胶法微波合成AlN纳米微粉的研究

以铝的无机盐和酚醛树脂作原料,采用溶胶－凝胶工艺在微波炉中以较低的温度和极短的时间合成了粒度在５～８０ｎｍ范围内的ＡｌＮ纳米微粉,其纯度达到质量分数为９８％以上。     

Y2O3作助烧剂的Al2O3/SiCp陶瓷断裂行为的SEM研究

纳米复相陶瓷被认为是二十世纪最有发展前途的陶瓷材料之一。在陶瓷基体中弥散亚微米级的第二相颗粒,可使材料的机械性能大幅提高。显微观察发现了区别于微米级复合陶瓷的“内晶型”粒子的存在,这意味着纳米复合陶瓷性能的改善与其特殊的微观结构是密切相关的。其中Al2O3/SiCp是研究最多的系统,但由于弥散相SiC为共价键,很难烧结,因而Al2O3/SiCp纳米复相陶瓷一般用热压烧结[1—5]。但由于热压烧结成本昂贵,制品形状简单,极大地限制了其实用性。本文利用非均匀成核法,将Y(OH)3包覆到纳米SiC的粒子表面制备出Al2O3-SiC复合粉,等静压成…