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Cadmium sulfide (CdS) buffer layers with the scale of 10 cm×10 cm are deposited by chemical bath deposition (CBD) with different temperatures and thiourea concentrations under low ammonia condition. There are obvious hexagonal phases and cubic phases in CdS thin films under the conditions of low temperature and high thiourea concentration. The main reason is that the heterogeneous reaction is dominant for homogeneous reaction. At low temperature, CdS thin films with good uniformity and high transmittance are deposited by adjusting the thiourea concentration, and there is almost no precipitation in reaction solution. In addition, the low temperature is desired in assembly line. The transmittance and the band gap of CdS thin films are above 80% and about 2.4 eV, respectively. These films are suitable for the buffer layers of large-scale Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells. 相似文献
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提出了一个基于级联多模布拉格光栅和新型的高精细度滤波器的可调谐双波长窄线宽掺铒光纤激光器的结构。环形滤波器由两个耦合器和一段经过泵浦的掺铒光纤组成,由于掺铒光纤产生增益,滤波器产生高精细度的频率响应,能够滤掉掺铒光纤激光器的不需要的纵模,从而起到窄化激光器线宽的作用。实验过程中,由多模光栅的选频特性产生六种窄线宽双波长的组合,激光器的线宽由不加滤波器的0.14~0.16 nm 被压窄窄化到0.05 nm。 相似文献
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采用三步共蒸发工艺在玻璃衬底上制备CIGS薄膜, 研究沉积预制层的衬底温度对CIGS薄膜 结构特性的影响。薄膜的厚度、组份、晶相结构、表观形貌和电学特性分别由台阶仪、X射 线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和霍耳效应测量仪来表征。沉积 预制层的衬底温度 较低(如300℃)时,预制层中Ga含 量较低,容易形成In2Se3相;而衬底温度较高(如400℃) 时,预制层中Ga含量较高,容易形成(In,Ga)2Se3相;原因是Ga2Se3的形成焓(-462.4kJ/mol)比In2Se3的(-360kJ/mol)低,没有In2Se3稳定;In2Se3相比Ga2S e3相更容易稳定存在,尤其是在低温下;当温度较高 时,Ga2Se3相也容易存在,与In2Se3一起形成(In,Ga)2Se3固溶体。而且,衬 底温度较高(如400℃)时,沉积 的CIGS薄膜中的Ga含量比其它两种衬底温度下沉积的薄膜都高,薄膜粗糙度较小,迁移率和 载流子浓度都比较大,电阻率较小。 相似文献
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报道了CdS薄膜的CBD法沉积及其结构特性,其中的水浴溶液包括硫脲、乙酸镉、乙酸铵和氨水溶液.研究了水浴溶液的pH值、温度、各反应物溶液的浓度和滴定硫脲与倾倒硫脲等基本工艺参数对CdS薄膜结构特性的影响.其中,溶液的pH值对CdS薄膜的特性起着关键的作用.XRD图显示了随着溶液pH值的变化,薄膜的晶相由六方相向立方相转变.CdS薄膜的这两种晶相对CIGS薄膜太阳电池性能的影响不相同.c-CdS(立方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度分别为1.419%和8.507×1012cm-2,而h-CdS(六方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度则分别为32.297%和2.792×1012cm-2.高效CIGS薄膜太阳电池需要的是立方相CdS薄膜. 相似文献
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金属预置层后硒化法制备的CuInSe2薄膜结构特性研究 总被引:3,自引:1,他引:2
CulnSe2(简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料。利用连续溅射金属层后硒化法制备CulnSe2薄膜。薄膜的XRD图样显示:CulnSe2薄膜的形成与制备条件密切相关;在较大Cu、In原子比的范围内,在一定的硒化条件下,都可以形成以CulnSe2为基体的薄膜。SEM图样显示,不同Cu/In比值的表面形貌有较大的不同。Cu/In接近1时,薄膜的表面形貌均质且颗粒致密。Raman谱图显示,Cu、In配比不当会使薄膜中出现少量的杂相组织,在632.8nm激发波波长下。还有210cmll和229cmll两处的特征峰。通过光吸收测量得到CulnSe2的带隙是1.05eV,通过电导率测量得到其激活能为0.486eV。 相似文献
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效率为12.1%的Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池 总被引:3,自引:3,他引:3
利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并采用Mo/CIGS/CdS/ZnO结构为基础做出转换效率超过10%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到12.1%(测试条件为:AM1.5,Global 1000W/m^2)。通过与国际最高水平的CIGS太阳电池各参数的比较,分析了我们所制备的CIGS太阳电池在工艺和物理方面存在的问题。 相似文献
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就目前国内燃用煤泥锅炉的煤泥输送、上料、给料系统作了介绍,特别对循环流化床锅炉燃用浓煤泥的输送系统作了进一步的技术经济分析。 相似文献
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