LB法制备的P(VDF TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究

运用郎缪尔布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯(P(VDFTrFE))共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为（110）.运用波长范围为300~1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行了表征;运用Cauchy模型对不同角度（θ=75°和85°）测得的Ψ 和 Δ数据进行了拟合.获得了P(VDFTrFE)薄膜的光学参数n, k, α以及薄膜的厚度.另外对薄膜的铁电性质的测量,其剩余极化达到了6.3μC/cm2, 矫顽电场为100MV/cm.介电测量得到了薄膜两个明显的相变,铁电介电相变以及β弛豫.     

CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究

用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．     

溅射时氧分压对LaNiO3-x薄膜性能的影响

在较低的衬底温度(260 0C)和不同氧分压下,采用射频溅射在(111)Si衬底上制备出了具有(100)择优取向的 LaNiO3薄膜. SEM分析表明薄膜具有光滑连续的表面和均匀的晶粒尺寸. I-V特性表明薄膜均具有金属导电性,且随着氧分压的增加,电阻率逐步降低并达到一个稳定值 10Ω@μ m.实验结果同时表明,随着氧含量的增加,Ni、 La含量比单调增大,并且当溅射气氛中的氧气分压在 20%～30%范围时,Ni、 La含量比为 1:1而且比较稳定.当氧气分压为30%时,薄膜的晶面间距达到最小值.制备 LaNiO3薄膜的最佳氧气分压应该控制在 30%左右.     

Hg_(1-x)Cd_xTe反型层子能带结构的实验研究

本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结构,包括基态子能带能量E_o、费密能级E_F,子能带电子有效质量m~*(E_F)、m~*(E_o)、反型层平均厚度Z_i、耗尽层厚度Z_d,以及它们随子能带电子浓度N_s的变化。     

原位退火对磁控溅射制备的ZnS薄膜微结构和发光性能的影响

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300～500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大,但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰,...     

HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。     

现代红外物理学的几个新进展

现代红外物理学的几个新进展褚君浩（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）红外物理学主要研究红外辐射的产生、传输、接收及其与凝聚态物质相互作用的规律。本世纪八十年代以来，红外物理获得了蓬勃的发展，成为当代红外光电子技术及...     

锰掺杂对PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜电学性能的影响

采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT)。PMZT薄膜具有优良的铁电性。在外加电场下观察到了非对称剩余极化翻转行为。这种剩余极化的翻转不对称随着锰掺杂浓度的增加而变大,从而表明极化过程中产生的内建偏压电场是由Mn的掺杂引起的。当薄膜厚度保持不变时候,PMZT薄膜的剩余极化(Pr)和平均矫顽电场(Ec)随着锰掺杂浓度的增大而减小。在低频下,PMZT薄膜的介电常数随着锰的掺杂浓度的增加而减小。瞬时电流随着时间的呈指数衰减,最后到达饱和的稳态值。样品的漏电流密度随着电压的增加而近似地线性增加,显示出欧姆特性。在相同电压下,漏电流密度随着Mn掺杂浓度的增加而增加。     

室温CdZnTe核辐射探测器研究进展

简述了CdZnTe材料与探测器的发展、国内外的研究现状及其广泛应用,分析了存在的问题和解决方法,同时介绍了本单位CdZnTe探测器的研发情况,包括探测器的制备工艺及性能测试与分析.制备出了性能优良的阵列像素(3×3)探测器,其57Co 122 keV光谱能量分辨率为23.7%(28.9 keV FWHM),137Cs 662 kev光谱分辨率为17.9%(117.8 keV FWHM).