掺砷碲镉汞的研究进展

掺砷碲镉汞是一科用于制作p-on-n器件和实现高性能碲镉汞探测器及多色红外焦平面阵列的关键材料。对掺砷碲镉汞的相关文献进行了归纳分析。砷渺活效率与退火条件及砷的浓度直接相关。对于掺砷浓度在10^16-10^18cm-3范围内的碲镉汞,通过300℃／16h和240℃／4sh两步退火可将样品前表面激活为P型材料,但汞空位的浓度相对于背面较高。样品背面靠近衬底处可能存在AsT和AsHg缺陷。     

单级式光伏逆变研究与MPPT方法

提出和研究正弦波周期稳幅条件下基于电荷流积均衡（ICF）的零DC—DC变换的并网型逆变机制和方法．旨在减少电能交换环节和次数,以提高电路逆变效率。还提出流积平衡下基于MPP偏置电压Vm的交换比,分析了这种方法的逆变工作过程,得出约束交换比的计算方法。阐述了正弦单周期逆变调制的光伏环境条件,研究由启动和调节环节构成的无DC-DC变换的MPPT逆变方法,分析建立了功率电压法（DPDVM）的MPPT逆变控制策略及MPP转移调节算法流程。电路实验表明,这些方法和算法下逆变电路可取得很高的效率。     

Co-Ag颗粒膜的磁光克尔效应

采用离子束溅射法制备了Ｃｏ－Ａｇ颗粒膜,并分别在１００℃、２５０℃、４００℃、５００℃下进行了退火。利用磁光克尔谱仪、椭圆偏振光谱仪对样品的光学常数、复介电函数、磁光克尔参数在室温下进行了测量。对于Ｃｏ２０Ａｇ８０系列样品,随着退火温度的升高磁光克尔旋转角θｋ增大,且在Ａｇ的等离子振荡边附近出现了大的增强峰,峰的位置随退火温度的升高出现红移。通过理论计算分析,这种克尔效应的增强是Ａｇ等离子振荡边作     

PMNT薄膜可见-红外光学性质的研究

通过对不同组分的铌镁钛酸铅(PMNT)薄膜的紫外-可见透射光谱以及红外椭圆偏振光谱的分析,利用Tauc-Lorentz(T-L) Cauchy色散关系和经典中红外色散关系,得到了该材料在可见和中红外区的光学常数,发现在可见和中红外区,薄膜的折射率随着PT(PbTiO3)含量的增加而增大,但是薄膜的光学禁带宽度随之而减小.     

HgCdTe反型层电子子能带物理

<正> 本文在4.2K下测定了p-HgCdTe MIS结构样品的量子电容谱,表面磁阻振荡,表面回旋共振以及表面电子自旋共振,确定了HgCdTe反型层电子子能带结构,包括能级位置、费米能级、有效质量、反型层耗尽层厚度等,并推导了由于自旋轨道相互作用而引起的电致自旋分裂子能带的色散关系和朗道能级扇形图,还研究了朗道能级以及自旋能级间的光跃迁问题。     

传统艾灸与替代物灸和人体穴位红外辐射光谱比较

对传统艾灸、替代物灸和人体穴位红外辐射光谱的分析比较发现，隔附子饼灸、隔姜灸和隔蒜灸三种传统间接灸与人体穴位归一化红外辐射光谱有惊人的一致性，其辐射峰均在7。5μm附近；而几种替代物灸与相应传统艾灸和人体穴位的辐射光谱相差甚远，其温热作用也远不如传统艾灸；传统艾条黄灸与人体穴位红外辐射光谱也有很大差异。结果提示，在传统间接灸的治疗效应中，间接灸和穴位的红外共振辐射起重要作用；从艾灸的红外物理特性看，替代物灸尚不能替代传统艾灸。     

同时旋转起偏器和检偏器的红外椭圆偏振光谱仪研制

研制成测量材料光学特性的红外椭圆偏振光谱仪，其测量波长范围为２．５～１２．５μｍ，入射角度在２０°～９０°连续可变．系统数据采集、前放自动增益控制、入射角度和波长设置及扫描均由计算机自动控制．给出了金反射率和ＧａＡｓ体材料折射率椭偏测量，并与其它方法进行了对比，并分析了实验测量技巧和主要实验误差     

低温背景限红外探测器

根据简并理论分析了光导红外探测器的噪声机制和背景辐射对探测器的探测率Ｄ的影响,从而提出了全新低温背景限探测率红外探测器结构,其Ｄ值有较大地提高。     

Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响

在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.     

简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)

本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77～300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。