磁控溅射制备不同组分La-Ni-O薄膜的研究

采用组合靶,利用射频磁控溅射在260℃的(111)Si片上面制备了不同Ni、La含量比的La Ni O薄膜。测试分析结果表明,在La含量较高时,薄膜为无定型结构,并且具有较大的电阻率。当Ni和La含量比>1∶1.44后,薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构,同时具有金属导电特性。随着La过量的减少,晶面间距和面电阻都减小的很快,在Ni和La比例达到1∶1时,电阻率达到了最小值6.4Ω·μm,晶面间距也达到最小值0.389nm。随着Ni过量的增加,晶面间距和面电阻又逐步增大。在Ni过量较多时导致了NiO相和LNO(110)取向的出现。在晶面间距相同时,相对于La,Ni含量的过剩对薄膜导电性能具有较大的影响。文中对实验现象从LaNiO3薄膜的导电机理出发给出了比较合理的解释。     

红外探测器件的发展

红外辐射探测器已有一百多年的发展史，近代发展尤为迅速．1）红外探测器分做热敏和光电两大门类热敏型探测器有经典的温差热电偶和气动的高雷管属，此外还有热敏电阻．热敏电阻可以用金属、超导体、半导体、金属氧化物半导体、铁电半导体等固体材料制成．其中用氧化铝等陶瓷器件性能稳定，价格低廉；碳和半导体锗、硅及超导测辐射热计的探测率高，响应速度快，但只能在深低温下工作．利用三甘氨酸硫酸盐等铁电晶体的宏观自发极化现象制成的热释电红外探测器室温工作，又有较高的探测率和响应速度，使用很广．光电器件有所谓"外光电"和"内光…     

全反射氧化锗空芯光纤弹性弯曲半径的计算与验证

金属的塑性形变特性使金属毛细管空芯光纤在激 光传输过程中容易产生不可逆塑性形变,依据金属 管材的弹塑性弯曲理论和液相沉积金属毛细管氧化锗(GeO₂)空芯光纤的工艺要求, 本文对铍铜和不锈钢毛细管GeO₂全反射空芯光纤的弹性弯曲半径进行了计算并通过实验验证。结果表明,铍铜和不锈钢 空芯光纤的最小弹性弯曲半径的计算值与实验值相吻合。     

自支撑P(VDF-TrFE)红外探测器

本文中制备了具有自支撑绝热结构的Al/P(VDF/TrFE)/NiCr红外探测器单元,其中NiCr半透明膜作为探测器的上电极和吸收层。实验结果表明：P(VDF/TrFE)薄膜具有很好的铁电性和热释电性,其铁电剩余极化强度和热释电系数分别为7.1 μC/cm2 和27 μC/m2K;探测器单元在500 K温度下的电压响应率和探测率分别为4436 V/W和3.3×108 cmHz1/2W-1;通过对电压响应率随频率变化的实验数据进行拟合,得到探测器单位面积的热导和吸收率分别为2.6×10-3 W/cm2K 和0.1;利用P(VDF-TrFE)探测器单元可对目标物体实现热成像。     

窄禁带半导体的光电跃迁效应

光电跃迁效应是窄禁带半导体红外探测器的基本物理过程。本文主要论述窄禁带半导体碲镉汞的带间光吸收跃迁的理论和实验。文中阐述了带间光吸收效应的基本规律的发现及其科学意义,介绍了这些规律在碲镉汞红外探测器材料器件设计中的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用。     

BaTiO_3薄膜的磁控溅射生长及特性研究

用射频磁控溅射方法制备了 Ba Ti O3 (BT)薄膜。用扫描电镜 (SEM)观察了 Ba Ti O3 薄膜表面形貌、截面结构。电子探针分析表明样品具有良好的组份均匀性。介电特性研究表明材料同样具有较好的微结构     

（Hg,Cd）Te薄膜的LPE生长条件与纵向组分分布

根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相色延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温国速度及过度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）液相外延薄膜纵向组分分布的影响。     

P－型HgCdTe MIS结构反型层激发态子能带结构研究

本文在４．２Ｋ下获得了Ｐ－型ＨｇＣｄＴｅ反型层有两个子能带被占据时的电容谱．基于多个子带被占据的非量子限情形，提出了一个实验模型．用该模型对实验结果进行了拟合，获得了反型层基态及激发态子能带结构，包括基态子能带能量、第一激发态子能带能量、费米能级、耗尽层厚度、反型层平均厚度以及它们随反型层电子浓度的变化关系．     

非抛物型能带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度

本文利用Kane的非抛物型能带模型及费密-狄拉克统计推得Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度公式为n_i=(1 3.25KT/Eg)9.56(10~(14))E_g~(3/2)T~(3/2) [1 1.9E_g~(3/4)exp(Eg/2kT)]~(-1), 该式适用于x=0.17～0.37,T≤300K范围,式中Eg(eV)=-0.295 1.87x-0.28x~2 (6-14x 3x~2)(10~(-4))T 0.35x~4。本文还测量了不同组份Hg_(1-x)CdxTe样品(x=0.19～0.251)在77K～300K温度范围的本征载流子浓度。将上述公式的计算结果与本文实验结果及其他作者实验结果相比较表明,该式在x=0.19～0.29,T=77～300K范围与实验符合很好。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应分布研究

研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导.将两束激光会聚成直径约250μm的光斑,使两光斑恰位于光导型地Hg_(1-x)Cd_xTe样品前表面的同一点上,测量了样品光电导响应分布和相应光生载流子寿命分布.实验表明,稳态光电导响应分布的均匀性大大低于光生载流子寿命分布的均匀性,并对结果进行了讨论.