基于G-SA-SVM的快速血管化鉴别方法

生物材料的显微高光谱成像分析技术是生物光谱学研究的前沿.烧伤、深度创伤病人治疗过程中,需要确定移植于患者创面的真皮替代物有没有进入正常的血管化进程,这是评价填充修复材料优劣的关键,也是患者创面恢复的重要指标.提出并实现了一种基于G-SA-SVM的快速血管化鉴别方法.该方法以显微高光谱成像技术为基础,首先对采集的高光谱数据进行光谱维和空间维的空白校正处理,然后对数据进行特征自适应性Gamma校正,最后利用模拟退火优化参数的支持向量机算法(SA-SVM)进行识别处理,有效定位红细胞,进而快速定位血管.实验结果表明,本文提出的G-SA-SVM算法误判率更低,识别精度更高,可以用于微血管新生的评价和鉴定.     

Hg_(0.656)Cd_(0.344)Te本征吸收光谱和Kane模型

本文描述在80K到300K温度范围,利用PE580B型红外分光光度计测量厚度为6.5μm的Hg_(0.656)Cd_(0.344)Te薄样品的本征吸收光谱。测得最高吸收系数达10~4cm~(-1)。由吸收曲线确定了该样品在不同温度下的禁带宽度以及吸收边所符合的规律,与参考文献[3]的经验公式一致。本文还利用Kane模型计算了吸收系数的理论曲线,取动量矩阵元P=8×10~(-8)eV-cm,重空穴有效质量m_(hh)=0.55m_0时,理论曲线与实验曲线符合较好。但Kane理论不能解释吸收边。根据指数吸收边可以推测,在导带底存在一个指数型带尾。     

全氧化镓薄膜同质p-n结（英文）

制备p-n结以及探索其物理机制在发展各种功能器件和推进其实际应用中起到关键作用.超宽禁带半导体在制备高压高频器件上有着巨大的潜力,但是氧化镓p型掺杂困难限制了氧化镓同质p-n结的制备,进而阻碍了全氧化镓基双极型器件的发展.本文通过一种先进的相转变生长技术结合溅射镀膜的方法,成功制备了n型锡掺杂β相氧化镓/p型氮掺杂β相氧化镓薄膜.本工作成功制作了全氧化镓单边突变同质p-n结二极管,并且详细分析了器件机理.该二极管实现了4×10⁴的整流比、在40 V下9.18 mΩcm²的低导通电阻、4.41 V的内建电势和1.78的理想因子,并在交流电压下表现出没有过冲的整流特性以及长期稳定性.本工作为氧化镓同质p-n结初窥门径,为氧化镓同质双极型器件奠定了基础,为高压高功率器件的应用开创了道路.     

半导体材料的光致发光

光致发光是一种能够对半导体材料进行无损测量的光谱测定方法[1].由于它对样品的要求比较低、实验的装置也比较简单,因而在近些年来得到了广泛的运用,尤其是对于一些新材料的光学性质的研究[2,3,4,5].红外焦平面阵列(IRFPA)探测器技术在现代国防和空间等领域有着十分重要的地位,研究高质量的红外材料是其中的关键性问题.其中包括HgCdTe的薄膜[6,7]以及HgTe-CdTe的超晶格材料[8,9],它们被广泛应用于3到12μm红外探测器和其它光电器件的制造中.因此对HgCdTe质量的检测显得非常重要,红外探测器的响应率直接和它的吸收系数相关,吸收谱又和材料的光致发光谱有着联系.光致发光是一种无损测量,可以应用于晶体的检测.可以通过对吸收系数的研究来对光致发光谱进行研究,并且和实验结果进行对照,对光致发光谱中的峰进行讨论.     

本征α—Si：H中隙态的时间常数及俘获截面

制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体结构；用高精度密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容，电导谱，通过修正获得了由隙态决定的电导并求得了隙态俘获电子的时间常数及截面。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应分布研究

研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导.将两束激光会聚成直径约250μm的光斑,使两光斑恰位于光导型地Hg_(1-x)Cd_xTe样品前表面的同一点上,测量了样品光电导响应分布和相应光生载流子寿命分布.实验表明,稳态光电导响应分布的均匀性大大低于光生载流子寿命分布的均匀性,并对结果进行了讨论.     

朗缪尔铁电聚合物薄膜的电学特性:高热释电系数和低介电常数

研究了利用朗缪尔技术(LB)生长在柔性基底上的聚偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))薄膜的电学性质.通过测量相对介电常数和热释电系数,发现薄膜在室温1kHz时的优值因子达到1.4 Pa~(-1/2).这表明利用LB技术生长的P(VDF-TrFE)薄膜是热释电探测器的优良候选材料.优值因子的提高可能来源于LB薄膜的良好结晶性和分子链在平面内的高度有序性.     

FTO玻璃衬底上锆钛酸铅多层膜的微结构与光学特性

应用化学溶液沉积法,在涂布氟掺杂SnO2的玻璃衬底上制备了具有16个周期的PbZr0.4Ti0.6O3多层膜,并对其微结构与光学性能进行了研究.测试表明,玻璃基底上的PbZr0.4Ti0.6O3多层膜具有均匀、平整、致密和无裂纹的表面形貌,呈现出由致密层和多孔疏松层交替排列构成的层状结构,且具有单一钙钛矿相.在350～900nm的波长范围内,反射光谱曲线上存在一个中心波长位于450nm、带宽约为41nm、峰值反射率超过91%的高反射率带;与反射光谱相对应,在相同频段的透射光谱曲线上出现了一个与反射带等宽、中心波长位于450nm的透射谷,谷的最小透过率小于6%.这项研究进展对拓展铁电多层膜的应用范围将有积极作用.     

磁有序CoH2SeO4薄片中的室温铁电性(英文)

本文通过第一性原理计算和实验表征证明了二维CoH₂SeO₄薄膜的磁有序和滑移铁电性.首先,实验结果证实了粉末CoH₂SeO₄样品的反铁磁序.同时,第一性原理计算表明单层CoH₂SeO₄具有反铁磁(AFM-I)基态(T_N≈75 K),且预测了二维CoH₂SeO₄薄膜具有以不对称的三重势阱态为特征的滑移铁电性,并在实验中测得了180°压电滞回线、可反转铁电畴和二次谐波信号.此外,在基于二维CoH₂SeO₄薄膜的电容器中获得铁电材料所特有的电滞回线和蝴蝶状的电容曲线.介电温谱测试表明二维CoH₂SeO₄薄膜的铁电转变温度约为370 K.CoH₂SeO₄中滑移铁电性和反铁磁性的出现为获得低维多铁材料指出了一条新的途径.