HgCdTe共振缺陷态的电容谱研究

提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10~(16)～4×10~(17)cm~(-3)的P型HgCdTe MIS样品的C-V曲线.对浓度约10~(17)cm~(-3)的强P型Hg_0.79Cd_0.21Te体材料样品,在C-V曲线上耗尽区和反型层交界的偏压区域观察到一个附加峰,该峰起源于导带底以上45meV的一个共振缺陷态,分析表明是氧占据Hg空位的杂质缺陷态.     

非均匀介质的光学常数

提出了一种计算非均匀介质光学常数的新方法,该方法仔细地考虑了光在非均匀介质中的吸收和散射.研究了非均匀介质层的厚度、介质中颗粒粒径、衬底反射性能等对介质光学常数的影响.这种研究将有利于同有关的测量实验结合和比较.     

CdTe-HgCdTe界面的电导机制

本文研究了ＣｄＴｅ和ｎ型、ｐ型Ｈｇ０．５３Ｃｄ０．４７Ｔｅ界面的电学特性．ｎ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构强反型区开始处的电导峰是表面处禁带态辅助的间接隧穿引起的；而ｐ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构的强反型区电导出现两个振荡峰，是体陷阱辅助的价带电子到表面反型层二维子带的隧穿引起的，而耗尽区的电导峰则为界面态产生复合．指出ｐ型和ｎ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构隧穿电导的差别是：ｐ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构隧穿对表面处的禁带态不敏感．并用电导法研究ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ界面态在禁带中的分布，求得了界面态的时间常数和俘获截面     

Hg1—xCdxTe的远红外透射光谱与晶格振动

采用傅里叶变换红外光谱仪，在４．２～３００Ｋ、２０～３５０ｃｍ－１范围测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的远红外透射光谱，研究了剩余射线吸收带两侧样品的吸收行为．除了单声子及双声子模外，还观察到杂质能级和由杂质导致的振动模     

Highfield effects of layered perovskite ferroelectric thin films

Ｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ,ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｎｄｔｈｅｉｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｈａｖｅｂｅｃｏｍｅｏｎｅｏｆｔｈｅｐｏｐｕｌａｒｒｅｓｅａｒｃｈｆｉｅｌｄｓｉｎｃｏｎｄｅｎｓｅｄｐｈｙｓｉｃｓａｎｄｓｏｌｉｄｓｔａｔｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ[1,2].Ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙｔｈｅｒｉｓｅｏｆｐｈｙｓｉｃｓｏｆｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｎｄｉｔｓａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｆｏｒｓｏｌｉｄｓｔａｔｅｆｕｎｃｔｉｏｎｄｅｖｉｃｅｓｈａｖｅｐｕｓｈｅｄｔｈｅｒｅｓ…     

单靶磁控溅射制备铜铟硒和铜铟锌硒薄膜及其结构、光学性质研究

采用单靶磁控溅射法制备了铜铟硒(CIS)和铜铟锌硒(CIZS)薄膜。XRD表征发现CIZS-300出现了与其它薄膜不同的择优取向, 分析认为贫铜的状态和适宜温度可能促使薄膜择优取向从(112)向(220)转化; 拉曼光谱在171 cm^-1处出现的较强峰, 和206 cm^-1处出现的较弱峰, 分别为A₁和B₂振动模式, 而Zn的掺入导致A₁拉曼峰的宽化和蓝移; Zn的掺入使Cu含量改变进而使CIZS禁带宽度增大, 这是由于Se的p轨道和Cu的d轨道杂化引起的; SEM测试结果表明CIZS薄膜表面比CIS表面更为紧密、平滑。     

化学沉积法低温生长锰钴镍薄膜结晶性及红外椭偏光谱研究

使用化学沉积方法,在600℃温度下,成功制备锰钴镍(MnxCoyNi3-x-y)O4(MCN)薄膜.传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050~1200℃,与这一温度相比,本文的方法使合成温度降低了许多.随着退火后处理温度从600℃升高到900℃,MCN薄膜的晶粒尺寸大小从20nm增大到50nm.同时还利用红外椭偏光谱测量获得MCN薄膜的介电常数和吸收系数.     

光纤偏振模色散的测量

介绍了时域法与频域法的几种偏振模色散(PMD)的测量方法，其中包括了一种新的测量方法——调制相移法。分别介绍了它们测量原理，并对各种方法进行了比较，概括了各种方法的优缺点。     

碲镉系导带电子回旋共振线形分析

用远红外激光磁光光谱实验系统测量了Ｎ型碲镉汞的导带电子回旋共振，记录了远红外激光入射下的高分辨回旋共振线形．计算表明，这些线形的特征及其与一些物理量的关系可用经典的Ｄｒｕｄｅ－模型很好地描述．此外，还用理论与实验拟合的方法获得了载流子弛豫时间τ，并与由弱场低频下迁移率得出的弛豫时间τ作了比较，对两者差别的理论问题作了讨论．