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201.
用PLD方法在铂金硅衬底制作了高质量的SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜样品.在10到300K的低温范围,研究了SBT薄膜的电子输运特性,分析了其传导机制.结果显示在SBT铁电薄膜中存在两种导电机制.根据SBT层状结构,两种导电机制分为:被限制在Bi—O层内的内输运,和能够穿过Bi—O层的外输运.首次观察到作为内传导载流子的铁电极化子的电输运行为.在SBT薄膜中铁电极化子的热激活能Eα~0.0556eV.研究结果为SBT薄膜具有极低漏电流提供了一种解释. 相似文献
202.