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91.
采用溶胶-凝胶非硫化方法制备了表面平整、致密的铜锌锡硫薄膜.XRD及Raman分析表明制备的铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿结构.能谱分析表明所有薄膜均贫铜富锌贫硫.场发射扫描电子显微镜测得薄膜的厚度在0.7 μm左右.透射光谱表明随后退火温度的提高薄膜的光学带隙从2.13 eV减小到1.52 eV. 相似文献
92.
采用了一种低成本化学溶液法制备铜铟硒(CuInSe_2,CIS)薄膜.研究了预退火温度、硒化温度及基片衬底等实验参数对材料性能的影响.采用硝酸铜和氯化铟配置前驱体溶液,旋涂法制膜,后经480℃硒化退火得到CIS薄膜.XRD测试结果表明薄膜结晶性良好,具黄铜矿结构;SEM测试结果显示薄膜由较大晶粒组成,表面相对平整致密;EDX测试显示薄膜组分相对合理,略贫Cu而富Se.采用此薄膜为吸收层制备CIS原型薄膜太阳能电池,其光电测试显示单层CIS光伏响应达到1.6%. 相似文献
93.
掺砷碲镉汞是一科用于制作p-on-n器件和实现高性能碲镉汞探测器及多色红外焦平面阵列的关键材料。对掺砷碲镉汞的相关文献进行了归纳分析。砷渺活效率与退火条件及砷的浓度直接相关。对于掺砷浓度在10^16-10^18cm-3范围内的碲镉汞,通过300℃/16h和240℃/4sh两步退火可将样品前表面激活为P型材料,但汞空位的浓度相对于背面较高。样品背面靠近衬底处可能存在AsT和AsHg缺陷。 相似文献
94.
提出和研究正弦波周期稳幅条件下基于电荷流积均衡(ICF)的零DC—DC变换的并网型逆变机制和方法.旨在减少电能交换环节和次数,以提高电路逆变效率。还提出流积平衡下基于MPP偏置电压Vm的交换比,分析了这种方法的逆变工作过程,得出约束交换比的计算方法。阐述了正弦单周期逆变调制的光伏环境条件,研究由启动和调节环节构成的无DC-DC变换的MPPT逆变方法,分析建立了功率电压法(DPDVM)的MPPT逆变控制策略及MPP转移调节算法流程。电路实验表明,这些方法和算法下逆变电路可取得很高的效率。 相似文献
95.
Hg1—xCdxTe组分x的横向均匀性 总被引:1,自引:1,他引:0
根据Hg_(1-x)Cd_xTe的吸收边规律,建立了从室温下体材料Hg_(1-x)Cd_xTe大光斑透过曲线确定样品平均组分x_0和均方差Δx的方法及计算软件. 相似文献
96.
报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布. 相似文献
97.
98.
P型Hg0.76Cd0.24Te的子能带结构 总被引:2,自引:2,他引:0
制备了Hg1-xCdxTe(x=0.24)MIS器件,用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的C-V谱。根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱,获得了反型层电子子能带结构、,与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致。并获得了有关界面态与绝缘层固定电荷的结果。 相似文献
99.
用化学溶液沉积法,以Al2O3为衬底在750℃温度下制备了锰钴镍铜Mn1.56 Co(0.96_x) Ni0.48 CuxO4系列薄膜.制备温度低于传统烧结工艺需要的温度(1100℃).采用X射线衍射(XRD)对所制备材料的结晶性能进行测量.结果表明,在一定范围内随着铜组分的增加,材料的择优取向发生变化,结晶性能提高且保持立方尖晶石单相结构.根据Scherrer方程和XRD数据计算薄膜的晶粒尺寸,Cu含量的增加导致薄膜晶粒尺寸增大.扫描电镜(SEM)图验证了制备的薄膜材料均匀致密,无裂痕.测量材料的变温I-V特性,计算材料在295 K下负温度电阻系数α及其活化能和特征温度,当Cu含量低时材料的α值较大,随着Cu组分的增加,α由-4.12%下降到-3.29%.利用椭偏光谱仪(SE),拟合材料在近紫外-可见-近红外波段的消光系数,并初步指认消光系数峰. 相似文献
100.