利用光子晶体提高InP基LED出光效率

应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高.     

利用常规工艺提高光子晶体GaN LED的出光效率

计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上。另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析。     

推行清洁生产营造良好的生态环境

华丰煤矿通过实施洁净生产和洁净利用，在生产过程中将废渣废水废气逐步吃干吃净，提高了资源利用效率，减少了污染物的排放，使矿区生态系统得到了良性循环发展。     

白光照明和CCD投影成象在线检测聚合物光纤

提出了用白光照明CCD投影成象对聚合物光纤在线检测的方法,阐述了其测量原理.介绍了球面镜聚光法,光学成象放大,数值量化电路结合边界处理软件及最佳积分时间等方法来提高测量精度.实验结果表明测量聚合物光纤直径范围为0.2～2mm,精度可达10μm左右.     

双抗带网假顶在华丰煤矿的应用

新汶矿业集团华丰煤矿四层煤分层开采 ,长期以来全部采用金属菱形网作假顶。随着生产的发展 ,金属菱形网暴露了很多不足 :金属网易腐蚀 ,下分层开采时容易撕网 ,往往需要再铺一层双抗网布进行护顶 ,成本较高。因此采用了一种新型护顶技术———双抗带网假顶 ,解决了金属网腐蚀及成本高的问题 ,收到了很好的社会效益和经济效益     

利用大周期光子晶体结构增强InAs/GaAs量子点的激发态发光（英文）

在该研究中,通过激光全息和湿法腐蚀的方法在InAs/GaAs量子点材料上制备光子晶体,研究了由激光二极管激发制备了光子晶体的InAs/GaAs量子点材料的光致发光光谱.发现具有光子晶体的量子点材料的光谱显示出多峰结构,光子晶体对短波长部分的发光增强和调制比对长波长部分的增强和调制更明显.InAs/GaAs量子点的光致发光光谱通过刻蚀形成的光子晶体结构得到了调控,并且量子点的激发态发光得到了明显增强.     

近红外波段二维环形光子晶体

提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体，主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs上构成. 发现带隙不依赖于入射方向，很少的几排即可在透过谱上产生带隙. 六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱显示有一个完全带隙存在，带宽-带隙中心比率高达11%.     

水充式炮泥在华丰煤矿的应用

针对原黄土炮泥井下定炮封泥工艺爆破效果不佳、消烟降尘不利的现象 ,研制应用水充式水炮泥袋 ,改变了封孔工艺 ,保证了安全和工作环境 ,取得了很好的社会效益和经济效益 ,对于类似条件的矿井具有很好的借鉴作用     

光子晶体的微腔特性

为了设计一种高品质因子的光子晶体微腔和研究单缺陷光子晶体微腔谐振模波长随晶格常数的变化规律,使用时域有限差分法(difference time-domain method)和基于Baker算法的Padé近似方法计算了半导体材料上空气孔阵列光子晶体微腔的谐振模波长和品质因子.得到的新型光子晶体微腔的品质因子达246510,单缺陷光子晶体微腔模波长随晶格常数a和孔半径r的近似为线性变化关系:当孔半径r为一常数时,表现为晶格常数改变1nm,谐振波长变化约3nm,为实际制作光子晶体微腔激光器提供了理论指导.     

波长滞后法评估激光器的热阻（英文）

封装是光电子器件的关键技术之一。同时,器件的封装还影响器件的性能。文章提出了一种基于波长滞后的方法来评估激光器在298 K至10 K环境温度范围内的热阻。通过计算降温和升温过程中波长滞后的程度来表征热阻大小。该方法解决了低温环境中无法评估激光器散热性能的问题。这对低温光互连具有重要意义,也为低温环境中激光器的封装设计提供了参考。