VO2(B)薄膜的制备及特性优化研究

采用直流磁控溅射法,在纯氩气氛中溅射V2O5靶材,在覆盖有氮化硅薄膜的P(100)硅基片表面沉积氧化钒薄膜.对沉积的薄膜进行了后续高真空高温退火处理.利用XRD对薄膜的晶相进行了分析,结果表明退火处理前和退火处理后的薄膜都具有VO2各晶面的取向,XPS分析证明了XRD的物相分析结果.对薄膜的方阻特性的测试表明生成的薄膜是典型的VO2(B)薄膜,退火后的薄膜方阻减小,方阻温度系数也降低.在此基础上,利用薄膜晶界散射理论,通过改变薄膜沉积时间和沉积温度使薄膜的方阻和方阻温度系数随薄膜厚度和晶粒大小而变化,从而使薄膜的电性能达到优化.     

桉木CTMP浆的漂白及发色系统变化分析

为了系统探究速生材高得率浆发色系统在漂白过程中的变化,本实验采用差示紫外-可见光谱(DRUV)分析桉木CTMP浆在过氧化氢(H2O2)漂白、硼氢化钠(NaBH4)漂白和连二亚硫酸钠(Na2S2O4)漂白过程中的发色系统变化。结果表明,Na2S2O4漂白主要作用于发色基团的醌类结构,NaBH4可将不饱和双键还原为羟基,H2O2漂白效率较高,可作用于共轭羰基、碳碳双键和醌类结构。此外,在对桉木CTMP浆H2O2漂白的最佳条件进行探索时发现,增加H2O2用量可明显提高纸浆白度值和明度指数L*,当NaOH/H2O2的比值为0.9时,纸浆漂白效果最佳。     

介质层对超材料太赫兹响应特性的控制规律

作为超材料的重要组成部分,介质层是影响超材料响应特性的关键因素.固定超材料的尺寸和表层金属图形,通过理论推导和仿真模拟详细分析了在太赫兹波段下介质层的介电常数和厚度两个参数对超材料响应特性的控制规律,并首次确定了响应频率与介电常数的关系方程.结果表明,在其他参数不变的情况下,超材料的响应频率主要取决于介质层的介电常数的实部大小,而其吸收率则主要取决于介质层的厚度.据此,提出一种设计超材料的新方法:首先将设计要求的响应频率代入频率方程计算出相应介质层的介电常数,由此挑选合适的介质材料;然后固定介电常数、调节介质层厚度,获得在特定频率具有特定吸收率的超材料.     

离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe

通过离子注入硅衬底，在表面引入缺陷，诱导超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）生长的外延SiGe发生驰豫，以制备薄的高弛豫SiGe. 利用微区Raman和Tapping AFM技术，对所生长的SiGe材料进行了表征. 结果表明，上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积（直径为125mm）均匀SiGe材料. 然而，相同条件下，如果高能离子直接辐照SiGe层，将极大地损坏外延材料的晶体结构，得到多晶SiGe. 此外，还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验，对相关微观机制进行了研究.     

非制冷红外焦平面微桥形变的主要原因及其控制

微桥是微测辐射热计阵列像元的重要部分,经微细加工工艺制成的微桥结构常常发生弯曲变形,从而严重影响器件性能。利用有限元分析方法研究了造成微桥变形的原因。结果表明,重力导致的微桥形变值仅为1.44×10-5μm,而薄膜的本征应力导致的形变值却高达2.108μm,与实际观测值相当。因此,本征应力是造成微桥变形的主要原因。此外,还研究了本征应力梯度导致的形变,并提出了采用在电极的表面再沉积一层SiNx薄膜的方法,使桥腿的形变值由0.587μm明显地减小到0.271μm,有效地控制了本征应力梯度导致的桥腿变形。     

搞好矿山环保工作的经验

介绍三鑫公司历年环保工作情况,即对废水、废气及废渣的治理所取得的成绩及经验,并对存在问题提出改进措施.     

脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的光谱椭偏研究

采用脉冲直流反应磁控溅射技术在不同的占空比条件下制备了氧化钒薄膜.利用X射线光电子能谱仪测定了薄膜的组分,用光谱椭偏仪在300～850 nm的波长范围内对薄膜的光学性质进行了研究.实验结果表明降低占空比具有促进金属钒氧化的作用,而通过采用Tauc-Lorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数ψ和△进行拟合,得到了较为理想的拟合结果.薄膜的复折射率和透过率均由椭偏拟合结果确定,结果发现占空比的下降,导致了可见光范围内薄膜折射率和消光系数的降低以及透过率的提高.     

离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe

通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.