聚(联吡啶亚甲基苯乙烯-甲基丙烯酸齐聚氧化乙烯酯)薄膜修饰电极

合成了一种兼具电致变色性能及离子电导性的新型梳型联吡啶聚合物PVSEO_(21)。测试了其修饰热解石墨电极在液体电解质中的循环伏安特性及其电致变色性能。该聚合物具有可逆性好、响应速度快等特点。其高速响应与聚合物本身的离子电导性有关。薄膜厚度为1.85μm时,该聚合物修饰电极在0～—0.8V和—0.8～—1.3V(vs.SCE)之间发生一电子和二电子氧化-还原反应,相应的电致变色响应时间分别为3ms和7ms。     

ZnS:Mn,Tm材料中Mn中心高激发态与Tm中心间的能量传递及温度的影响

本文系统地研究了硫化锌材料中Mn中心高激发态与Tm中心的相互作用。证实了Mn中心高激发态与Tm中心间亦存在能量传递。同时还注意到温度对Mn中心与Tm中心间能量传递的影响。     

用电光采样法研究GaAs集成电路中微带线的电场串扰问题

采用静态有限差分法对 ＧａＡｓ集成电路微带线电极的串扰进行理论计算并与内 部电光采样的实际测量结果进行对比分析。结果表明,当激活电极的宽度为５ｕｍ,两电极的 距离是１０ｕｍ时,串扰的实际测量值为４０％左右,差分计算的结果为４６％。     

用电光采样法研究GaAs集成电路中微带线的电场串扰问题

采用静态有限差分法对GaAs集成电路微带电极的串扰进行理论计算并与内部电光采样的实际测量结果进行对比分析。结果表明,当激活电极的宽度为5μm,两电极的距离是10μm时,串扰的实际测量值为40％左右,差分计算的结果为46％。     

热氧化制备钠米氧化锌薄膜的光致发光特性研究

报道了热氧化制备钠米ZnO薄膜的光致发光.首先利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)工艺,在硅(100)衬底上制备了高质量的ZnS薄膜,然后在氧气环境下,在不同的温度下进行热氧化.X射线衍射(XRD)测量表明:在500℃退火的样品ZnS开始向ZnO转变.当退火温度为700℃时,ZnS衍射峰消失,说明ZnS完全地转变成ZnO.制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿型结构,但没有择优取向.在光致发光实验中,随着退火温度升高,紫外发光峰位明显地出现蓝移,而半高宽度(FWHM)逐渐变窄,直到900℃,而1000℃退火的样品出现相反的实验现象.我们认为束缚激子发射在紫外光致发光(PL)中起着重要作用,光致发光的强度与退火温度关系表现为较强的非线性.紫外发光强度与深能级发射之比是20,表明ZnO薄膜的高质量结晶.(OH18)     

低电压治理提升用户电力获得感

电压水平衡量是供电质量的一项重要指标,也是用户最关心的问题.为了确保电压质量,近年来,国网赫山区供电公司坚持以人民为中心,认真履职,持续加强向配网开战专项工作,大力推进配网线路的低电压治理,重点针对辖区内湖区地带出现的低电压问题,创新治理方法,实现了两降两控的目标,提高了人民群众用电的获得感和幸福感.     

光子晶体光波导传输特性研究

用全空间的矢量波散射理论 ,研究了有限长二维光子晶体直波导的传输特性 ,计算了传输效率与波导长度的关系 ,并研究了蝶形光波导的耦合问题     

热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光和室温紫外激光发射

利用低压-金属有机汽相外延(LP-MOCVD) 工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化,制备出高质量的纳米氧化锌(ZnO)薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构.900℃氧化样品的光致发光(PL)谱中,在波长为3.3eV处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射.紫外发光强度与深能级发射强度之比是80,表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶.在受激发射实验中观察到紫外激光发射.     

新型全光纤结构双包层光纤激光器

基于对双包层光纤的内包层结构、掺杂浓度、剖面折射率分布、外包层的背底损耗等因素对泵浦光吸收效率的影响进行分析的基础上,对掺Yb3 双包层光纤内包层直径对泵浦光的吸收长度和泵浦效率进行了理论模拟.采用半导体激光二极管光纤模块作为泵浦源,采用梅花瓣型双包层光纤与光纤光栅元件连接制作了全光纤结构的光纤激光器,实验获得了6.02W单模光纤激光器,中心波长为1080nm,半高宽为0.11nm,斜率效率为1.7W/A.     

有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor，OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现．栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(△S)不变；阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关，绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小．绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。