轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻

分析了轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻。用熔融氢氧化钾腐蚀显示位错，用暗点扫描法测薄层电阻。结果表明：单晶中位错密度和薄层电阻分布类似，并且和理论分析液封直拉法生长的半绝缘砷化镓中应力分布一致，证明轻掺铬不影响单晶的位错密度。     

MOCVD生长的全组分InGaN材料

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度。利用不同的物理表征手段系统研究了InGaN薄膜的晶体结构和光电学性质,XRD和Hall等测试结果表明:富Ga的InGaN薄膜具有较好的晶体质量,背景电子浓度基本均比富In的InGaN低一个数量级。同时,结合光致发光谱和光学透射谱研究了InGaN合金带隙随In组分的变化关系。     

用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长

用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善.     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3 (0001）衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜. 测量结果显示：所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变，生长温度由620℃升高到740℃, In的组分由0.72降低到0.27. 这是由于衬底温度越高，In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低. 样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示：在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象；而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中，In的表面分凝现象得到了有效抑制. 保持生长温度不变而将反应气体的V/III比从14000增加到38000, In的表面分凝现象也明显减弱. 由此可以认为，较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强，In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大，而较高的V/III比则能增加N与In成键几率，从而有利于抑制In的表面分凝.     

GaAs基异质结材料MBE生长及应用

对 Ga As基调制掺杂异质结材料中作为沟道层的 In Ga As的生长条件进行优化 ,并在缓冲层中嵌入LT-Ga As。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .7μm时 ,跨导 gm≥ 40 0 m S/mm,BVDS>1 5 V,BVGS>1 2 V,表明该材料有较好的性能     

生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGexC合金薄膜.本文通过能量色散谱仪乔(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGexC合金薄膜性质的影响.结果表明,Si1-xGexC外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大.     

GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长

本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿(111)方向择优生长,晶体质量较高.     

热退火对InGaN薄膜性质的影响

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理. 通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况. 结果表明，有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃. 通过对变温霍尔实验数据的拟合，初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.     

基于蓝绿光Micro-LED的可见光通信芯片调制带宽研究

基于氮化镓微米LED(Micro-LED)的可见光通信(Visible Light Communication,VLC)技术成为近年来的研究热点.通过深紫外光刻技术制备了小尺寸的氮化镓基蓝/绿光Micro-LED芯片,深入研究了40～10μm不同尺寸Micro-LED器件的性能,以及其作为VLC光源的调制带宽能力.研究发现,随着LED器件尺寸的缩小,其调制带宽显著增加.通过在电极间加入电磁屏障以及对LED器件侧壁进行钝化修复,直径为10 μm的绿光Micro-LED亮度可达1×108 cd/m2,直径为20 μm的蓝光Micro-LED的调制带宽可达372.6 MHz.研究结果表明,基于氮化镓的Micro-LED芯片在调制带宽上仍有较大的提升空间,经过进一步的研究,有望推动高速可见光通信的系统应用.     

液流电池旁路电流的研究概况

大规模储能液流电池体系是由多个电池模块串并联构成,其中每个模块又由固定个数的串联单电池组成,其电解液通过输液总管统一供应,这种电解液供应方式会在电堆中引起旁路电流,削弱电池的性能.介绍了旁路电流产生的原因及其对液流电池系统的危害,并综述了旁路电流模型及预测旁路电流大小的数值计算方法,以及消除旁路电流可以采用的措施.