AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响

主要研究了A1N钝化介质层对AlGaN/GaN异质结势垒层应力的修改以及应力的变化对二维电子气高温输运性质的影响.研究结果表明:AlN介质层会对AlGaN势垒层产生附加的平面压应变;AlN和传统的si3N4钝化介质都能减轻AlGaN势垒层在高温下的应变弛豫,但AlN介质层效果更明显.和传统的Si,N4钝化介质相比较,AlN钝化层不仅会显著增加AlGaN/GaN异质结二维电子气密度度,还会明显提高二维电子气迁移率,同时,AlN钝化后二维电子气密度的温度稳定性也更好.因此,对AlGaN/GaN异质结器件来说,AIN是一种有潜力的钝化介质.     

PHEM T 材料MBE 生长及其应用

我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g\-m≥400 ms/mm,BV\-\{DS\}>1 5V,BV\-\{GS\}>10V表明该材料有较好的性能.作为材料的缓冲层,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果.     

准垂直肖特基二极管电极间距对耐压的影响

研究了不同电极间距对准垂直肖特基势垒二极管（SBD）正反向I-V特性，尤其是击穿电压和漏电的影响。通过制备不同电极间距的准垂直GaN SBD，测量不同电极间距器件的击穿电压和反向漏电变化。测量发现当电极间距小于器件台面刻蚀深度时，器件的击穿电压随着电极间距的增大而增大；当电极间距大于台面刻蚀深度时，器件的击穿电压随着电极间距的增大而几乎不发生变化。利用Silvaco软件进行了一系列的仿真研究，发现SBD的峰值电场强度不仅取决于电极间距，同时还受限于台面高度。研究表明在准垂直SBD研制中，为得到高击穿电压，电极间距应匹配器件台面的高度。